相變存儲器(phase-change memory，PCM) 已經(jīng)悄悄現(xiàn)身在手機產(chǎn)品中?根據(jù)工程顧問機構 UBM TechInsights 的一份拆解分析報告，發(fā)現(xiàn)在某款神秘手機中，有一顆由三星電子(Samsung Electronics)出品的多芯片封裝(multi-chip package，MCP)存儲器，內含與NOR快閃存儲器兼容的相變存儲器芯片。

TechInsights拆解的手機產(chǎn)品，基于客戶機密不透露型號與廠牌;該機構表示，要等到與客戶之間的工作告一段落，才能公布該手機到底是哪一款。三星曾于4月時透露，該公司將在第二季出貨一款內含512Mbit相變化存儲器芯片的 MCP ;當時三星并未透露該產(chǎn)品將采用哪種制程技術，僅表示該產(chǎn)品“相當于40奈米NOR快閃存儲器。”

業(yè)界認為三星將采用65納米至60納米制程生產(chǎn)上述存儲器;而拆解分析報告以顯微鏡所量測出的半間距(half-pitch)存儲器長度(如下圖)，是每微米(micron) 8個記憶單元(cell)，就證實了以上的猜測。

三星512Mbit相變化RAM的橫切面

現(xiàn)在已經(jīng)被美光(Mciron)合并的恒憶(Numonyx)，在2008年發(fā)表了一款90納米制程128Mbit相變存儲器，并在2010年4月以 Omneo系列串列/并列存取存儲器問世;但是到目前為止，該公司都未透露任何有關該產(chǎn)品的設計案或是量產(chǎn)計劃。此外恒憶也開發(fā)了一款45納米制程的 1Gbit相變化存儲器，但這款原本預期今年上市的產(chǎn)品，迄今也未有后續(xù)消息。

UBM TechInsights已經(jīng)確認，三星的512Mbit相變化RAM (PRAM)芯片，商標號碼為KPS1N15EZA，與一顆128Mbit UtRAM芯片以MCP形式封裝在一起，并應用于手機產(chǎn)品中。該款三星的PRAM芯片由4層鋁互連層與存儲器元素所組成，頂部與底部的電極 (electrode contacts)是裝置在鋁金屬與硅基板之間。

內含PCM的MCP存儲器外觀

“最近業(yè)界對相變化存儲器技術的微縮極限有爭議，再加上恒憶的產(chǎn)品延遲量產(chǎn)，讓人質疑PRAM是否真能接班成為新一代存儲器;”UBM TechInsights 資深顧問Young Choi表示：“對相變化存儲器已經(jīng)應用在手機的發(fā)現(xiàn)，清楚表明了產(chǎn)品設計工程師已經(jīng)開始使用這種具潛力的技術。”

包含相變化存儲器MCP的手機主機板拆解圖