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[導(dǎo)讀]采用一種簡單可行的方法,在TI公司TMS320C6X DSP集成開發(fā)環(huán)境CCS2.0下,通過JTAG口實(shí)現(xiàn)對(duì)DSP外部Flash可擦寫存儲(chǔ)器的在線編程。

 摘要:采用一種簡單可行的方法,在TI公司TMS320C6X DSP集成開發(fā)環(huán)境CCS2.0下,通過JTAG口實(shí)現(xiàn)對(duì)DSP外部Flash可擦寫存儲(chǔ)器的在線編程;將用戶數(shù)據(jù)文件燒寫到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711 DSP板上多次測試通過。

    關(guān)鍵詞:嵌入式系統(tǒng) DSP Flash JTAG 在線編程 CCS2.0

引言

在采用TI數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成,軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件(.Out),經(jīng)過轉(zhuǎn)換后的十六進(jìn)制文件(.Hex)寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲(chǔ)器中,讓系統(tǒng)脫機(jī)運(yùn)行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問題。

從JTAG接口對(duì)DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例,介紹“在線仿真狀態(tài)下”對(duì)Flash的編程。

1 Flash存儲(chǔ)器的擦除

Flash編程之前,應(yīng)對(duì)Flash進(jìn)行擦除,使其每個(gè)數(shù)據(jù)位都恢復(fù)為1狀態(tài),即全FF狀態(tài)。對(duì)Flash的擦除操作需要6個(gè)總線周期,總線時(shí)序如圖1。

    從圖1可知,各總線周期的操作為:

第一總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;

第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;

第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)80H;

第四總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH;

第五總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;

第六總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)10H。

完成上述操作后,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器被完全擦除,內(nèi)部數(shù)據(jù)恢復(fù)為初始狀態(tài),全為FFH。

在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

void erase_flash()

{

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;

}

在TMS320C6711系統(tǒng)中,F(xiàn)lash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:

#define FLASH_ADR1 0x90005555

#define FLASH_ADR2 0x90002AAA

需要說明的是,在對(duì)Flash進(jìn)行擦除時(shí),應(yīng)對(duì)DSP及EMIF外存儲(chǔ)器接口進(jìn)行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。

初始化函數(shù)如下:

void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/

CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/

IER=1; /*禁止除NMI外的所有中斷*/

ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/

*(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;

*(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;

*(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;

}

2 Flash存儲(chǔ)器的編程

對(duì)Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行字節(jié)編程之前,需要對(duì)它進(jìn)行3個(gè)周期的編程指令操作,總線時(shí)序如圖2。

從圖2可知,各總線周期的操作如下:

第一總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH;

第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;

第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)A0H;

第四總線周期——向地址的存儲(chǔ)單元寫入編程數(shù)據(jù);

……

在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

/*---------------------------------------------------------------------*/

/*入口參數(shù):pattern[]:數(shù)組,用于存儲(chǔ)編程數(shù)據(jù)*/

*/ start_address:所要編程的起始地址指針*/

/* page_size:所要編程的Flash的頁面尺寸*/

/*出口參數(shù):無*/

/*---------------------------------------------------------------------*/

void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_size){

volatile int i;

unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;

*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;

*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;

*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;

for(i=0;i<page_size;i++)

*flash_ptr++=pattern[i];

}

其中,F(xiàn)LASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下:

#define FLASH_KEY1 0xAA

#define FLASH_KEY2 0x55

#define FLASH_KEY3 0xA0

3 校驗(yàn)和的計(jì)算與編程原理

(1)校驗(yàn)和的計(jì)算

在程序中,應(yīng)對(duì)Flash編程的正確性進(jìn)行自動(dòng)檢查,把編程前數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和編程后Flash中讀出數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和進(jìn)行比較:如果相同,則編程成功;如果不相同,則編程失敗。需要注意的是,在對(duì)Flash進(jìn)行編程的過程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數(shù)據(jù),這樣會(huì)導(dǎo)致一會(huì)地址編程的失敗。

其C語言程序如下:

/*----------------------------------------------------------------------*/

/*入口參數(shù):start_address:所要校驗(yàn)的起始地址*/

/* size_in_byte:所要校驗(yàn)的Flash數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)*/

/*出口參數(shù):lchecksum:校驗(yàn)和 */

/*----------------------------------------------------------------------*/

int flash_checksum(int start_address,int size_in_byte){

int i;

int lchecksum;

unsigned volatile char*flash_ptr=(unsigned volatile char*)

start_address;

int temp;

i=0;

lchecksum=0;

while(i<size_in_byte-4){

temp=*flash_ptr++;

temp&=0xff;

lchecksum=lchecksum+temp;

i++;

}

return lchecksum;

}

(2)編程原理

基本原理是:在仿真狀態(tài)下,在PC機(jī)上運(yùn)行DSP編程軟件,由運(yùn)行的DSP通過JTAG口從PC機(jī)上讀入待編程的十六進(jìn)制數(shù)據(jù)文件,由DSP將其寫入到其外部Flash中,即完成用戶數(shù)據(jù)文件的燒寫工作。

4 編程數(shù)據(jù)的讀入及編程

編程時(shí),由DSP程序從終端仿真計(jì)算機(jī)上打開要編程的十六進(jìn)制文件,從十六進(jìn)制文件中依次讀入編程數(shù)據(jù),并由DSP將其寫入到其外部Flash中,程序段如下:

while(data_flag=0){

display_count++;

if(display_count==DISPLAY_SIZE){

display_count=0;

/*printf(".");*/

}

for(i=0;i<FLASH_WRITE_SIZE;i++){

j=fscanf(hex_fp,“%x”,&data);/*從文件中讀入編程數(shù)據(jù),每次取一個(gè)字節(jié)*/

if(j==EOF||j==0){

data_flag=1;

break;

}

host_buffer[i]=data;

checksum+=data;

flash_addr+=1;

if(falsh_addr>0x90020001){

printf("ERROR:beyond valid flash address!");

}

}

//寫入Flash

ptr=(unsigned volatile char *)(flash_addr-0x80);

if(data_flasg==0){

length=FLASH_WRITE_SIXZE;

flash_page_prog(host_buffer,ptr,length);

printf("Programming address:%x",flash_addr-0x80);

}

}

注意:所采用的十六進(jìn)制文件應(yīng)使用“Hex6x.exe”命令,并在hex.cmd命令文件中使用“-a”參數(shù)生成的文件;指定的存儲(chǔ)器長度必須能被128整數(shù)(len參數(shù)能被128整除)。因?yàn)锳T29LV010A以扇區(qū)為操作單位,每個(gè)扇區(qū)為128字節(jié),共1024個(gè)扇區(qū),其格式如下:

-map hex.map

-a

-image

-zero

-memwidth 8

ROMS

{

FLASH:org=0x90000000,len=0x20000,romwidth=8,files={test.hex}

}

5 仿真運(yùn)行

將上述程序組成一個(gè)完整的程序,經(jīng)過編譯、鏈接(Project/Build命令)后,使用“File/Load Program...”將編程代碼Load到DSP中,運(yùn)行程序,經(jīng)過幾分種后即編程完畢。

結(jié)語

對(duì)DSP外部Flash編程雖不是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),但它在整個(gè)DSP嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中卻有著至關(guān)重要的作用。如果開發(fā)者在設(shè)計(jì)之初就掌握了這項(xiàng)技術(shù),就會(huì)大大方便系統(tǒng)的調(diào)試,縮短開發(fā)時(shí)間。

由于篇幅所限,本文僅給出部分核心程序代碼,讀者可利用上述代碼編寫一個(gè)完整的程序。

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