什么是1xnm，1ynm和1znm？

在20nm之上，供應(yīng)商們希望通過兩代或三代1xnm節(jié)點(diǎn)去升級(jí)DRAM，也被稱為1xnm，1ynm和1znm。1xnm處于16nm和19nm之間，1ynm規(guī)定在14nm到16nm，1znm規(guī)定在12nm到14nm。

10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

這款實(shí)現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲(chǔ)量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。于第二代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)效率提高了27%，并且可以在不適用超高價(jià)的EUV(極紫外光刻)曝光工藝的情況下進(jìn)行生產(chǎn)，結(jié)果具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。

該款1Z納米 DRAM還穩(wěn)定支持最高3200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，這是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。 功耗也顯著提高，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，將功耗降低了約40%。

特別是，第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量(Capacitance)最大化。此外，還引進(jìn)了新的設(shè)計(jì)技術(shù)，提高了動(dòng)作穩(wěn)定性。

DRAM 1Z 開發(fā)事業(yè)TF長(zhǎng) 李廷燻表示：“第三代10納米級(jí)DDR4 DRAM擁有業(yè)界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最適合于購買高性能/高容量DRAM的客戶需求變化。計(jì)劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應(yīng)， 積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求。”

另一方面，SK海力士計(jì)劃對(duì)于下一代移動(dòng)DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)大適用第三代10納米級(jí)微細(xì)工程技術(shù)。

2019年上半DRAM價(jià)格下跌壓力沉重，盡管上游產(chǎn)能調(diào)節(jié)以及傳統(tǒng)旺季拉貨需求逐漸回升，預(yù)料將有望支撐跌價(jià)趨緩，為了提高生產(chǎn)效益及拉大競(jìng)爭(zhēng)差距，DRAM大廠競(jìng)相推進(jìn)下一代制程技術(shù)。