21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管（超級結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這一行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和低柵極電壓的組合平臺，同時結(jié)合了快速體二極管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助于提高家用電器電機驅(qū)動的效率，如空調(diào)等采用帶逆變控制的高速電機的家電。

近年來，對于環(huán)保的日益重視使人們不斷致力于提高電子設(shè)備的能源效率并減少能源消耗。特別是對于空調(diào)和電視等家用電器中的電源電路，更加強調(diào)要降低能耗并提高效率。這就催生了對于降低這些產(chǎn)品中，功率器件功耗的需求（這是更低導(dǎo)通電阻和更好的開關(guān)特性的功能），從而提高整體的能源使用效率。

過去，采用高壓、高速電機和逆變器的空調(diào)和其它家用電器，一般會在一個封裝中采用帶分立式快恢復(fù)二極管（FRD）的IGBT，以實現(xiàn)短的反向恢復(fù)時間(trr)。目前，對于更加高速開關(guān)的需求，以及在穩(wěn)態(tài)運行和高性能狀態(tài)下的更低功耗需求，產(chǎn)生了對于帶快速恢復(fù)體二極管特性的超級結(jié)MOSFET的需求。與傳統(tǒng)的平面架構(gòu)不同，超級結(jié)MOSFET在不降低器件耐壓能力的情況下，降低了導(dǎo)通電阻，使其可以產(chǎn)生具有每單位面積更低的導(dǎo)通電阻。隨著行業(yè)向著更加節(jié)能的方向發(fā)展，為了滿足對于這些器件日益增長的需求，瑞薩公司利用其在功率器件技術(shù)方面積累的豐富經(jīng)驗，新開發(fā)了一系列采用高速體二極管的高性能超級結(jié)MOSFET，實現(xiàn)了低功耗，并提升了高速開關(guān)性能。[!--empirenews.page--]

新款超級結(jié)MOSFET的主要特性：

(1) 業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻
憑借從早期為PC服務(wù)器和LCD TV等應(yīng)用所設(shè)計的超級結(jié)MOSFET器件中積累的經(jīng)驗，瑞薩已經(jīng)在具有低柵極電壓的600V功率半導(dǎo)體器件上實現(xiàn)了150 mΩ（典型值）的導(dǎo)通電阻。這就為采用高速電機和逆變控制的家用電器等應(yīng)用實現(xiàn)了電源效率的改善。

(2)更短的反向恢復(fù)時間
新款超級結(jié)MOSFET器件具有內(nèi)置的快速體二極管，其規(guī)格優(yōu)化用于高速電機控制應(yīng)用。二極管的反向恢復(fù)時間顯著縮短，僅為150ns，約為現(xiàn)有類似功率超級結(jié)MOSFET器件中二極管的三分之一。

(3)高速開關(guān)性能，顯著降低鳴響等副作用
瑞薩通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)，改進(jìn)了漏柵電容，從而最大限度地減少鳴響，同時還保證了高速的開關(guān)性能。這一改進(jìn)有助于降低功耗和穩(wěn)定操作，特別適用于三相橋式電路，廣泛用于高速電機和逆變器控制應(yīng)用中。

瑞薩通過提供總的信號鏈解決方案持續(xù)為客戶提供技術(shù)支持，方案將微控制器(MCU)與模擬和功率器件相結(jié)合，并希望增加其作為功率半導(dǎo)體器件全球領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。瑞薩考慮將這一新的高精度超級結(jié)MOSET器件系列作為其高壓功率器件陣列的核心，旨在進(jìn)一步增強其產(chǎn)品系列。瑞薩還將針對電機和反極器應(yīng)用擴大其配套解決方案的范圍，將新的超級結(jié)MOSFET器件與瑞薩RL78系列低功率MCU，RX系列中檔MCU、以及用以驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件的光耦相結(jié)合。整合了新型超級結(jié)MOSFET器件的參考開發(fā)板也計劃推出，從而為客戶提供配套評估和產(chǎn)品設(shè)計方面的支持。[!--empirenews.page--]

超級結(jié)MOSFET器件的外形可采用相當(dāng)于下列工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝：TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK)和LDPAK (RJL60S5DPE)

價格和供貨情況
瑞薩電子新款RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE SJ- MOSFET將于2012年9月推出，價格為每片US$2.0。量產(chǎn)計劃于2012年12月進(jìn)行，到2013年3月三種產(chǎn)品的月產(chǎn)量總額將達(dá)到500,000片。（價格和供貨情況如有變化，恕不另行通知。）

請參考附表，了新產(chǎn)品的主要技術(shù)規(guī)格。

(注1)超級結(jié)MOSFET (超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管):
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)布局。與傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)不同，它可以在不降低器件耐壓能力的條件下，實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。這就意味著可以降低每個單位面積的導(dǎo)通電阻。

附表

新型超級結(jié)MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格　

• 所有產(chǎn)品版本共有的項目
■ 額定通道溫度 (Tch): +150°C
■ 額定漏極電壓 (VDSS): 600 V
■ 額定的柵極源電壓(VGSS): ±30 V
■ 額定的漏電流(ID): 20 A at Tc = 25 C
■ 導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，典型值: 150 mΩ (當(dāng) ID = 10 A, VGS = 10 V時)
■ 反向傳輸電容 (Crss)，典型值: 13 pF (VDS = 25 V)[!--empirenews.page--]
■ 柵極源闕值電壓 (VGS (OFF)): Min. 3 V 至最大 5 V
■ 體二極管FRD 前向電壓(VF): 0.96 V (當(dāng) IF = 10 A時)
■ 體二極管FRD 反向恢復(fù)時間(trr): 150 ns (當(dāng)ID = 20 A時)

• 封裝
■ RJL60S5DPP-E0: TO-220FP
■ RJL60S5DPK-M0: TO-3PSG
■ RJL60S5DPE-00: LDPAK