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[導(dǎo)讀]May 20, 2019 ---- 不論是DRAM或NAND Flash,現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限,這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不改變現(xiàn)有平臺(tái)架構(gòu)的前提下找到新的解決方案,Intel Optane等次世代存儲(chǔ)器近年來廣受討論。

May 20, 2019 ---- 不論是DRAM或NAND Flash,現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限,這意ζ著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不改變現(xiàn)有平臺(tái)架構(gòu)的前提下找到新的解決方案,Intel Optane等次世代存儲(chǔ)器近年來廣受討論。

專家認(rèn)為,次世代存儲(chǔ)器與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)劣,最關(guān)鍵的機(jī)會(huì)點(diǎn)仍是在于價(jià)格。專家還表示,目前包含Intel、三星與美光等存儲(chǔ)器廠商皆已投入次世代存儲(chǔ)器解決方案,如MRAM、PRAM和RRAM等。

以Intel為例,Optane是以3DxPoint為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)的服務(wù)器類產(chǎn)品,由于現(xiàn)在已經(jīng)推出與市面上服務(wù)器模組能夠完全兼容的DIMM。對(duì)主機(jī)板設(shè)計(jì)廠而言,同樣的插槽可以依據(jù)整機(jī)成本的考量,自由更換服務(wù)器存儲(chǔ)器模組或Optane解決方案。

然而,由于次世代存儲(chǔ)器尚δ規(guī)?;c標(biāo)準(zhǔn)化,因此成本較高,所以廠商目前幾乎都鎖定在資料中心等特殊應(yīng)用,尤其是超大規(guī)模資料中心擁有相對(duì)高程度的客制化設(shè)計(jì),可以針對(duì)不同存儲(chǔ)器規(guī)劃新的配置。

近年來由于智能終端裝置的普及加上人工智能技術(shù)逐漸成熟,使得大部分應(yīng)用服務(wù)皆借由服務(wù)器來進(jìn)行整合,尤其是需要倚賴龐大數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算與訓(xùn)練的應(yīng)用服務(wù)。此外,伴隨著虛擬化平臺(tái)及云儲(chǔ)存技術(shù)的發(fā)展,服務(wù)器需求與日俱增,同時(shí)也帶動(dòng)超大規(guī)模資料中心(hyperscale datacenter)的成長。

根據(jù)集邦咨詢調(diào)查顯示,全球超大規(guī)模資料中心的建置數(shù)量將于2025年預(yù)計(jì)達(dá)1,070座,2016年至2025年CAGR達(dá)13.7%。

現(xiàn)有存儲(chǔ)器價(jià)格有望在2020年止跌反彈,成為次世代存儲(chǔ)器切入機(jī)會(huì)點(diǎn)

從市場面來看,DRAM與NAND目前皆處于供過于求的狀態(tài),使得現(xiàn)有存儲(chǔ)器解決方案價(jià)格仍維持在低點(diǎn)。以DRAM來說,價(jià)格持續(xù)下跌基本上是受到服務(wù)器與智能手機(jī)需求下滑的影響,從而導(dǎo)致消耗量急凍與庫存攀高;而NAND則是因?yàn)楦偁幷弑姸?,而陷入市占爭奪的狀態(tài),且由2D NAND轉(zhuǎn)向不同程度的3D NAND造成供給λ元大幅度增長。綜合以上所述,2019年的DRAM與NAND價(jià)格同時(shí)快速滑落,而且NAND的價(jià)格正逐漸逼近廠商的現(xiàn)金成本。

現(xiàn)有存儲(chǔ)器解決方案價(jià)格越來越便宜,對(duì)次世代存儲(chǔ)器來說并非最好的切入點(diǎn),但展望δ來,需求½續(xù)回溫與價(jià)格彈性所帶動(dòng)的庫存回補(bǔ)動(dòng)能,可望帶動(dòng)2020年的存儲(chǔ)器價(jià)格止跌反彈,讓次世代解決方案有機(jī)會(huì)打入市場。

專家認(rèn)為,市場在δ來的幾年間,將會(huì)在特殊領(lǐng)域當(dāng)中逐漸增加次世代存儲(chǔ)器的考量與運(yùn)用,成為現(xiàn)有解決方案的另一個(gè)新選項(xiàng)。

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