旺宏電子董事會決議通過明年新增資本支出新臺幣 8.65 億元(約1.9億人民幣)，并繼續(xù)與 IBM 合作開發(fā)相變化存儲器。

盡管存儲器行情明年不被看好，但旺宏對于未來展望仍審慎樂觀，預期高端快閃型存儲器如 NOR Flash 等市場仍會持續(xù)成長，產(chǎn)品價格應還算穩(wěn)定。且在今年 10 月底通過資本支出預算為新臺幣 142 億元，自第 4 季起開始投資，以提升公司 12 英寸晶圓廠高端產(chǎn)能及研發(fā)需求。

董事長吳敏求于此前法說會時曾強調，將把制程從 36 納米升級至 19 納米，以強化 NAND Flash 的競爭力。且自 2001 年開始，旺宏就已成立前瞻技術實驗室，并且投入相變化存儲器的研發(fā)，2004 年與 IBM 簽署「合作研發(fā)相變化非揮發(fā)性存儲器」聯(lián)盟協(xié)定，如今過了十幾年，仍然沒有放棄。

相變化存儲器(Phase-change memory，PCM)是一種非揮發(fā)性存儲器裝置，其特色是使用硫族化物玻璃(Chalcogenide glass)制成。硫屬玻璃的特性是透過改變溫度可以成為晶體或非晶體并具有不同的電阻，以此來儲存不同的數(shù)值，是未來可能取代快閃存儲器的技術之一，目前許多國際大廠如英特爾、三星等都有投入研發(fā)。

IBM 指出，PCM 的速度比現(xiàn)有的快閃存儲器快近百倍，而讀寫次數(shù)甚至可達千萬次，而英特爾和美光在近年所推出的 3D Xpoint 技術更號稱是比閃存快 1,000 倍的技術。目前 PCM 的試驗品已展現(xiàn)出極佳的性能，尤其是制程的進步將使 PCM 技術趨于成熟，但降低成本恐怕才是最大的挑戰(zhàn)。目前在中國方面也有消息稱，江蘇時代芯存半導體即將于明年第一季量產(chǎn) PCM 存儲器。

雖然 PCM 存儲器技術看似即將成熟，但到普及恐怕還需要一點時間，但為了因應新興科技的發(fā)展，高速儲存裝置仍然是不可或缺的技術，也是市場關注的焦點。旺宏表示，記憶形式的儲存級存儲器是未來的趨勢。