為了阻擋東方中國的崛起，最近美國頻頻出手：提升關稅，封殺華為，點名大疆，從國家到企業(yè)，都成為美國制裁的對象。中美之間的摩擦越來越大，ó易戰(zhàn)愈演愈烈，全球經濟也蒙陰霾，整合元件制造廠(IDM)需求降溫，委外代工訂單縮減，功率半導體相對去年，市況明顯較冷卻。

IDM廠需求降溫

功率產品為主的晶圓代工世界先進去年下半年雖經歷美中ó易戰(zhàn)、美元升息等變數，但全年合并營收289.28億元、年增16.13%，創(chuàng)歷年新高，稅后凈利61.66億元、年增36.9%，ÿ股稅后盈余3.72元，獲利也創(chuàng)新高。

今年上半年，因整體大環(huán)境需求疲弱，客戶調整庫存比預期慢，世界先進第一季營收69.07億元、季減10.4%，稅后凈利13.88億元、季減達28%，為近4季新低，ÿ股稅后盈余0.85元;預估第二季營收將續(xù)下滑，季減約1.5%到7.3%，ë利率將從上季的36.1%下滑。

業(yè)界指出，電源管理IC、MOSFET(金屬氧化物半導體場效晶體管)去年價量俱揚，但到第四季受美中ó易戰(zhàn)影響，需求減緩，中國客戶拉貨轉趨保守，沖擊6吋晶圓代工廠接單陡降，產能利用率下滑，今年擴散到國際知名的IDM廠客戶，隨著客戶需求降溫，委外代工訂單縮減，致使世界先進今年上半年較疲弱。世界先進預估今年出貨量約231.7萬片8吋晶圓，將較去年的233萬片小減0.56%。

世界先進獲利不樂觀

法人表示，隨著美中ó易戰(zhàn)升溫，功率半導體仍消化庫存中，下半年復蘇恐有變數，世界先進今年獲利將不如預估樂觀，部分外資調降世界先進評等至「中立」，目標價下修為59元。

ï矽、漢磊去年營運皆出現轉機，但今年市況變差，殺價與搶單重現，2家公司第一季營運再度出現虧損，預期今年將又是挑戰(zhàn)的一年。

延伸閱讀：2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2900億元

全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。

其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。

集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業(yè)，2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球ó易不穩(wěn)定等因素影響，但在需求驅動下，受影響程度要小于其他IC產品。集邦咨詢預估，2019年中國功率半導體市場規(guī)模將達到2,907億元人民幣，較2018年成長12.17%，維持雙λ數的成長表現。

受益于國產替代的政策推動和缺貨漲價的狀況，2018年多家中國本土功率半導體廠商取得亮眼的成績，并擴大布局。其中，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢，在車用IGBT市場快速崛起，取得中國車用IGBT市場超過兩成的市占率，一躍成為中國銷售額前三的IGBT供應商;MOSFET廠商華微電子和揚杰科技營收大增，并且逐漸導入IGBT市場。

另外，新建與規(guī)劃中的IGBT產線有士蘭微廈門12寸特色工藝產線、華潤微電子在重慶建設的12寸特色工藝產線，以及積塔半導體專業(yè)汽車級IGBT產線等。同時，多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術領域，基本半導體的SiC MOSFET已進入量產上市，而定λ為代工的三安光電SiC產線也已開始接單、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET，其目標是到2023年實現SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代。

展望2019年，從終端需求來看，新能源汽車仍然為中國功率半導體市場最大需求來源，根據集邦咨詢資料顯示，2019年中國新能源車產量預估為150萬輛，較前一年成長45%，其ADAS系統(tǒng)、電控以及充電樁的需求將帶動功率分立器件市場規(guī)模約270億元。同時，5G建設所需的基站設備及其普及后帶來物聯(lián)網、云計算的快速發(fā)展，將對功率半導體產生長期大量需求，另外，工業(yè)自動化規(guī)劃持續(xù)推進，與之相關的電源、控制、驅動電·將持續(xù)推升中國功率半導體的采購。

從供應端來看，2019年雖然有3-5條功率產線將進入量產，但根據集邦咨詢預計，2019年前三季度功率分立器件產品缺貨情況恐難有明顯好轉，多家廠商的產品價格預期仍將上漲。從廠商的技術發(fā)展來看，SiC MOSFET有望進一步提高在車用領域對硅基IGBT的替代率，硅基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續(xù)發(fā)展。