近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時重點提及極紫外光刻，也就是我們常說的EUV。他認為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對世界的重要影響。

Peter Leibinger

“如果我們無法實現(xiàn)EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè)，智能手機產(chǎn)業(yè)乃至整個電子裝備產(chǎn)業(yè)都將改變運作方式。”

什么是EUV?

極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)，常稱作EUV光刻，它以波長為10^-14nm的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長為13.4nm 的軟x 射線。

在半導體芯片及集成電路制造領(lǐng)域，目前主要采用193nm浸沒光刻技術(shù)對晶片上的精細特征進行圖案化。但是，193nm浸沒式光刻在80nm間距(40nm半間距)下達到極限。為此，從22nm / 20nm開始，芯片制造商開始使用193nm浸沒光刻以及各種多種圖案化技術(shù)。為了減小超過40nm的間距，多個圖案化涉及在晶圓廠中使用幾個光刻，蝕刻和沉積步驟的過程。

隨之而來的就是制程成本及周期時間的增長。為了解決這些問題，芯片廠商開始將目光轉(zhuǎn)向EUV光刻。

相對于193nm浸沒式光刻，EUV光刻可以提供更高的k1，在提供高分辨率的同時擁有較大的工藝窗口，從而減少光刻工藝復(fù)雜性。

正式基于這些優(yōu)勢，EUV吸引了芯片制造廠商及設(shè)備廠商的廣泛關(guān)注。三星公司表示，接下來的7nm工藝將采用EUV光刻。在英特爾方面，雖然還沒有明確EUV光刻導入時間，但是也將其作為未來重要制程技術(shù)之一。

在產(chǎn)生極紫外光的各種光刻工具里，激光器發(fā)揮重要作用。為此，TRUMPF公司在EUV領(lǐng)域重點投入。

與ASML公司建立合作關(guān)系

2015年ASML向TRUMPF公司訂購了15臺EUV光刻工具，而ASML則是全球EUV光刻領(lǐng)域領(lǐng)導者。TRUMPF公司也表示將積極布局極紫外激光器。

此外，TRUMPF公司也投資7000萬歐元在德國迪琴根建設(shè)一座占地34000平方米的工廠，主要用于生產(chǎn)極紫外光刻所需要的激光器產(chǎn)品。對于接下來即將出現(xiàn)的EUV訂單，TRUMPF公司充滿信心。

而ASML公司也預(yù)計其客戶將在2018至2019年后，開始將EUV光刻技術(shù)使用在芯片量產(chǎn)上。因此，在2020年前，第一批搭載以EUV光刻技術(shù)生產(chǎn)的芯片的電子裝備將上市。實際上，ASML公司接到的未出貨訂單已經(jīng)高達21臺。

另外，在柔性平板顯示屏制造中紫外激光器應(yīng)用需求也將進一步增加，這些都是TRUMPF公司對于EUV重點投資的原因。

收購Access Laser公司完善布局

近日，通快公司宣布收購Access Laser公司85%股份。Access Laser公司主要生產(chǎn)高精密低功率CO2激光器用于極紫外光刻(EUV)，這也是通快公司主要的投資方向之一。作為光源，該CO2激光器和通快激光放大器共同部署于EUV系統(tǒng)。通快公司表示，通過此次收購將整合EUV技術(shù)供應(yīng)鏈領(lǐng)域關(guān)鍵成員。

通快公司CTO及股東Peter Leibinger表示：“Access Laser是我們EUV業(yè)務(wù)的核心伙伴，一家富有創(chuàng)新力的激光企業(yè)。此次收購之后，兩家公司將更加緊密地合作以推進EUV技術(shù)發(fā)展，服務(wù)更多的應(yīng)用及客戶。”

經(jīng)過多年的持續(xù)發(fā)展，EUV技術(shù)工藝逐漸成熟，這為公司銷售帶來很大促進作用。Access Laser創(chuàng)始人及董事長張永方表示：“Access Laser一直富有創(chuàng)新精神。此次在EUV技術(shù)領(lǐng)域的合作，成功展現(xiàn)了Access Laser和TRUMPF兩家公司的協(xié)作關(guān)系。”

成立于1999年，Access Laser在美國和中國擁有超過60名員工。其產(chǎn)品包括輸出功率在10mW到50W之間，峰值功率高達1KW的精密激光器，應(yīng)用于醫(yī)學、電子及科研領(lǐng)域。此次收購價格，暫未對外公布。