Etron(鈺創(chuàng))公司負(fù)責(zé)成像和存儲(chǔ)產(chǎn)品開發(fā)的副總裁兼首席科學(xué)家Richard Crisp表示，該公司的DRAM代表了與JEDEC(聯(lián)合電子設(shè)備工程會(huì))路線圖上的傳統(tǒng)架構(gòu)的一個(gè)分歧，即應(yīng)用程序不需要不斷增長的密度、高速pin碼或最新DDR4的所有可用帶寬，最新DDR4的最低容量為4GB。他說:“有很多應(yīng)用程序使用的內(nèi)存遠(yuǎn)遠(yuǎn)少于1千兆比特。人們對擁有合適大小、易于使用的內(nèi)存很感興趣。”

Crisp表示，這就對Etron的推動(dòng)，它希望提供足夠的DRAM來滿足應(yīng)用程序的需求，同時(shí)減少典型的DDR類型內(nèi)存的引腳數(shù)。隨著該公司沿著開發(fā)小型內(nèi)存的道路前進(jìn)，全世界都對人工智能(AI)產(chǎn)生了興趣。“我們當(dāng)時(shí)并沒有真正考慮過人工智能，但它確實(shí)發(fā)生了，我們找到了一個(gè)有趣的解決方案。”

一個(gè)典型的人工智能場景，端點(diǎn)收集所有類型的數(shù)據(jù)，然后發(fā)送到一個(gè)集中式的云中進(jìn)行處理，并使用一個(gè)連接兩端的大型網(wǎng)絡(luò)層。但Etron喜歡將端點(diǎn)和邊緣區(qū)分開來，其中端點(diǎn)是一個(gè)從外部世界收集數(shù)據(jù)的傳感器，而邊緣是一個(gè)本地中央計(jì)算機(jī)，它可以將多個(gè)傳感器的數(shù)據(jù)聚合到一個(gè)具有相當(dāng)高性能的媒體處理器的公共流中。他介紹，這臺(tái)邊緣計(jì)算機(jī)在向云發(fā)送一些情報(bào)之前，會(huì)對數(shù)據(jù)流進(jìn)行自動(dòng)分析，這就需要比端點(diǎn)更高的性能，但仍有一定的尺寸限制。

Etron的RPC DRAM可以放在扇入式晶圓級CSP (FI-WLCSP)封裝中，該封裝非常小，消除了襯底以及任何線鍵合或倒裝芯片組裝步驟。

據(jù)Crisp介紹，Etron的解決方案是減少pin-count (RPC) DRAM，以支持AI邊緣應(yīng)用程序，這些應(yīng)用程序需要相當(dāng)大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間和足夠高的帶寬，以便能夠快速處理數(shù)據(jù)。RPC DRAM可以提供必要的片外存儲(chǔ)器，但只能在芯片內(nèi)風(fēng)扇級的CSP (FI-WLCSP)封裝中使用，這些封裝非常小，可以消除基體以及任何線鍵或芯片組裝步驟。

Lattice半導(dǎo)體戰(zhàn)略營銷總監(jiān)Kambiz Khalilian表示，該公司認(rèn)為Etron的產(chǎn)品有潛力，由于它的外形因素非常小，采用RPC DRAM是理想的選擇。“它基本上可以實(shí)現(xiàn)與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相同的性能，同時(shí)擁有更低的引腳數(shù)。這對于許多“深度安全網(wǎng)關(guān)”應(yīng)用程序來說是比較理想的，在這些應(yīng)用程序中，性能/權(quán)衡非常重要。在低功耗的小范圍內(nèi)，在帶寬無法將所有數(shù)據(jù)發(fā)送回服務(wù)器進(jìn)行處理的情況下，它允許在最合理的地方處理數(shù)據(jù)(包括邊緣)。

由于Etron的RPC DRAM的低引腳數(shù)小型化WLCSP封裝，使用的信號少于傳統(tǒng)DDR解決方案的一半，故而Etron的RPC DRAM高帶寬是Lattice FPGA理想的互補(bǔ)對象。針數(shù)的節(jié)省轉(zhuǎn)化為內(nèi)存接口的FPGA資源需求的減少和更小的PCB組件的占用。

Khalilian介紹，在某些情況下，需要的內(nèi)存要比嵌入在Lattice FPGA中的內(nèi)存大。這就是RPC DRAM發(fā)揮作用的地方。“在很多邊緣相機(jī)的應(yīng)用中，每平方毫米都很重要。為了進(jìn)一步增加RPC DRAM的吸引力，它們可以被堆疊在一塊板上，如果需要，仍然可為flash閃存留出空間，這不僅優(yōu)化了布局，而且解決了功率、性能和大小之間的權(quán)衡。