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IS<strong>FET</strong><strong>測量電路</strong>.gif

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由于具有更好的品質(zhì)因數(shù),氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體提供比硅更高的功率密度,占用的芯片面積更小,因此需要更小尺寸的封裝。假設(shè)器件占用的面積是決定熱性能的主要因素,那么可以合理地假設(shè)較小的功率器件會(huì)導(dǎo)致較高的熱阻。3,4本文將展示...

關(guān)鍵字: GaN FET 熱管理

柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關(guān)閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導(dǎo)通期間,柵極控制的主要任務(wù)是對 EN 進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換,以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)...

關(guān)鍵字: FET 負(fù)載開關(guān)

高端負(fù)載開關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設(shè)計(jì)師的熱門選擇,適用于電池供電的便攜式設(shè)備,例如功能豐富的手機(jī)、移動(dòng)GPS設(shè)備和消費(fèi)娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學(xué)的方法來解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)的各個(gè)方面...

關(guān)鍵字: FET 負(fù)載開關(guān)

我們研究了如何在最終應(yīng)用未知時(shí)為 FET 建議適當(dāng)?shù)慕徊鎱⒖?。在本博客和本系列即將發(fā)布的文章中,我們將開始研究針對特定最終應(yīng)用需要考慮哪些具體考慮因素,從最終應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 FET 開始。 電機(jī)控制是 30V...

關(guān)鍵字: 電機(jī)控制 FET

關(guān)于 FET 數(shù)據(jù)表的問題,尤其是熱信息表中的那些參數(shù),大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天,我想解決數(shù)據(jù)表中結(jié)到環(huán)境熱阻抗和結(jié)到外殼熱阻抗的參數(shù),這似乎是造成很多混亂的原因。 首先,讓我們準(zhǔn)確定義這些參數(shù)的...

關(guān)鍵字: FET 熱阻抗

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級產(chǎn)品LTC7050的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

關(guān)鍵字: 智能功率級 LTC7050 FET

上海2022年4月14日 /美通社/ -- 世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進(jìn)FinFET(先進(jìn)鰭式場效電晶體)的技術(shù)組合并且成功完成在臺(tái)積電7/6/5納米的流片。除了先進(jìn)FinFET的技術(shù)組合,世芯的ASIC整體設(shè)計(jì)解決方案更...

關(guān)鍵字: FET 電子

(全球TMT2022年4月14日訊)世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進(jìn)FinFET(先進(jìn)鰭式場效電晶體)的技術(shù)組合并且成功完成在臺(tái)積電7/6/5納米的流片。除了先進(jìn)FinFET的技術(shù)組合,世芯的ASIC整體設(shè)計(jì)解決方案更是涵蓋...

關(guān)鍵字: FET 電子

(全球TMT2022年3月9日訊)面向當(dāng)今片上系統(tǒng)(SoC)行業(yè)的Total IPTM解決方案提供商Arasan Chip Systems宣布,立即為GlobalFoundries 12nm FinFET制造節(jié)點(diǎn)提供其...

關(guān)鍵字: FET 節(jié)點(diǎn) MIPI

作為一名電力電子工程師,有句話說得好,沒有從電力設(shè)備爆炸中吸取的教訓(xùn),就沒有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 調(diào)試開關(guān)模式電源的經(jīng)驗(yàn)中,這似乎是正確的。通過反復(fù)試驗(yàn)和對設(shè)備故障的研究,我們可以學(xué)習(xí)如何設(shè)計(jì)可靠工作的轉(zhuǎn)...

關(guān)鍵字: 氮化鎵(GaN) FET

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