Peregrine半導(dǎo)體公司是采用CMOS SOI工藝設(shè)計(jì)RF器件的先驅(qū)。在2014年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議(EDI CON)上，Peregrine首次在大中華地區(qū)展示了其推出的可重構(gòu)射頻前端( RFFE )系統(tǒng)UltraCMOS Global1。

業(yè)界對射頻前端性能提出了前所未有的要求

LTE設(shè)備市場的迅速增長對射頻前端的性能提出了前所未有的要求：擁有可以支持更多頻段的可擴(kuò)展性;擁有可調(diào)諧的能力并且保證搞個(gè)理性，可以解決多通路同時(shí)使用時(shí)帶來的問題;對所有支持的漠視和頻段的切換，只需相對簡單的調(diào)整;有證競爭力的功放效能。而UltraCMOS Global1的應(yīng)運(yùn)而生為“一款可以全球范圍內(nèi)使用的移動(dòng)終端”的愿望提供了可行的思路。

全集成的可重構(gòu)射頻前端系統(tǒng)

作為行業(yè)中第一個(gè)全集成可配置射頻前端系統(tǒng)，UltraCMOS Global1集成了三通道MMMB PA(多模多頻段功放)模塊，PA切換開關(guān)模塊，天線切換開關(guān)模塊和天線調(diào)諧模塊等射頻前端需要的所有元件。支持包絡(luò)跟蹤技術(shù)，并具有通用的RFFE MIPI控制接口。

UltraCMOS Global 1是一種易于使用的數(shù)字控制射頻前端，適用于一切模式和頻段，隔離性能好，解決了互操作問題。它可以擴(kuò)展，輕而易舉地支持更多的頻段，而且開關(guān)損耗小，可調(diào)諧。其高水平的可重構(gòu)能力得益于Peregrine半導(dǎo)體公司的UltraCMOS 10技術(shù)平臺(tái)。UltraCMOS 10是一種130納米的RF-SOI工藝技術(shù)，比起同類的解決方案，在性能方面提高了50 %。UltraCMOS Global 1就是在這個(gè)技術(shù)平臺(tái)上制造而成的。

Global 1強(qiáng)化了可配置功率的概念。Global 1對頻段和模式可配置的操作方法，改善了射頻性能?？膳渲玫纳漕l和偏置設(shè)計(jì)，縮小了由于支持模式和頻帶不同給手機(jī)方案設(shè)計(jì)帶來的差異。另外，通過自動(dòng)調(diào)諧的優(yōu)化方法也加速了項(xiàng)目設(shè)計(jì)規(guī)劃。

媲美GaAs射頻性能的CMOS PA

值得一提的是UltraCMOS Global1集成了業(yè)界第一個(gè)LTE CMOS功率放大器(PA)，其純PA性能達(dá)到了和GaAs工藝技術(shù)相同的水平，其性能高出同類產(chǎn)品10%。此外，對于LTE波形，在不同資源塊分配的情況下，UltraCMOS Global 1功放的PAE性能與GaAs功放相當(dāng)。

據(jù)悉，UltraCMOS Global1的平臺(tái)整合將在2014年完成，將于2015年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。