7月16日，浙江嘉善舉行了IGBT功率半導體項目及IGBT技術研發(fā)中心簽約儀式。

IGBT功率半導體項目注冊資金2.5億美元，總投資7.5億美元，主要從事高端絕緣柵雙極型晶體管的自主研發(fā)和制造，一期達產(chǎn)后預計年產(chǎn)值將超過20億元。同時，項目還將在縣開發(fā)區(qū)設立IGBT技術研發(fā)中心。

IGBT功率半導體項目的主要投資方為賽晶電力電子集團。據(jù)官網(wǎng)介紹，賽晶電力電子集團是電力電子器件供應商和系統(tǒng)集成商。賽晶的陽極飽和電抗器、電力電容器、IGBT功率模塊產(chǎn)品包(IGBT、數(shù)字式IGBT驅(qū)動器、層疊母排)、電網(wǎng)狀態(tài)監(jiān)測產(chǎn)品，具備國際領先的技術水平和實用業(yè)績。