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三星：12寸廠到2015年將不符經(jīng)濟(jì)效益

時間：2010-02-11 13:52:06

關(guān)鍵字：三星存儲器晶圓廠 Flash

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[導(dǎo)讀]三星電子(Samsung Electronics)高層近期表示，2010年全球半導(dǎo)體市場成長最快的是亞洲地區(qū)，消化全球70%芯片產(chǎn)出，未來包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技術(shù)，皆有助于提升效率并降低成本，都是存儲器技

三星電子(Samsung Electronics)高層近期表示，2010年全球半導(dǎo)體市場成長最快的是亞洲地區(qū)，消化全球70%芯片產(chǎn)出，未來包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技術(shù)，皆有助于提升效率并降低成本，都是存儲器技術(shù)的明日之星，而現(xiàn)在位居主流地位的12寸晶圓廠，預(yù)計(jì)到2015年將不符合經(jīng)濟(jì)效益，屆時將迎接18寸晶圓廠時代來臨。

三星電子資深副總裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前參加首爾SEMICON國際半導(dǎo)體展時指出，在全球半導(dǎo)體市場中，亞洲地區(qū)成長最快，預(yù)計(jì)在2011年底前會消化全球70%芯片產(chǎn)出。他同時認(rèn)為，包括PRAM (Phase change memory)、OXRAM (Oxide-based memory)、STT-MRAM (Electro-resistant magneto-tunnel affect)等新興技術(shù)，將成為存儲器技術(shù)的明日之星，預(yù)計(jì)現(xiàn)在居主流地位的12寸晶圓廠，到2015年便將不符合經(jīng)濟(jì)效益。

事實(shí)上，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣逐漸回春，臺積電和聯(lián)電分別提高2010年資本支出至48億及12億~15億美元，其中，大部分都是用于擴(kuò)充12寸晶圓廠，晶圓雙雄 2010年資本支出皆超過金融海嘯前2008年的水平；三星電子2010年半導(dǎo)體資本支出則約8.5兆韓元(約73億美元)，較2008年60億美元成長逾20%。

在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)方面，以臺塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科2010年資本支出規(guī)模最為可觀，2家合計(jì)將支出達(dá)新臺幣720億元。以整個臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來看，2010年設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)59.2億美元，2011年上看77.6億美元，而2010年半導(dǎo)體材料市場規(guī)模可達(dá)78.5億美元，2011年上看85.5億美元。

未來在科技新產(chǎn)品應(yīng)用上，三星認(rèn)為，醫(yī)療照護(hù)、機(jī)器人和車用市場相當(dāng)受到關(guān)注，其中，聲音辨識加上空間視覺處理、人工智能等技術(shù)精進(jìn)，對于機(jī)器人技術(shù)有很大挹注。另外，在存儲器領(lǐng)域，未來發(fā)展恐將面臨瓶頸。

目前存儲器業(yè)者最煩惱的問題是，NAND Flash技術(shù)恐面臨制程微縮極限，雖然業(yè)者聲稱NAND Flash技術(shù)在10奈米是可行的，但目前僅止于實(shí)驗(yàn)室階段，未來3D技術(shù)可望解決此瓶頸障礙，因此，不少存儲器大廠如三星、東芝(Toshiba)等都投入開發(fā)3D技術(shù)，近期新的電荷擷取快閃存儲器(Charge Trap Flash；CTF)便逐漸崛起。

根據(jù)CTF架構(gòu)，NAND Flash元件由鉭金屬(Ta)、氧化鋁(Aluminum Oxide)、氮化物(Nitride)、氧化物(Oxide)和矽晶層(Silicon)組成，因此，亦稱為TANOS架構(gòu)，其運(yùn)作方式是不使用浮動閘，而是從氧化層間的絕緣氮化矽層中擷取電荷，可控制所儲存電流，避免資料流失。

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