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[導(dǎo)讀]日前,皇家飛利浦電子集團推出最新四頻帶GSM功率放大器模塊BGY284。該產(chǎn)品安裝面積僅為8 × 8mm,安裝高度為1.5mm,具有全集成功率控制環(huán),是高成本效益的四頻帶功率放大器。BGY284結(jié)合了InGaP砷化鎵、硅BiCMOS(飛利

日前,皇家飛利浦電子集團推出最新四頻帶GSM功率放大器模塊BGY284。該產(chǎn)品安裝面積僅為8 × 8mm,安裝高度為1.5mm,具有全集成功率控制環(huán),是高成本效益的四頻帶功率放大器。BGY284結(jié)合了InGaP砷化鎵、硅BiCMOS(飛利浦QuBiC4)、無源元件集成(飛利浦PASSITM)技術(shù)以最大限度提高電路性能。
這個高度集成的功率放大器與GSM/GPRS-Class 12和EDGE等應(yīng)用完全兼容,使功率放大率超過55%。該產(chǎn)品的低成本、超小體積和四頻帶(850/900/1800/1900MHz)等特性使手機制造商在為全球GSM市場開發(fā)更小、更輕的手機產(chǎn)品時擁有非常大的自由。
飛利浦半導(dǎo)體公司射頻功率放大器產(chǎn)品部市場營銷經(jīng)理Robbert van der Waal說:“由于BGY284的安裝面積很小,而且具有一個集成的功率控制環(huán),廠商可以節(jié)約多達(dá)30%的印刷電路板空間和30%的外部組件?!?BR>使諸如BGY284等高度集成的智能功率放大器產(chǎn)品具有如此卓越性能的關(guān)鍵因素,是飛利浦公司所具有的功率放大器模塊設(shè)計方法。功率放大器內(nèi)的每一項功能使用的都是精挑細(xì)選的技術(shù),在確保優(yōu)化性能的同時,通過層壓襯底降低成本。為達(dá)到高的功率放大率、線性度和擊穿電壓,BGY284在高功率級采用InGaP砷化鎵HBT,并由飛利浦最新BiCMOS工藝(QUBiC4)集成的低功率RF驅(qū)動器和功率控制電路驅(qū)動。
主要的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)使用飛利浦獨特的PASSITM技術(shù)設(shè)計而成,使組件數(shù)量減少,無源器件更加精確。該技術(shù)以大批量芯片處理為基礎(chǔ),無需使用昂貴的陶瓷基片。由于組件使用恰到好處,使用PASSITM技術(shù)生產(chǎn)出來的射頻匹配網(wǎng)絡(luò),較之采用傳統(tǒng)的基底材料生產(chǎn)出來的產(chǎn)品,性能更加優(yōu)越,同時還能使整個功率放大器模塊能夠安放在一個低成本的薄板上。
獨特的結(jié)構(gòu)、豐富的性能配置、最少的設(shè)計要求使BGY284成為成本效益最高、功率消耗最低、組件數(shù)最少的手機功率放大器。
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