這些創(chuàng)新的元器件為各種應用提供了業(yè)內(nèi)領先的性能指標

日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布其2015年“Super 12”特色產(chǎn)品。每一年，Vishay都會挑出12個采用新的和改進技術(shù)，能夠顯著提高最終產(chǎn)品和系統(tǒng)性能的重要半導體和無源元件。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品代表了該公司在半導體和無源器件領域的領先水平，讓人能夠從中管窺Vishay非常寬的產(chǎn)品組合。

2015年Super 12產(chǎn)品如下：

Vishay Semiconductors FRED Pt® Gen 4超快恢復二極管 - 這些600V和650V二極管完美匹配Vishay的新型Trench IGBT，具有超低的正向電壓和反向恢復電荷，能夠減少損耗，提高效率，同時其極軟的關斷動作能夠在所有開關條件下使過壓最小化。

Vishay BCcomponents 196 HVC ENYCAP 混合 ENergY™儲能電容器 - 電容器的高度低至2.5mm，能量密度達到13Ws/g，在能量采集和電力線備用應用中能夠節(jié)省空間，各種管腳布局、容值和電壓等級為設計者提供了超群的靈活性。

Vishay Siliconix SiHP33N60EF / EF快速體二極管N溝道功率MOSFET - EF系列器件采用第二代超級結(jié)技術(shù)制造，反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低10倍，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的可靠性。33 A SiHP33N60EF具有98Ω的超低導通電阻，在大功率、高性能的開關應用中能節(jié)省能源。

Vishay Sfernice大尺寸電爆破點火片式(MEPIC)電阻器 - MEPIC電阻具有焦耳效應或閃光點火功能，使點火時間不到250μs，具有非?？深A測的、可重復出現(xiàn)的和可靠的動作，點火能量低至1.5mJ，歐姆值從1Ω到8Ω。

Vishay Siliconix SiC620R VRPower®集成式DrMOS功率級 - 下一代SiC620R采用新型5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封裝，可雙面冷卻，在典型多相降壓轉(zhuǎn)換器里能實現(xiàn)70A電流和95%效率，同時將功率損耗減少20%。

Vishay Dale WSHM2818 Power Metal Strip®檢流電阻 - WSHM2818通過AEC-Q200認證，在汽車、工業(yè)、計算機和消費應用中能有效節(jié)省空間，具有7W功率和1mΩ的極低阻值，采用緊湊的2818外形尺寸。

Vishay Siliconix -20 V Si7157DP TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET - Si7157DP具有N溝道MOSFET中最低的導通電阻，可在移動計算設備里提高效率，器件的6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封裝節(jié)省寶貴的PCB空間。

Vishay Beyschlag MMA 0204 HV和MMB 0207 HV專業(yè)薄膜高壓MELF電阻 - 對于可靠性和穩(wěn)定性是首要考慮因素的醫(yī)療設備和其他電子產(chǎn)品，MMA 0204 HV和MMB 0207 HV具有穩(wěn)健的結(jié)構(gòu)，能在1000V電壓下連續(xù)工作，浪涌電壓高達3kV。

Vishay Semiconductors PLZ系列穩(wěn)壓二極管 - PLZ系列器件是首個采用新型超小尺寸、超薄MicroSMF eSMP®系列封裝，功率耗散達500mW的穩(wěn)壓二極管，具有極為嚴格的2.5%電壓公差、極低的泄漏電流和優(yōu)異的穩(wěn)定性。

集成E屏蔽的Vishay Dale IHLE-4040DC-5A超薄、大電流電感器 - IHLE-4040DC-5A不需要對電感器采取單獨的板級屏蔽，能在汽車和其他應用里降低成本和節(jié)省空間，使電場減小最多20dB。

Vishay Semiconductors VOW3120 寬體 IGBT和MOSFET驅(qū)動器 - VOW3120可用于高工作電壓的應用，最短電氣間隙和外爬電距離為10mm，具有高隔離電壓，VIORM為1414V，VIOTM為8000V。

Vishay BCcomponents AY2系列汽車級陶瓷安規(guī)電容器 - 用于交流線路的陶瓷盤式安規(guī)電容器可為Class X1(440VAC)和Y2(300VAC)汽車應用提供高可靠性，適用于電動汽車和插入式混合電動汽車(PHEV)里的板上充電器和電池管理。