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[導(dǎo)讀]升壓電源常用于將低壓輸入轉(zhuǎn)換成較高電壓。不過,隨著這些電源的功率需求不斷增加,單個功率級可能變得缺乏吸引力。本文將介紹一種交錯式升壓技術(shù),無論從分析還是從實際應(yīng)

升壓電源常用于將低壓輸入轉(zhuǎn)換成較高電壓。不過,隨著這些電源的功率需求不斷增加,單個功率級可能變得缺乏吸引力。本文將介紹一種交錯式升壓技術(shù),無論從分析還是從實際應(yīng)用經(jīng)驗上來說,該技術(shù)在效率、尺寸及成本方面均優(yōu)于單升壓轉(zhuǎn)換器(single-boost converter)。本文對250W單相電源與交錯式升壓電源的測試結(jié)果進(jìn)行了對比。盡管復(fù)雜性有所增加,不過交錯式升壓卻表現(xiàn)出具有卓越的性能。

前言

本文將以輸入電壓為12 V、輸出為7 A、37 V的噴墨打印機(jī)電磁線圈驅(qū)動器為例介紹電源結(jié)構(gòu)的選擇。該電源的輸入電流超過20 A.最初我們并不清楚單相功率級合理,還是多相功率級合理。與采用降壓穩(wěn)壓器一樣,我們可以獲得足夠高的電流,從而采用雙功率級來降低應(yīng)力并進(jìn)行散熱。在此情況下,我們考慮采用了單相與雙相升壓結(jié)構(gòu)(two-phase boost topology)。

表1說明了相應(yīng)的電源需求。這個電源必須能夠承受電磁線圈啟動和關(guān)閉時出現(xiàn)的大電流突波,并將所需輸出電壓保持在可以接受的范圍內(nèi)。另外,轉(zhuǎn)換效率對于最小化功率耗損和維持正常溫升同樣至關(guān)重要。37V和

7A代表超過250W的負(fù)載功率。就算轉(zhuǎn)換效率達(dá)到91%,電源仍然會浪費25W的功率,因此需要安裝多個散熱片。此外,盡管本文并未特別說明,但是電源的大小與成本也相當(dāng)重要。



圖1顯示了兩種電源的對比。上面的電源是采用單輸入電感的單相設(shè)計,而下面的電路是雙相設(shè)計。單相設(shè)計(上面部分)需要的PWB面積大約為18平方英寸,而交錯式設(shè)計(下面部分)需要14平方英寸。兩種方案之間最大的面積差異在于電感、輸出電容和散熱片。交錯式電感的最大高度低于單相設(shè)計的最大高度。

單相與雙相對比


圖2顯示了單相升壓轉(zhuǎn)換器和交錯式升壓轉(zhuǎn)換器的示意圖。在單相設(shè)計中,閘極電壓會施加在FET Q1,以下拉漏極至接地電位。這樣可以在電感L1上施加輸入電壓,使電流上升。其間,輸出電容C2必須單獨提供負(fù)載所需電流。在Q1停止導(dǎo)通時,L1為了維持電流,其兩端的電壓極性會立刻反轉(zhuǎn)。使得切換點的電壓高于輸入電壓,此時二極管D1進(jìn)入正向偏置狀態(tài),為輸出電容C2充電并提供輸出負(fù)載電流。電感的伏特-微秒乘積在這兩種開關(guān)狀態(tài)下必須保持平衡,即d / fs×Vin = (1 - d) / fs×(Vout - Vin),得出關(guān)系式Vout = Vin / (1-d)。該公式只適用于連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM),該模式的定義為電感電流始終保持正極。


圖2所示的交錯式升壓電路中,每個相的工作方式都與上述單相升壓相似。兩個功率級會以反相180.的方式運行,使得輸入和輸出電容的紋波電流互相抵消。交錯式升壓設(shè)計會強(qiáng)迫兩個功率級共同提供輸出電流,使得電源輸出由它們平均分擔(dān);如果工程師不采用這種設(shè)計,其中一個功率級的電流輸出就會遠(yuǎn)大于另一個功率級,使得原有的紋波消除優(yōu)點化為烏有。

設(shè)計分析

圖3說明了交錯式技術(shù)提供的輸入電容紋波電流消除優(yōu)勢。可以看出,兩個以180.相位差工作的功率級可以消除一半峰/峰紋波電流。由于交錯式升壓設(shè)計的組合輸入紋波電流等于單相輸入紋波電流,因此雙相設(shè)計的單相紋波電流可以達(dá)到單相設(shè)計的兩倍。單獨交錯式功率級以與單相設(shè)計相同的頻率工作,即100KHz.但是,由于紋波消除作用,它的有效輸入與輸出紋波變?yōu)?00KHz.因此在計算交錯式設(shè)計的電感時,適用的頻率雖和單相設(shè)計完全相同,但能允許的紋波電流卻會增加一倍,使得設(shè)計所需的電感值得以減少一半。值得注意的是:在雙相設(shè)計中,輸入電容的有效紋波電流與單相設(shè)計相同,因此這兩種設(shè)計會采用相同數(shù)量的輸入電容。紋波消除作用能夠使工程師有選擇性地減少組件,從而使設(shè)計受益。另外,如果采用的兩個電感與單相設(shè)計采用的電感值相同,輸入電容需求可以降低50%。在升壓設(shè)計中,電感需求一般比輸入電容需求更重要。


就像輸入電容一樣,交錯式設(shè)計的輸入電容也能享受同樣的好處。圖4說明的是單相設(shè)計的輸出電容紋波電流。圖3中電流波形的均方值約為Ipp×√(d×(1-d)),在本設(shè)計中等于10Arm.電感的斜率可以從波形頂部看出,但是它并不顯著增加總的RMS電流。在FET導(dǎo)通時,該電容提供所有的輸出電流。不過,當(dāng)FET截止時,會有相當(dāng)于Iout×d/(1-d)或+14A的電流流入電容,并對它重新充電。在采用鋁電解輸出電容的情況下,電容紋波電流額定值決定所需要的電容數(shù)量。


圖5是交錯式升壓設(shè)計中,個別輸出電容的電流值及它們的總和。在不考慮電感斜率的情況下,相位A與相位B的峰/峰電流幅值是單相設(shè)計的一半。這是因為流入輸出電容的電流的占空比是單相設(shè)計的兩倍。在圖5中,綜合電流或總電流的均方根值是5Arm,因此設(shè)計只需采用一半輸出電容,即可讓紋波電壓達(dá)到與單相設(shè)計相同的紋波電壓。


圖6是不同占空比下的紋波電流消除。垂直線表示工作占空比,從中可以看出在此占空比下,交錯式升壓設(shè)計的RMS電流等于單相位設(shè)計的一半。值得注意的是,50%的占空比可以提供完全消除的效果。


圖7與圖8說明單相與交錯式升壓轉(zhuǎn)換器的完整設(shè)計。在單相設(shè)計中,在電壓模式下工作的UCC38C43驅(qū)動一對MOSFET.由于在升壓轉(zhuǎn)換器短路情況下無法限制輸出電流,因此采用了帶有過電流保護(hù)電路的TPS2490熱插拔器件。在測試過程中發(fā)現(xiàn),在過電流故障情況下它可以提供一種“中止”電流流動的方法。





圖8說明采用UCC38220控制器的交錯式設(shè)計。利用Q5與Q7漏極引線中的小型低成本電流互感器感測FET電流。UCC28220迫使相位之間實現(xiàn)相等的電流共享。降低整流器的電流可以消除對散熱片的需求并且降低組裝成本。


試驗結(jié)果

這兩種設(shè)計在效率、輸入與輸出紋波電壓以及瞬態(tài)負(fù)載方面的對比結(jié)果顯示,在大部分情況下,雙相設(shè)計的性能都優(yōu)于單相設(shè)計。

圖9對比兩種方法的效率。它們都能夠滿足91%的目標(biāo)效率。不過,雙相設(shè)計在滿負(fù)載情況下的效率高兩個百分點。雖然這看起來可能并不明顯,但是若比較兩種電源的損耗差異,就會發(fā)現(xiàn)其中差別很大。單相設(shè)計消耗23 W,而雙相設(shè)計僅消耗16 W.這相當(dāng)于熱損耗降低30%,因而必將對散熱片的選擇與熱功耗設(shè)計產(chǎn)生一定影響。



單相曲線很快達(dá)到最高值,然后開始迅速下降。這是傳導(dǎo)損耗較高的設(shè)計的特性。兩種設(shè)計的明顯差異體現(xiàn)在電感、升壓二極管、輸出電容與PWB的損耗。表2對比了電感需求與設(shè)計性能。如前所述,雙相方法采用的電感比單相設(shè)計低得多,而且每個電感僅承載一半的電流。電感的體積取決于蓄能需求與溫度的升幅。蓄能大小由(1/2×L×I2)決定,而表2說明單相設(shè)計的蓄能是雙相設(shè)計的5倍。這意味著,如果我們要使電感的溫度升幅保持相同,則單相設(shè)計的電感應(yīng)當(dāng)大5倍。我們認(rèn)為與其保持相等的能量密度,不如允許較大的溫度升幅。我們在單相設(shè)計中使用損耗較大的電感因而犧牲了部分效率。結(jié)果,單相設(shè)計的損耗高出了近5 W.在這兩種設(shè)計的功耗差異中,輸出電容大約占1 W.每個輸出電容的紋波電流造成大約100 mW的損耗,而且單相設(shè)計需要的電容比雙相設(shè)計多出6個。雙相設(shè)計的功率級必須采用兩個二極管,每個二極管承擔(dān)總電流的一半。這樣它們具有較低的壓降,可使總功耗降低大約1W.


小結(jié)

與降壓穩(wěn)壓器一樣,交錯式升壓設(shè)計的性能也優(yōu)于單相設(shè)計。從表3中完整的單相升壓設(shè)計與交錯式升壓設(shè)計的對比即可看出。交錯式升壓設(shè)計體積更小,效率更高。這是因為它能減少輸出紋波電流,使得輸出電容數(shù)量顯著降低,從而降低了成本與功耗;它還能減少電感的蓄能要求,這表示電感磁線圈的體積、高度與熱損耗都會降低。多相方法可使總功耗降低 30%,同時將熱量分散至較大電路板面積,從而實現(xiàn)更完美的熱管理。多相設(shè)計必須測量與平衡每個相位的電流大小,因此它確實會增加電路的復(fù)雜性,這從可控制組件的數(shù)量就能看出。


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