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  • 一文詳解嵌入式之uboot的作用

    U-Boot提供命令行接口(CLI)，允許開(kāi)發(fā)者實(shí)時(shí)查看硬件信息、修改啟動(dòng)參數(shù)、讀寫(xiě)存儲(chǔ)設(shè)備等操作。例如，通過(guò)串口或網(wǎng)絡(luò)連接可實(shí)時(shí)調(diào)試內(nèi)存狀態(tài)或監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行，部分工業(yè)設(shè)備仍依賴其硬實(shí)時(shí)響應(yīng)能力。

  • TrendForce集邦咨詢: 預(yù)估中國(guó)Robotaxi市場(chǎng)規(guī)模將于2035年達(dá)445億美元

    July 15, 2025 ---- Tesla(特斯拉)正在美國(guó)德州測(cè)試其自駕出租車(chē)(Robotaxi)技術(shù)，并有意拓展服務(wù)至舊金山灣區(qū)，引發(fā)業(yè)界關(guān)注。TrendForce集邦咨詢表示，美國(guó)的Robotaxi市場(chǎng)將由Tesla和Waymo主導(dǎo)，預(yù)估規(guī)模將于2035年達(dá)365億美元。中國(guó)的Robotaxi產(chǎn)業(yè)正蓬勃發(fā)展，得益于完善的供應(yīng)鏈體系，硬件成本將會(huì)快速降低。

  • RTOS與Linux的區(qū)別對(duì)比解析

    RTOS ：RTOS的核心優(yōu)勢(shì)在于其實(shí)時(shí)性。它采用搶占式調(diào)度策略，確保高優(yōu)先級(jí)任務(wù)能夠立即獲得CPU資源，從而在最短時(shí)間內(nèi)完成處理。RTOS的實(shí)時(shí)性是通過(guò)嚴(yán)格的時(shí)間管理和任務(wù)調(diào)度算法實(shí)現(xiàn)的，能夠滿足對(duì)時(shí)間敏感性要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。

  • 深入解析三極管的工作原理

    三極管是一種半導(dǎo)體器件，通常由三層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩種結(jié)構(gòu)。其工作原理基于電流控制或電壓控制機(jī)制。對(duì)于雙極性晶體管(BJT)，基極電流決定了集電極電流;而對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，柵極電壓則調(diào)節(jié)漏極電流。通過(guò)這種特性，三極管可以實(shí)現(xiàn)對(duì)微弱信號(hào)的放大作用，同時(shí)也能用作高效的電子開(kāi)關(guān)。

  • 電解電容的工作原理詳解

    電解電容，這一在電路中不可或缺的元器件，究竟是何方神圣?它以金屬箔為正極，通常采用鋁或鉭材質(zhì)，而與之緊密貼合的氧化膜，如氧化鋁或五氧化二鉭，則擔(dān)任電介質(zhì)的重任。陰極則是由導(dǎo)電材料、電解質(zhì)以及其他材料精妙組合而成，其中電解質(zhì)作為關(guān)鍵成分，為電解電容之名提供了有力的支撐。

  • 一文揭曉二極管為什么只能串聯(lián)

    在電路中，由于電阻會(huì)產(chǎn)生熱量，而電阻的熱量不能完全消散，只能通過(guò)散熱方式釋放出去。因此，串聯(lián)電阻和二極管可能會(huì)發(fā)生發(fā)熱現(xiàn)象。當(dāng)電流通過(guò)串聯(lián)電阻時(shí)，電阻將會(huì)發(fā)熱，而產(chǎn)生熱量的同時(shí)，電阻也會(huì)將一部分熱量傳導(dǎo)給二極管，進(jìn)而引起二極管的發(fā)熱。但是在合理選取二極管及電阻的情況下，即可很好地平衡二者的熱量，避免二極管過(guò)熱。

  • 一文詳解UWB定位技術(shù)

    UWB (Ultra-wideband)技術(shù)是一種無(wú)線通信技術(shù)，通過(guò)納秒級(jí)非正弦波窄脈沖傳輸數(shù)據(jù)，具有厘米級(jí)定位精度、低功耗、抗干擾性強(qiáng)等特點(diǎn)，尤其適用于室內(nèi)等復(fù)雜環(huán)境。 ?

  • 貼片電阻的數(shù)字含義詳解

    貼片電阻的數(shù)字含義首先要涉及到它的阻值。具體來(lái)說(shuō)，對(duì)于一般的貼片電阻而言，其數(shù)字表示的就是它的阻值，例如100代表100歐姆、220代表220歐姆等等。需要注意的是，由于制程與精度等因素的影響，同一個(gè)數(shù)字對(duì)應(yīng)的阻值不同品牌、不同系列的貼片電阻其阻值可能略有不同。

  • 詳解電動(dòng)機(jī)降壓?jiǎn)?dòng)的關(guān)鍵因素

    采用降壓?jiǎn)?dòng)的主要目的是為了避免對(duì)其他設(shè)備的正常工作造成影響。在只有變壓器與電動(dòng)機(jī)的情況下，如果考慮功率因數(shù)和效率等因素，電動(dòng)機(jī)的功率通?？梢赃_(dá)到變壓器容量的80%左右，從而直接啟動(dòng)或與變壓器同時(shí)啟動(dòng)。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，變壓器往往需要承擔(dān)其他負(fù)荷，因此其他負(fù)荷的多少也是一個(gè)需要考慮的重要因素。

  • 盤(pán)點(diǎn)變送器和傳感器的區(qū)別

    在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化和過(guò)程控制中，傳感器和變送器是兩種不可或缺的組件。它們?cè)诒O(jiān)測(cè)和控制各種工業(yè)參數(shù)方面發(fā)揮著重要作用。盡管它們?cè)谀承?yīng)用中可以互換使用，但它們?cè)谠O(shè)計(jì)、功能和應(yīng)用上存在明顯的區(qū)別。

  • TrendForce集邦咨詢: 預(yù)估3Q25 NAND Flash合約價(jià)季增5%至10%，手機(jī)需求弱抑制eMMC、UFS漲幅

    July 9, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash市場(chǎng)歷經(jīng)2025年上半年的減產(chǎn)與庫(kù)存去化，供需失衡情況已明顯改善。隨著原廠轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至高毛利產(chǎn)品，市場(chǎng)流通供給量縮減。需求面則有企業(yè)加碼AI投資，以及NVIDIA(英偉達(dá))新一代Blackwell芯片大量出貨支撐。展望第三季NAND Flash價(jià)格走勢(shì)，預(yù)估平均合約價(jià)將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品因智能手機(jī)下半年展望不明，漲幅較低。

  • 差錯(cuò)控制的基本方式有哪些？差錯(cuò)控制有哪些分類？

    為增進(jìn)大家對(duì)差錯(cuò)控制的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)差錯(cuò)控制、差錯(cuò)控制的基本方式和差錯(cuò)控制的分類予以介紹。

  • 你了解?板卡控制的架構(gòu)嗎？?板卡控制和PLC控制有什么區(qū)別？

    為增進(jìn)大家對(duì)?板卡控制的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)?板卡控制的架構(gòu)與功能以及?板卡控制與PLC控制的區(qū)別予以介紹。

  • PID控制有什么優(yōu)勢(shì)？PID控制和傳統(tǒng)控制方式有什么區(qū)別？

    為增進(jìn)大家對(duì)PID控制的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)PID控制的優(yōu)勢(shì)、局限性以及PID控制和傳統(tǒng)控制方式的區(qū)別予以介紹。

  • TrendForce集邦咨詢: 3Q25新舊世代DRAM交替，合約價(jià)走勢(shì)分化，Consumer DDR4將季增逾40%

    July 7, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于三大DRAM原廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高階產(chǎn)品，并陸續(xù)宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X進(jìn)入產(chǎn)品生命周期末期(EOL)，引發(fā)市場(chǎng)對(duì)舊世代產(chǎn)品積極備貨，疊加傳統(tǒng)旺季備貨動(dòng)能，將推升2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)價(jià)格季增10%至15%，若納入HBM，整體DRAM漲幅將季增15%至20%。

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