三星電子30日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款32GB容量、適用于小型雙列直插式存儲(chǔ)器模組(SoDIMM)規(guī)格的電競(jìng)筆電DDR4存儲(chǔ)器。而新的SoDIMM存儲(chǔ)器模組是以10納米制程技術(shù)打造，可以用戶享受豐富的電競(jìng)游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。

三星指出，透過使用新的存儲(chǔ)器解決方案，個(gè)人電腦制造商可以設(shè)計(jì)速度更快，針對(duì)頂級(jí)游戲的電競(jìng)筆電產(chǎn)品。其電池續(xù)航時(shí)間可以較過往產(chǎn)品更長(zhǎng)，甚至超越傳統(tǒng)的移動(dòng)工作站的效能，卻同時(shí)保持現(xiàn)有的筆電的輕巧配置。三星電子存儲(chǔ)器市場(chǎng)高級(jí)副總裁Sewon Chun指出，三星的32GB DDR4 DRAM存儲(chǔ)器將會(huì)為筆記本電腦帶來前所未有的游戲體驗(yàn)。而且，三星還將繼續(xù)為包括高接筆記本電腦，桌上型電腦在內(nèi)的所有分眾市場(chǎng)提供最先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品組合，并提高其速度和容量。

新推出的32GB DDR4 DRAM存儲(chǔ)器模組，與三星本身在2014年推出，以20納米制程技術(shù)所生產(chǎn)的速度8GB，容量為16 Gb DDR4 SoDIMM相比，新款32GB存儲(chǔ)器模組除了容量增加一倍之外，速度也提高了11%，能效提高了約39%。根據(jù)測(cè)試，配置有兩個(gè)32GB DDR4存儲(chǔ)器模組的64GB容量筆電，其在主動(dòng)模式下，功耗不到4.6瓦(W)，閑置時(shí)功耗更低于1.4W。與目前配備16GB存儲(chǔ)器模組，針對(duì)電競(jìng)市場(chǎng)的筆記本電腦相比，分別降低了大約39%，以及降低超過25%的用電量。

三星進(jìn)一步指出，目前已經(jīng)開始積極擴(kuò)展其10納米等級(jí)制成的DRAM陣容。其中，包括了16Gb LPDDR4，16Gb GDDR5和16Gb DDR4等產(chǎn)品。這對(duì)于未來在移動(dòng)、圖形、個(gè)人電腦和服務(wù)器領(lǐng)域迎接速度16Gb DRAM的新時(shí)代，以及應(yīng)用在包括高效能運(yùn)算及汽車電子等領(lǐng)域?qū)?huì)有很大的性能提升助益。