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[導(dǎo)讀] 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)與工程師分享經(jīng)過(guò)專業(yè)制作的6個(gè)視頻,展示出在最終客戶端的應(yīng)用,例如無(wú)線充電桌面、高性能激光雷達(dá)、48 V–1.8 V DC/DC單級(jí)轉(zhuǎn)換,以及利用氮

 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)與工程師分享經(jīng)過(guò)專業(yè)制作的6個(gè)視頻,展示出在最終客戶端的應(yīng)用,例如無(wú)線充電桌面、高性能激光雷達(dá)、48 V–1.8 V DC/DC單級(jí)轉(zhuǎn)換,以及利用氮化鎵晶體管及集成電路實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確控制的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com.cn)制作了6個(gè)精簡(jiǎn)視頻,展示出在最終客戶端采用eGaN® FET及集成電路的應(yīng)用。這些視頻描述氮化鎵技術(shù)正在改變我們的生活方式,并挑戰(zhàn)功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師如何在他們新一代的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,發(fā)揮高效氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的優(yōu)勢(shì)。

采用eGaN技術(shù)的應(yīng)用的演示視頻包括:

1.APEC 2017: 基于氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMTA1OTk0MA==.html

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于國(guó)際著名功率電子與應(yīng)用研討會(huì)(APEC 2017)展示出超過(guò)25種應(yīng)用,它們都采用了改變我們生活方式的氮化鎵技術(shù)。在本視頻,EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow與我們分享在EPC展位上所展出采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN®FET)及集成電路的多種應(yīng)用,包括于2 x 3英尺的桌面上以無(wú)線充電方式對(duì)多個(gè)設(shè)備同時(shí)供電。

2.剪斷電源線!基于氮化鎵技術(shù)的無(wú)線充電桌面

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMzAwNjY0OA==.html

EPC公司首次展示在桌面上可以同時(shí)對(duì)多個(gè)設(shè)備進(jìn)行無(wú)線充電。本視頻描述在該桌面上,我們可以同時(shí)對(duì)筆記本電腦、電視顯示屏、Google Home、Amazon Alexa、臺(tái)燈及手機(jī)進(jìn)行無(wú)線充電。氮化鎵技術(shù)不僅僅是對(duì)手機(jī)進(jìn)行無(wú)線充電,而是可以對(duì)我們的智能家居進(jìn)行無(wú)線充電。

3. 面向激光雷達(dá)應(yīng)用的氮化鎵驅(qū)動(dòng)器

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMjk4MTI1Ng==.html

相比日益老化的MOSFET器件,目前氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN® FET)及集成 電路的開(kāi)關(guān)速度快十倍。高速開(kāi)關(guān)使得LiDAR系統(tǒng)具備優(yōu)越的分辨率、更快速反應(yīng)時(shí)間及更高準(zhǔn)確性等優(yōu)勢(shì)。這種技術(shù)迅速被各種需要更高準(zhǔn)確性的應(yīng)用所采用,例如自動(dòng)駕駛汽車(chē)及擴(kuò)增實(shí)境系統(tǒng)。。

4.在48 V - 1.8 V DC/DC轉(zhuǎn)換采用GaN FET 與MOSFET的比較

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMzEyNzI4OA==.html

EPC公司最新一代的工藝再一次擊敗硅基MOSFET功率元件,實(shí)現(xiàn)更高性能的元件而同時(shí)縮小元件的尺寸及降低成本。本視頻展示出100 V 的GaN FET與等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、占板面積小很多、功耗低30%及提高功率密度達(dá)3倍。

5.在150 V - 12 V DC/DC轉(zhuǎn)換采用GaN FET 與MOSFET的比較

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMzE3MDEyNA==.html

EPC的產(chǎn)品再一次擊敗硅基MOSFET功率元件,實(shí)現(xiàn)更高的性能而同時(shí)縮小元 件的尺寸及降低成本。本視頻展示出200 V的 GaN FET與等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、大大減小占板面積(器件小型化達(dá)15倍)、功耗低出40%及提高功率密度達(dá)3倍。

6.馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMTMyMzMwOA==.html

本視頻展示出德州儀器公司的48 V、10 A、三相位的氮化鎵逆變器參考設(shè)計(jì),采用了LMG5200器件。 基于氮化鎵的解決方案具有更優(yōu)越的散熱特性/模式 – 不需散熱器、更低的電感可以縮小器件的尺寸及更輕盈。這個(gè)參考設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)難以置信的98.5% 效率。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱:「這些精簡(jiǎn)視頻展示出在最終客戶端的應(yīng)用中,目前采用高效氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路或由它們提升性能。我們希望這些視頻可以激發(fā)具備創(chuàng)新性思維、前瞻性眼光的功率系統(tǒng)工程師,利用氮化鎵產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì),開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的解決方案?!?/p>

觀看各種氮化鎵應(yīng)用的演示視頻,可以在EPC網(wǎng)站的視頻庫(kù)看到,或點(diǎn)擊以上的優(yōu)酷視頻鏈接。

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