日前，皇家飛利浦電子集團(tuán)推出最新四頻帶GSM功率放大器模塊BGY284。該產(chǎn)品安裝面積僅為8 × 8mm，安裝高度為1.5mm，具有全集成功率控制環(huán)，是高成本效益的四頻帶功率放大器。BGY284結(jié)合了InGaP砷化鎵、硅BiCMOS（飛利浦QuBiC4）、無源元件集成（飛利浦PASSITM）技術(shù)以最大限度提高電路性能。
這個(gè)高度集成的功率放大器與GSM/GPRS-Class 12和EDGE等應(yīng)用完全兼容，使功率放大率超過55%。該產(chǎn)品的低成本、超小體積和四頻帶（850/900/1800/1900MHz）等特性使手機(jī)制造商在為全球GSM市場(chǎng)開發(fā)更小、更輕的手機(jī)產(chǎn)品時(shí)擁有非常大的自由。
飛利浦半導(dǎo)體公司射頻功率放大器產(chǎn)品部市場(chǎng)營銷經(jīng)理Robbert van der Waal說：“由于BGY284的安裝面積很小，而且具有一個(gè)集成的功率控制環(huán)，廠商可以節(jié)約多達(dá)30%的印刷電路板空間和30%的外部組件?！?BR>使諸如BGY284等高度集成的智能功率放大器產(chǎn)品具有如此卓越性能的關(guān)鍵因素，是飛利浦公司所具有的功率放大器模塊設(shè)計(jì)方法。功率放大器內(nèi)的每一項(xiàng)功能使用的都是精挑細(xì)選的技術(shù)，在確保優(yōu)化性能的同時(shí)，通過層壓襯底降低成本。為達(dá)到高的功率放大率、線性度和擊穿電壓，BGY284在高功率級(jí)采用InGaP砷化鎵HBT，并由飛利浦最新BiCMOS工藝（QUBiC4）集成的低功率RF驅(qū)動(dòng)器和功率控制電路驅(qū)動(dòng)。
主要的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)使用飛利浦獨(dú)特的PASSITM技術(shù)設(shè)計(jì)而成，使組件數(shù)量減少，無源器件更加精確。該技術(shù)以大批量芯片處理為基礎(chǔ)，無需使用昂貴的陶瓷基片。由于組件使用恰到好處，使用PASSITM技術(shù)生產(chǎn)出來的射頻匹配網(wǎng)絡(luò)，較之采用傳統(tǒng)的基底材料生產(chǎn)出來的產(chǎn)品，性能更加優(yōu)越，同時(shí)還能使整個(gè)功率放大器模塊能夠安放在一個(gè)低成本的薄板上。
獨(dú)特的結(jié)構(gòu)、豐富的性能配置、最少的設(shè)計(jì)要求使BGY284成為成本效益最高、功率消耗最低、組件數(shù)最少的手機(jī)功率放大器。