方案一：低成本、多功能、低分辨率顯示方案

　　該方案采用性價(jià)比最高的A3P030和SRAM來實(shí)現(xiàn)，不僅成本低，而且靈活性非常大，實(shí)現(xiàn)的功能豐富，由于采用性價(jià)比較高的SRAM,容量有限，適合于低分辨率的TFT屏顯示。

　　 　　功能特點(diǎn)：

　　1、采用Microsemi小容量的A3P030以及SRAM(IS61LV25616AL)來實(shí)現(xiàn)，具有成本低的特點(diǎn)

　　2、接口非常靈活，根據(jù)不同的需要可以定制Intel并行總線接口、SPI接口等

　　3、并行總線接口的速度最高可達(dá)25MHz左右，相當(dāng)于480×272分辨率的TFT在1秒鐘內(nèi)可以更新191副圖片;SPI的時(shí)鐘速度同樣可以達(dá)到25MHz以上的速度

　　4、支持雙緩存的操作，兩個(gè)緩存都可進(jìn)行讀寫的操作

　　5、支持雙緩存間數(shù)據(jù)拷貝功能，兩緩存間可以進(jìn)行DMA的數(shù)據(jù)拷貝

　　6、支持定點(diǎn)和區(qū)域更新內(nèi)容

　　7、支持16位色480×272以及以下分辨率的TFT顯示屏，刷新率在60Hz以上

　　8、支持前景色和背景色設(shè)置的功能

　　9、顯示數(shù)據(jù)來源于MCU,數(shù)據(jù)可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放圖片、漢字庫(kù)等，容量大小由用戶自行控制

　　10、配套提供的MCU GUI庫(kù)可以實(shí)現(xiàn)畫點(diǎn)、畫線、畫圓、畫矩形等功能

　　方案二：低成本、高性能、高分辨率顯示方案

　　該方案采用A3P060和SDRAM的方式實(shí)現(xiàn)，同樣成本低，由于Microsemi資源較為豐富，并且內(nèi)部帶有PLL,所以可以實(shí)現(xiàn)高分率的TFT顯示，最高可達(dá)1024×768.

　　 　　功能特點(diǎn)：

　　1、采用Microsemi中等容量的A3P060以及SDRAM(IS42S16400F)來實(shí)現(xiàn)，同樣具有成本低的特點(diǎn)

　　2、接口靈活，根據(jù)不同的需要可以定制Intel并行總線接口或SPI接口等

　　3、并行總線接口的速度最高可達(dá)50MHz左右，相當(dāng)于800×600分辨率的TFT在1秒鐘內(nèi)可以更新100副圖片

　　4、支持雙緩存的操作，兩個(gè)緩存都可進(jìn)行讀寫的操作

　　5、支持定點(diǎn)和區(qū)域更新內(nèi)容

　　6、支持16位色1024×768以及以下分辨率的TFT顯示屏，刷新率在60Hz以上

　　7、顯示數(shù)據(jù)來源于MCU,數(shù)據(jù)可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放圖片、漢字庫(kù)等，容量大小由用戶自行控制

　　8、配套提供的MCU GUI庫(kù)可以實(shí)現(xiàn)畫點(diǎn)、畫線、畫圓、畫矩形等功能

　　方案三：高性能、低分辨率顯示方案

　　該方案采用A3P060和SRAM的方式實(shí)現(xiàn)，并將串行Flash由FPGA來控制，由于A3P060資源較為豐富，可以實(shí)現(xiàn)較高的圖片顯示速度，并且降低了MCU的負(fù)擔(dān)。

　　 　　功能特點(diǎn)：

　　1、采用Microsemi中等容量的A3P060以及SRAM(IS61LV25616AL)來實(shí)現(xiàn)，成本較低，略高于前兩者的方案

　　2、接口靈活，根據(jù)不同的需要可以定制8位Intel并行總線接口或SPI接口等

　　3、TFT的顯示數(shù)據(jù)通過FPGA從串行Flash讀取，MCU負(fù)責(zé)發(fā)送圖片顯示的命令，大大減輕了MCU的負(fù)擔(dān)，以至于可以通過普通的8位MCU即可實(shí)現(xiàn)TFT的控制顯示，1秒鐘內(nèi)可以更新30副320×240分辨率的圖片

　　4、支持定點(diǎn)和區(qū)域更新內(nèi)容

　　5、支持16位色480×272以及以下分辨率的TFT顯示屏

　　6、串行Flash最高支持128Mbit的，可以存放61幅480*272的圖片

　　7、配套提供的MCU GUI庫(kù)可以實(shí)現(xiàn)畫點(diǎn)、畫線、畫圓、畫矩形等功能

　　方案四：多功能、高分辨率顯示方案

　　該方案采用A3P125和SDRAM的方式實(shí)現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實(shí)現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。

　　 　　功能特點(diǎn)：

　　1、采用Microsemi中等容量的A3P125以及SDRAM(IS42S16400F)來實(shí)現(xiàn)，功能豐富，性能較高;

　　2、接口靈活，根據(jù)不同的需要可以定制Intel并行總線接口或SPI接口等;

　　3、并行總線接口的速度最高可達(dá)50MHz左右，相當(dāng)于800×600分辨率的TFT在1秒鐘內(nèi)可以更新100副圖片;

　　4、支持雙緩存的操作，兩個(gè)緩存都可進(jìn)行讀寫的操作;

　　5、支持雙緩存間數(shù)據(jù)拷貝功能，兩緩存間可以進(jìn)行DMA的數(shù)據(jù)拷貝;

　　6、支持定點(diǎn)和區(qū)域更新內(nèi)容;

　　7、支持多圖層的操作，可以支持2~4個(gè)圖層，根據(jù)不同的分辨率不同而不同;

　　8、支持16位色1024×768以及以下分辨率的TFT顯示屏，刷新率在60Hz以上;

　　9、顯示數(shù)據(jù)來源于MCU,數(shù)據(jù)可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放圖片、漢字庫(kù)等，容量大小由用戶自行控制;

　　10、配套提供的MCU GUI庫(kù)可以實(shí)現(xiàn)畫點(diǎn)、畫線、畫圓、畫矩形等功能。