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[導(dǎo)讀]存儲(chǔ)器廠旺宏將于周四(24日)召開法說(shuō),公布第3季財(cái)報(bào),市場(chǎng)除關(guān)注第4季及明年?duì)I運(yùn)展望,由于第3季大客戶拉貨動(dòng)能強(qiáng)勁,旺宏庫(kù)存去化程度、毛利率表現(xiàn)將受矚,NAND與NOR Flash需求表現(xiàn)、及19納米SLC NAND出貨情況也將成為焦點(diǎn)。

非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器大廠旺宏董事長(zhǎng)表示,近期NOR Flash價(jià)格持穩(wěn),看好5G基地臺(tái)及終端設(shè)備將會(huì)采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場(chǎng)開始擴(kuò)大出貨,19納米制程月投片量已超過(guò)1萬(wàn)片,其中19納米4Gb SLC NAND已大量出貨給美國(guó)客戶,第四季在訂單陸續(xù)到位下將擴(kuò)大出貨量。

存儲(chǔ)器廠旺宏將于周四(24日)召開法說(shuō),公布第3季財(cái)報(bào),市場(chǎng)除關(guān)注第4季及明年?duì)I運(yùn)展望,由于第3季大客戶拉貨動(dòng)能強(qiáng)勁,旺宏庫(kù)存去化程度、毛利率表現(xiàn)將受矚,NAND與NOR Flash需求表現(xiàn)、及19納米SLC NAND出貨情況也將成為焦點(diǎn)。

旺宏第3季適逢傳統(tǒng)營(yíng)運(yùn)旺季,由于大客戶推出新機(jī)種,隨著市場(chǎng)需求提升,帶動(dòng)ROM拉貨動(dòng)能優(yōu)于預(yù)期,且各產(chǎn)品線動(dòng)能均相當(dāng)強(qiáng)勁,第3季營(yíng)收季增幅更達(dá)近6成,并成功創(chuàng)高。

旺宏第2季存貨金額188.67億元,較第1季的184.75億元(新臺(tái)幣,下同)小幅成長(zhǎng),其中,F(xiàn)lash存貨占比約4成、ROM則是6成。不過(guò),由于下半年為ROM出貨旺季,雖然第2季存貨金額相對(duì)高檔,但在旺季效應(yīng)帶動(dòng)下,庫(kù)存可望快速去化。美系外資也看好,受惠庫(kù)存明顯去化,旺宏下半年存貨損失將較上半年大幅減少,毛利率表現(xiàn)可期。

除ROM拉貨動(dòng)能強(qiáng)勁外,旺宏采用19納米的SLC NAND Flash,已于本季正式量產(chǎn)出貨,第一批產(chǎn)品供應(yīng)美國(guó)機(jī)上盒大客戶,后市出貨可期,法人看好,在SLC NAND成功出貨帶動(dòng)下,將為第4季營(yíng)運(yùn)再增添想像空間。

旺宏9月合并營(yíng)收50.8億元,受惠ROM拉貨動(dòng)能升溫,營(yíng)收月增34%,年增35.51%,創(chuàng)單月營(yíng)收新高;旺季效應(yīng)帶動(dòng),第3季合并營(yíng)收119.06億元,季增59.19%,年增18.7%,改寫單季營(yíng)收新猷;前9個(gè)月累計(jì)營(yíng)收254.15億元,年減9.14%。

NOR Flash也由75納米微縮至55納米后,每片晶圓切割出的同容量芯片可增加50%,并會(huì)增加高容量NOR Flash產(chǎn)能。旺宏投入許多資源開發(fā)的192層3D NAND,預(yù)計(jì)2021年開始生產(chǎn)TLC規(guī)格芯片。

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