用串聯(lián)N溝道J -F-ET和PNP晶體管,可以得到電源電
壓利用率高的電路。柵極電阻Ri,Ri決定了直德工作點,
并使Tr2的集電極電壓為V oc/2,5fTr1的開路放大倍數(shù)約為
.5倍。由于,r王的射般電阻為100 0,集電掇負載為lkQ,所
以其開路放大倍數(shù)約為10倍,總放大倍數(shù)為50倍(34dB),
由于負反饋也為34dB,因此,可以得劐信號失真小,頻帶
硫等特性§
用串聯(lián)N溝道J -F-ET和PNP晶體管,可以得到電源電
壓利用率高的電路。柵極電阻Ri,Ri決定了直德工作點,
并使Tr2的集電極電壓為V oc/2,5fTr1的開路放大倍數(shù)約為
.5倍。由于,r王的射般電阻為100 0,集電掇負載為lkQ,所
以其開路放大倍數(shù)約為10倍,總放大倍數(shù)為50倍(34dB),
由于負反饋也為34dB,因此,可以得劐信號失真小,頻帶
硫等特性§
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