晶圓雙雄再掀12寸廠投資潮 業(yè)界擔憂恐造成產(chǎn)能過剩
繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元，晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布，提高2010年資本支出達12億~15億美元，其中約有94%將用于擴充12寸先進制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，聯(lián)電65納米成長會非常迅速，45／40納米世代占營收比重將增加，同時良率已很穩(wěn)健。值得注意的是，臺積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長3成，樂觀預期公司可望同步跟著成長，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠帶領下，將再度掀起12寸廠投資熱潮。
孫世偉表示，對于2010年展望非常樂觀，預估半導體產(chǎn)業(yè)可望成長13~15%，晶圓專工產(chǎn)業(yè)成長率可達25~28%，對于聯(lián)電2010年營運將有非常樂觀預期，為因應客戶對于產(chǎn)能及高階技術強勁需求，將提高2010年資本支出至12億~15億美元。半導體業(yè)者認為，聯(lián)電 2010年可望跟著晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長腳步，同步成長3成，與臺積電預估2010年成長幅度相當。
事實上，臺積電日前公布2010年資本支出達48億美元，較2009年約暴增7成，聯(lián)電3日預估2010年資本支出12億~15億美元，亦較業(yè)界所估10億美元為高，半導體業(yè)者認為，臺積電、聯(lián)電紛積極擴產(chǎn)，借以搶攻市占率。聯(lián)電則表示，將會在市占率與股東權益報酬率之間，取得最佳平衡。
針對2010年資本支出，孫世偉強調(diào)，主要用于建置高階制程產(chǎn)能，包括南科Fab 12A廠45／40納米制程產(chǎn)能，以及持續(xù)導入28納米技術研發(fā)及試產(chǎn)設備，以及新加坡Fab 12i廠大幅擴充65／55納米制程產(chǎn)能等。此外，聯(lián)電Fab 12A廠第3期無塵室相關設施與機臺裝置時程，將同步加速就緒，并進行彈性擴充。
不過，業(yè)界擔憂晶圓雙雄紛加大投資力道，恐造成產(chǎn)能過剩，孫世偉對此表示，聯(lián)電經(jīng)過整體評估，投資12億~15億美元風險已相對較低，由于先進制程投資甚鉅，摩爾定律可能演進趨緩，因此，針對投資力道與時機點，聯(lián)電確實已相當謹慎。此外，全球經(jīng)濟復蘇步調(diào)的持續(xù)性，以及美國、大陸相繼考慮調(diào)控措施，對后續(xù)景氣造成效應，仍有待觀察。
此外，聯(lián)電表示，2009年第4季65納米制程比重已占整體營收約17%，2010年比重將持續(xù)成長，同時 45／40納米世代在上半年將可見到約達個位數(shù)營收比重貢獻。聯(lián)電自行研發(fā)的高效能40納米邏輯制程，目前已有超過10家客戶，涵蓋高階消費性電子、通訊、手機與硬碟各應用領域，較65納米還提前1季通過全生產(chǎn)驗證，且良率已穩(wěn)定到可晶圓計價出貨。
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