宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第八階段可靠性測(cè)試報(bào)告。該報(bào)告表明，在累計(jì)超過800萬個(gè)器件-小時(shí)的應(yīng)力測(cè)試后，沒有器件發(fā)生失效的情況。該報(bào)告詳細(xì)探討EPC器件在被確認(rèn)為合格產(chǎn)品前所經(jīng)受的各項(xiàng)應(yīng)力測(cè)試，并且分析器件失效的物理原因。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司的第八階段可靠性測(cè)試報(bào)告證明氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN®FET)及集成電路在被確認(rèn)為合格產(chǎn)品前，經(jīng)受各種非常嚴(yán)謹(jǐn)并符合JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)力測(cè)試。

本報(bào)告提供特定產(chǎn)品在經(jīng)受數(shù)百萬個(gè)器件-小時(shí)的應(yīng)力測(cè)試后所得出的詳細(xì)結(jié)果。除了利用應(yīng)力測(cè)試來認(rèn)證產(chǎn)品的可靠性外，我們對(duì)產(chǎn)品的其它方面也進(jìn)行了盡職調(diào)查，包括器件的現(xiàn)場(chǎng)可靠性、在器件的工作壽命內(nèi)的失效情況及整塊電路板的可靠性。第八階段可靠性測(cè)試報(bào)告尤其集中探討以下三個(gè)部分的測(cè)試 ：

I：器件的現(xiàn)場(chǎng)可靠性

  · 探討器件的現(xiàn)場(chǎng)失效情況

  · 器件在組裝時(shí)發(fā)生失效的情況

  · 器件在應(yīng)用中發(fā)生失效的情況

  · 芯片本質(zhì)的認(rèn)證

II：器件的早期壽命失效情況與器件的應(yīng)力疲勞特性

  · 器件的早期壽命失效率(ELFR)

  · 電子遷移效應(yīng)(Electromigration)

III：整塊電路板的可靠性及熱機(jī)械性能

  · 間歇工作壽命(IOL)測(cè)試

  · 溫度循環(huán)(TC)測(cè)試

  · 整塊電路板的可靠性測(cè)試

在客戶的應(yīng)用中，要取得EPC器件可靠性的認(rèn)證，客戶可以參考我們的第七階段可靠性測(cè)試報(bào)告(該報(bào)告表明，eGaN FET及集成電路具備卓越的現(xiàn)場(chǎng)可靠性—這些器件在經(jīng)受超過170億器件-小時(shí)測(cè)試后，得出非常低的失效率(低于1 FIT，代表器件經(jīng)受10億小時(shí)的測(cè)試后的失效器件)，以及參考第八階段可靠性測(cè)試報(bào)告。這些累計(jì)的器件可靠性資料展示出eGaN FET及集成電路是非常可靠的器件，以及在目前的終端產(chǎn)品的合理壽命內(nèi)，eGaN FET及集成電路的失效概率是非常低的。

宜普公司首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)始人Alex Lidow博士說：「要展示全新技術(shù)的可靠性是一個(gè)重大的挑戰(zhàn)。我們非常重視所有產(chǎn)品的可靠性。第八階段可靠性測(cè)試報(bào)告所闡述的各項(xiàng)測(cè)試及報(bào)告的結(jié)果表明，由于宜普電源轉(zhuǎn)換公司的氮化鎵產(chǎn)品具備必備的高可靠性，因此成為替代硅基器件的首選半導(dǎo)體器件?！?/p>