Silicon Labs(亦名“芯科科技”)日前推出了基于CMOS技術(shù)的突破性隔離型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器家族產(chǎn)品，這使得開(kāi)發(fā)人員能夠使用自己選擇的特定應(yīng)用和高容量的FET去替代過(guò)時(shí)的機(jī)電繼電器(EMR)和基于光耦合器的固態(tài)繼電器(SSR)。新型Si875x系列產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款隔離型FET驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)旨在利用集成的CMOS隔離柵傳輸電源，這消除了通常所需的隔離的次級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)電源，減少了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。當(dāng)與分立FET搭配時(shí)，Si875x驅(qū)動(dòng)器提供業(yè)內(nèi)一流的EMR/SSR替代解決方案，適用于電機(jī)和閥門(mén)控制器、HVAC繼電器、電池監(jiān)控、交流干線與通信交換機(jī)、HEV/EV汽車充電系統(tǒng)和其他工業(yè)和汽車應(yīng)用等。

開(kāi)發(fā)人員傳統(tǒng)上在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用EMR和基于光耦合器的SSR，并且這兩種技術(shù)都有局限性。EMR是昂貴、慢速、笨重和產(chǎn)生噪聲的，EMR的這些劣勢(shì)導(dǎo)致SSR的使用上有兩位數(shù)增長(zhǎng)率，但是即使這樣也面臨諸多挑戰(zhàn)?；诠怦詈掀鞯腟SR有固有的限制，例如由于LED老化而導(dǎo)致更短使用壽命、更高溫度時(shí)降低性能和可靠性、較差的噪聲抗干擾性。另外，它們也只能選擇受限的集成FET，進(jìn)一步損害了性能、成本和功耗。

Silicon Labs基于CMOS的Si875x隔離型FET驅(qū)動(dòng)器提供了更好的選擇，能夠?yàn)槭褂肧SR或EMR的應(yīng)用降低系統(tǒng)成本和功耗，增強(qiáng)系統(tǒng)性能。因?yàn)? Si875x驅(qū)動(dòng)器不使用LED或光學(xué)元件，它們提供整個(gè)使用壽命和溫度范圍的極佳穩(wěn)定性。極小封裝的Si875x器件提供完全無(wú)聲的開(kāi)關(guān)特性，這使得它們成為笨重EMR的理想替代解決方案，這些EMR通常受限于電子開(kāi)關(guān)噪聲、老化問(wèn)題，以及量產(chǎn)帶來(lái)的挑戰(zhàn)問(wèn)題。

Si875x器件通過(guò)使用標(biāo)稱10.3V、極低1mA輸入電流和1.1ms響應(yīng)時(shí)間來(lái)驅(qū)動(dòng)FET門(mén)。增加輸入電流到10mA可實(shí)現(xiàn)極快的94µs接通時(shí)間。獨(dú)特的電源優(yōu)化選項(xiàng)能夠快速獲得最大導(dǎo)通電流，然后一旦可選的外部電容放電時(shí)，靜態(tài)保持電流最多可降低到最大導(dǎo)通電流的90%。靈活的2.25至 5.5V的輸入側(cè)電壓支持平滑連接到低功率控制器。Si875x驅(qū)動(dòng)器也具有可選的米勒鉗位能力，防止外部FET的意外開(kāi)啟。

Si875x器件具有2.5kVrms隔離等級(jí)，能夠在整個(gè)工業(yè)和汽車級(jí)溫度范圍(高達(dá)+125℃)進(jìn)行操作，設(shè)計(jì)符合嚴(yán)格的UL、CSA、VDE、 CQC標(biāo)準(zhǔn)。多功能輸入提供數(shù)字CMOS引腳控制(Si8751器件)或二極管仿真(Si8752器件)，能夠很好的適應(yīng)目標(biāo)應(yīng)用，并且靈活的輸出支持 AC和DC負(fù)載配置。

Silicon Labs電源產(chǎn)品副總裁Ross Sabolcik表示：“憑借獨(dú)一無(wú)二的將功能強(qiáng)大、可靠的基于CMOS的隔離技術(shù)和通過(guò)隔離柵傳輸電源整合的創(chuàng)新能力，Silicon Labs的Si875x驅(qū)動(dòng)器為陳舊的EMR和基于光耦的SSR提供了不可或缺的替代解決方案。新型Si875x家族產(chǎn)品為開(kāi)發(fā)人員選擇應(yīng)用所需的具有成本效益的FET提供了極大靈活性，也為最先進(jìn)的固態(tài)開(kāi)關(guān)帶來(lái)最簡(jiǎn)單的遷移方案。”

Si875x隔離型FET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)：

· 業(yè)內(nèi)首款基于CMOS的隔離型SSR解決方案，支持特定應(yīng)用的FET。

· 一流的噪聲抑制能力，高可靠性和2.5kVrms隔離等級(jí)。

· 高壓條件下長(zhǎng)使用壽命(1000V條件下可達(dá)100年)。

· 高效開(kāi)關(guān)：10.3V門(mén)電壓，僅僅1mA輸入電流。

· 2.25至5.5V寬輸入電壓可實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

· 獨(dú)特引腳特性可在功耗/開(kāi)關(guān)時(shí)間之間優(yōu)化權(quán)衡。

· 米勒鉗位防止外部FET意外開(kāi)啟。

· 小型SOIC-8封裝，集成了隔離和用于低功耗應(yīng)用的功率電容器。

· AEC-Q100認(rèn)證的汽車級(jí)器件選項(xiàng)。