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[導(dǎo)讀]摩爾定律已經(jīng)持續(xù)半個(gè)多世紀(jì),從90nm到65nm、45nm再到32nm……。不過(guò),在實(shí)際的工藝制造角度,摩爾定律經(jīng)受到一次又一次將終止的考驗(yàn)和質(zhì)疑,如2007年intel 開(kāi)發(fā)45nm的HKMG工藝,以及2011年intel 開(kāi)發(fā)22nm的finFET 結(jié)構(gòu)等都是轉(zhuǎn)折點(diǎn)。更大的問(wèn)題是28nm之后,定律的成本降低開(kāi)始受到質(zhì)疑,加上研發(fā)成本的高聳,許多IDM廠如Motorola、NXP、Renasas等轉(zhuǎn)向fab lite。

摩爾定律已經(jīng)持續(xù)半個(gè)多世紀(jì),從90nm到65nm、45nm再到32nm……。不過(guò),在實(shí)際的工藝制造角度,摩爾定律經(jīng)受到一次又一次將終止的考驗(yàn)和質(zhì)疑,如2007年intel 開(kāi)發(fā)45nm的HKMG工藝,以及2011年intel 開(kāi)發(fā)22nm的finFET 結(jié)構(gòu)等都是轉(zhuǎn)折點(diǎn)。更大的問(wèn)題是28nm之后,定律的成本降低開(kāi)始受到質(zhì)疑,加上研發(fā)成本的高聳,許多IDM廠如Motorola、NXP、Renasas等轉(zhuǎn)向fab lite。

在9月份剛剛舉辦的英特爾精尖制造日上,英特爾力證摩爾定律仍然有效,宣布推出10nm晶圓,正在開(kāi)發(fā)7nm,研發(fā)5nm和3nm。英特爾強(qiáng)調(diào),晶圓的制程應(yīng)該以密度為標(biāo)準(zhǔn),表示其10nm比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手領(lǐng)先3年。此外,英特爾拓展代工計(jì)劃,將22FFL技術(shù)作為針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)移動(dòng)互聯(lián)產(chǎn)品的制程技術(shù),并與ARM合作強(qiáng)化在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

力證摩爾定律仍有效 10nm晶圓已生產(chǎn)并開(kāi)發(fā)7nm5nm3nm

隨著晶圓工藝制程的不斷推進(jìn),每實(shí)現(xiàn)全新的制程節(jié)點(diǎn)變得愈加困難,成本也更加昂貴。僅僅是把設(shè)備安裝到已有晶圓廠中,就要花費(fèi)近百億美元,能承擔(dān)得起推進(jìn)摩爾定律的成本的公司越來(lái)越少。

 

在英特爾制造日,英特爾發(fā)布了10nm晶圓。通過(guò)采用超微縮技術(shù)(hyper scaling),英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距,從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。超微縮技術(shù)讓英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點(diǎn)上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù),讓14納米和10納米上的晶片面積縮小了0.5倍以上。

“摩爾定律仍然有效。”英特爾公司執(zhí)行副總裁Stacy Smith表示,”晶體管密度一直以來(lái)都在快速提升。我們每一代新的晶體管技術(shù)都會(huì)帶來(lái)一個(gè)巨大的突破,這就是摩爾定律的原動(dòng)力。我們知道每一個(gè)節(jié)點(diǎn)的晶體管數(shù)量都會(huì)增加一倍,14和10納米制程技術(shù)其實(shí)都創(chuàng)了歷史紀(jì)錄,它實(shí)現(xiàn)了超過(guò)平常制程工藝的更高的晶體管密度。 制造成本正常的趨勢(shì)是不斷攀升,如果成本攀升但是晶體管微縮,事實(shí)上每個(gè)晶體管的成本是下降的,可以看到最后兩個(gè)節(jié)點(diǎn)的成本下降幅度是高于歷史趨勢(shì)的。”

摩爾定律還將繼續(xù)前行。英特爾高級(jí)院士兼英特爾公司制程架構(gòu)與集成總監(jiān)馬博表示:“除了10nm的發(fā)布和已經(jīng)生產(chǎn)之外,英特爾正在開(kāi)發(fā)的7nm技術(shù),5nm和3nm已經(jīng)進(jìn)行前沿研究,包括:納米線(xiàn)晶體管、3D堆疊、EUV圖案成形、神經(jīng)元技術(shù)等等。

稱(chēng)晶圓制程應(yīng)以密度為標(biāo)準(zhǔn) 其14nm/10nm領(lǐng)先對(duì)手3年

隨著摩爾定律走向極致,能夠跟進(jìn)的企業(yè)僅有格羅方德、三星、臺(tái)積電和英特爾四個(gè)巨頭。其中,臺(tái)積電和三星此前已經(jīng)宣布推進(jìn)10nm工藝制程。面對(duì)工藝領(lǐng)先地位的撼動(dòng),英特爾進(jìn)行了正面回應(yīng)。

“16納米、14納米、10納米、7納米,看起來(lái)像是一場(chǎng)賽馬。問(wèn)題在于,這些制程節(jié)點(diǎn)數(shù)字曾經(jīng)有著真實(shí)的物理意義,但現(xiàn)在已不是那么回事了。”Stacy Smith表示。

對(duì)于為何制程節(jié)點(diǎn)數(shù)字失去意義,半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)家莫大康指出了背后的原因。他告訴記者:“由于此前的定義如依柵長(zhǎng)來(lái)比較己經(jīng)失效,從技術(shù)上很難找到一個(gè)合適的方法來(lái)界定。”

對(duì)此,英特爾強(qiáng)調(diào)需要有一個(gè)指標(biāo)來(lái)描述某種制程的性能,為芯片設(shè)計(jì)者展現(xiàn)可用的晶體管密度。 馬博表示:“鑒定制程工藝的先進(jìn)性,應(yīng)該以晶體管密度指標(biāo)。根據(jù)晶體管密度指標(biāo),英特爾的14nm可以媲美友商的10nm,最新的10nm領(lǐng)先友商3年。”

 

對(duì)此,英特爾正面對(duì)比了三星和臺(tái)積電在同樣工藝制程節(jié)點(diǎn)中的相關(guān)參數(shù)。不知到三星和臺(tái)積電看到這樣的對(duì)比圖表,會(huì)有何感想和如何解釋。

“從14nm之后,基本上各說(shuō)各的。主要分兩派:一派是臺(tái)積電和三星的代工陣容,二是英特爾的CPU,因?yàn)榇鎯?chǔ)器早己離開(kāi)定律的縮小規(guī)則。顯然各取所需,把自己打扮成先進(jìn)。臺(tái)積電,三星是打先鋒,而英特爾則不同,英特爾是IDM,對(duì)于尺寸有內(nèi)在的需求,每個(gè)硅片可以多出芯片。衡量先進(jìn)性,可以從每年的研發(fā)投入上得出作為一個(gè)參考依據(jù)。”莫大康認(rèn)為。

擴(kuò)大代工業(yè)務(wù) 與ARM合作強(qiáng)化物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力

目前,全球代工市場(chǎng)容量達(dá)530億美元。其中,尖端的代工市場(chǎng)為230億美元,滯后節(jié)點(diǎn)(指28nm之上)的市場(chǎng)容量達(dá)300億美元。這300億美元的市場(chǎng)中,也包括正在蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)。當(dāng)年,英特爾錯(cuò)過(guò)了手機(jī)這個(gè)重要的移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代,在這次物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)的新一輪機(jī)遇下,英特爾不愿再錯(cuò)過(guò)這一重要機(jī)遇。

英特爾擴(kuò)大了代工業(yè)務(wù),憑借22納米、14納米、10納米、22FFL技術(shù),以及設(shè)計(jì)套件、IP、封裝和測(cè)試能力,來(lái)鎖定網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、移動(dòng)和互聯(lián)設(shè)備兩大領(lǐng)域。

英特爾在本次活動(dòng)上揭曉10納米FPGA產(chǎn)品計(jì)劃,以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)和網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中日益增長(zhǎng)的帶寬需求。

 

與此同時(shí),22FFL技術(shù)是重點(diǎn)針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)移動(dòng)互聯(lián)產(chǎn)品的制程技術(shù)。22FFL是英特爾面向低功耗物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品的 FinFET 技術(shù), 為低功耗物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品提供卓越的性能、能效、密度和易于設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì),其中實(shí)現(xiàn)漏電率降低達(dá)100倍,活躍功率增加達(dá)2.5倍,晶片面積縮小達(dá)20%。

為強(qiáng)化在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,英特爾與ARM進(jìn)行合作,加速基于英特爾10納米制程的Arm系統(tǒng)芯片開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。活動(dòng)當(dāng)天,首次展示了Arm Cortex-A75 CPU內(nèi)核的10納米測(cè)試芯片晶圓。 這款芯片將ARM的 Cortex A75放到英特爾標(biāo)準(zhǔn)的晶圓代工的流程中,IP由ARM提供,芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)流程,可實(shí)現(xiàn)超過(guò)3GHz的性能。[!--empirenews.page--]

 

“我們用標(biāo)準(zhǔn)的英特爾10納米晶圓代工來(lái)生產(chǎn),任何一家物聯(lián)網(wǎng)企業(yè)的要求都可以滿(mǎn)足。IP有了,設(shè)計(jì)工具有了,技術(shù)有了,生產(chǎn)就緒,今年會(huì)投產(chǎn)”。“”英特爾公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁Zane Ball表示,“我們將把基于ARM的10納米解決方案將帶入中國(guó),并將這個(gè)方案作為未來(lái)在中國(guó)更上一層樓的窗口和平臺(tái)。” Zane Ball強(qiáng)調(diào)。

據(jù)悉,英特爾已與國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)展訊進(jìn)行合作,展訊今年新推出的兩款14納米芯片 SC9861G-IA 和 SC9853I均使用英特爾的 14 nm低功耗平臺(tái)制造而成。對(duì)于建立合作的其他芯片設(shè)計(jì)公司,英特爾并未透露太多信息。

物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的一大特點(diǎn)是多樣化的需求,技術(shù)不再是最核心的要素,應(yīng)用體驗(yàn)和服務(wù)成為重點(diǎn)。 針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的特點(diǎn),英特爾也表示會(huì)提供整體系統(tǒng)化的解決方案,包括恰當(dāng)?shù)募夹g(shù)以及一整套的知識(shí)產(chǎn)權(quán),為客戶(hù)搭建IOT或者物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。

在物聯(lián)網(wǎng)的熱點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域中,英特爾關(guān)注的重點(diǎn)之一是自動(dòng)駕駛。 Stacy Smith告訴記者:“在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域,我們的投資并不僅僅集中于數(shù)據(jù),也關(guān)注更好地對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和處理,并且提供一個(gè)更加完整的集成性的解決方案。”

“物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)前景好,鑒于錯(cuò)失移動(dòng)市場(chǎng)的經(jīng)驗(yàn),英特爾此次不會(huì)放棄,會(huì)去跟蹤。不過(guò),鑒于英特爾在服務(wù)器和電腦領(lǐng)域60%以上的毛利率,而物聯(lián)網(wǎng)是碎片化的市場(chǎng),再加上物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的低毛利率,英特爾是否會(huì)大干,還不好判斷。 除非英特爾的物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)能再次壟斷,助長(zhǎng)其有大的擴(kuò)張。“莫大康指出。

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