O 引言
    信息存儲(chǔ)是信息科學(xué)研究的重要內(nèi)容之一。在信號(hào)處理、智能儀器及工業(yè)自動(dòng)控制等領(lǐng)域都存在著信息存儲(chǔ)的內(nèi)容。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)數(shù)據(jù)信息存儲(chǔ)的速度要求越來(lái)越高，因此，數(shù)據(jù)高速存儲(chǔ)在系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程中，已成為一個(gè)十分重要的問(wèn)題。本文簡(jiǎn)要介紹了一種基于可編程邏輯器件的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，并給出了其軟件及硬件設(shè)計(jì)思路。

1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
    目前常用的可編程邏輯器件主要有FPGA與CPLD。它們都是可編程ASIC器件，有很多共同特點(diǎn)，但二者在結(jié)構(gòu)上有一定差異：FPGA在結(jié)構(gòu)上主要分為可編程I／O單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入功能單元和內(nèi)嵌專(zhuān)用硬核等。而CPLD則主要由可編程I／O單元、基本邏輯單元、布線池和其它輔助功能模塊構(gòu)成。二者結(jié)構(gòu)的不同使其又具有各自的特點(diǎn)：FPGA更適合于完成時(shí)序邏輯，而CPLD則適合完成各種算法和組合邏輯。也就是說(shuō)，F(xiàn)PGA更適合于觸發(fā)器豐富的結(jié)構(gòu)，而CPLD則適合于觸發(fā)器有限而乘積項(xiàng)豐富的結(jié)構(gòu)。FPGA的分段式布線結(jié)構(gòu)決定了其延遲的不可預(yù)測(cè)性，而CPLD的連續(xù)式布線結(jié)構(gòu)則決定了它的時(shí)序延遲是均勻的和可預(yù)測(cè)的。
    與FPGA相比，CPLD比較適合復(fù)雜狀態(tài)機(jī)、存儲(chǔ)控制器等應(yīng)用，可廣泛應(yīng)用于高速領(lǐng)域和實(shí)時(shí)測(cè)控等方面，具有高速、高可靠性的特點(diǎn)。基于以上情況，本系統(tǒng)采用CPLD作為系統(tǒng)主控制器。同時(shí)選用SRAM存儲(chǔ)器IC61LV2568—8T芯片。該SRAM存儲(chǔ)器的初始存取等待時(shí)間很短，可廣泛應(yīng)用于需要快速存取數(shù)據(jù)的場(chǎng)合。

2 IC61LV2568—8T的操作時(shí)序
    IC6lLV2568—8T是一款高速低功耗靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器。該芯片采用高性能CMOS技術(shù)制造，最小存取時(shí)間可達(dá)8ns，待機(jī)功耗為36mW，兼容TTL電平輸入輸出。該芯片工作時(shí)不需要時(shí)鐘控制及刷新。其讀寫(xiě)時(shí)序圖如圖1所示。

3 硬件電路
    本系統(tǒng)采用Lattice公司的ispMACH LC4526V作主控制器。這是一款高速、低功耗且配置有JTAG口，可支持ISP編程的高密度PLD。此芯片屬于ispMACH 4000V／B／C系列，其最高工作頻率可達(dá)322 MHz，傳輸延時(shí)為3．0 ns。它的靜態(tài)電流典型值為1.3 mA(對(duì)于4000C系列)。應(yīng)用時(shí)，可用硬件描述語(yǔ)言設(shè)計(jì)程序，再借助EDA工具進(jìn)行行為仿真、功能仿真和時(shí)序仿真，最后通過(guò)綜合工具產(chǎn)生網(wǎng)表，再下載到目標(biāo)器件，從而生成硬件電路。CPLD與存儲(chǔ)器的硬件連接如圖2所示。
    因系統(tǒng)的有源晶振頻率為200 MHz，因該頻率已是高頻，故在電路設(shè)計(jì)時(shí)，要考慮一定的阻抗匹配問(wèn)題。晶振輸出腳與CPLD時(shí)鐘輸入腳之間應(yīng)接有電阻R，這個(gè)電阻便是為了信號(hào)阻抗匹配而串接的。而在程序設(shè)計(jì)時(shí)，可以將晶振輸入的時(shí)鐘信號(hào)分頻。
    對(duì)于兩片RAM，可進(jìn)行乒乓操作。其硬件結(jié)構(gòu)如圖3所示。事實(shí)上，對(duì)于兩個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的乒乓操作，還需要系統(tǒng)軟件來(lái)共同完成。

4 軟件設(shè)計(jì)
    對(duì)于高速RAM的讀寫(xiě)控制，可采用狀態(tài)機(jī)的方法實(shí)現(xiàn)。狀態(tài)機(jī)有多種分類(lèi)方法。根據(jù)輸出是否與輸入信號(hào)同步，狀態(tài)機(jī)可以劃分為同步和異步狀態(tài)機(jī)。而根據(jù)輸出是否與輸入信號(hào)有關(guān)，則可分為Mealy型和Moore型狀態(tài)機(jī)。對(duì)于Mealy型狀態(tài)機(jī)，其時(shí)序邏輯輸出不僅取決于狀態(tài)，還取決于輸入。通常輸出是當(dāng)前狀態(tài)值、當(dāng)前輸出值和當(dāng)前輸入值的函數(shù)；而Moore型狀態(tài)機(jī)時(shí)序邏輯電路輸出只取決于當(dāng)前狀態(tài)，其輸出只是當(dāng)前狀態(tài)值的函數(shù)。
    在單片SRAM的讀寫(xiě)設(shè)計(jì)中，可采用計(jì)數(shù)器控制SRAM讀寫(xiě)信號(hào)的產(chǎn)生，并設(shè)置SRAM地址計(jì)數(shù)器，同時(shí)采用狀態(tài)機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)空閑、讀狀態(tài)、寫(xiě)狀態(tài)等不同狀態(tài)的相互轉(zhuǎn)換。其程序仿真結(jié)果如圖4所示。

    圖4中，_RST_N為復(fù)位信號(hào)，S_ADDR為SRAM地址，S_WR_N為寫(xiě)信號(hào)，低電平有效，S_DATA為SRAM數(shù)據(jù)。
    有一些數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)對(duì)速度有較高要求，而對(duì)于資源要求則相對(duì)寬松一些。此時(shí)可以考慮采用兩片SRAM進(jìn)行數(shù)據(jù)交替存儲(chǔ)。對(duì)于兩片SRAM，可以進(jìn)行乒乓操作來(lái)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行輪流讀寫(xiě)。這種方式在EDA設(shè)計(jì)中比較常見(jiàn)，是控制數(shù)據(jù)流的一種方法，是以面積換取速度的典型操作。其基本思路是通過(guò)存儲(chǔ)器選擇單元，在數(shù)據(jù)流控制的第一個(gè)周期，將數(shù)據(jù)寫(xiě)入第一塊存儲(chǔ)器；然后在第二個(gè)周期，將數(shù)據(jù)寫(xiě)入第二塊存儲(chǔ)器，同時(shí)通過(guò)存儲(chǔ)器選擇，將第一塊存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)流讀出，送到相關(guān)處理單元，如cpu等；最后，在第三個(gè)周期，則再次切換數(shù)據(jù)讀寫(xiě)，將前次的數(shù)據(jù)輸入與輸出模塊交換。數(shù)據(jù)流讀寫(xiě)交替次數(shù)可以根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定。
    兩片SRAM的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)程序可使用自頂向下的方法設(shè)計(jì)?？蓪⑾到y(tǒng)劃分為若干個(gè)子模塊，再將子模塊向下劃分為若干個(gè)基本單元。本系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)層次如圖5所示。

    對(duì)于低速cpu如單片機(jī)等，可以考慮采用DMA的方式進(jìn)行存儲(chǔ)；而對(duì)于中高速cpu，則可以考慮采用總線技術(shù)及流水線方式。而且存儲(chǔ)器還可以采用dram、flash、FIFO、雙端口RAM甚至硬盤(pán)。在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，要綜合考慮各方面因素，從而給出最適合的方案。

5 結(jié)束語(yǔ)
    采用CPLD作為主控制器，并結(jié)合存儲(chǔ)器芯片IC61LV2568—8T設(shè)計(jì)的單片及兩片乒乓操作高速存儲(chǔ)方案，具有設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，軟件較易移植，通用性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。