2019年1-10月中國5G手機(jī)出貨量328.1萬部，發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn)，讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來，隨之而來的是海量的芯片需求。然而，先進(jìn)芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應(yīng)用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求，則主要由華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)為首的特色工藝芯片制造企業(yè)，基于成熟工藝設(shè)備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來滿足。

近日，在中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2019年會(huì)(ICCAD 2019)上，華虹半導(dǎo)體(無錫)*研發(fā)總監(jiān)陳華倫代表華虹宏力受邀演講，在《持續(xù)創(chuàng)新，助力智能時(shí)代》的報(bào)告中闡述了華虹宏力立足8英寸產(chǎn)線、并將優(yōu)勢擴(kuò)展至12英寸的“8+12”戰(zhàn)略布局，以及通過持續(xù)創(chuàng)新助力智能時(shí)代高速增長的“芯”愿景。

圖：華虹半導(dǎo)體(無錫)研發(fā)總監(jiān)陳華倫在ICCAD 2019上分享對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的洞察

嵌入式閃存：領(lǐng)跑者的三個(gè)支撐點(diǎn)

早在2000年初，華虹宏力已開始布局特色工藝，經(jīng)過多年的研發(fā)創(chuàng)新和優(yōu)勢積累，現(xiàn)已形成多個(gè)具有領(lǐng)先優(yōu)勢的特色工藝技術(shù)平臺(tái)，全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)就是其中之一。作為華虹宏力2018年第一大營收來源，eNVM平臺(tái)主要包括智能卡芯片和MCU兩大類應(yīng)用。

據(jù)2018年年報(bào)透露，華虹宏力MCU業(yè)務(wù)涵蓋了eFlash、OTP、MTP和EEPROM等主流技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)高、中、低端MCU產(chǎn)品全覆蓋。2018年，華虹宏力110納米嵌入式閃存平臺(tái)的MCU新品導(dǎo)入超過100個(gè)，是eNVM平臺(tái)營收的主要增長點(diǎn)之一。同時(shí)，進(jìn)一步完善的95納米5V SG eNVM工藝通過優(yōu)化存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、IP設(shè)計(jì)以及工藝簡化，具有小面積，低功耗、高性價(jià)比等優(yōu)勢，廣受客戶青睞。陳華倫強(qiáng)調(diào)，該工藝平臺(tái)兼?zhèn)涓呖煽啃院偷凸奶攸c(diǎn),同時(shí)具備光罩少等綜合競爭優(yōu)勢。

華虹宏力eNVM技術(shù)平臺(tái)包括SONOS、SuperFlash自對準(zhǔn)和自主開發(fā)NORD FLASH等三大工藝平臺(tái)，全面覆蓋當(dāng)前主流的180納米到90納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，已被廣泛用于SIM卡、銀行卡和帶金融支付功能的社?？ㄖ?。