觸控新技術(shù)反撲，ITO(IndiumTinOxide；銦錫氧化物)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈挑戰(zhàn)迫在眉梢。供應(yīng)鏈業(yè)者分析，ITO透明導(dǎo)電膜聲勢(shì)不如以往，觸控產(chǎn)業(yè)面臨下一波技術(shù)競(jìng)賽。

供應(yīng)鏈業(yè)者指出，由于ITO的特性與原料有限，引發(fā)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈憂心未來(lái)發(fā)展，推動(dòng)眾家廠商紛紛轉(zhuǎn)向研發(fā)新材料，有意藉由新材料、新技術(shù)來(lái)?yè)尰厥袌?chǎng)主導(dǎo)權(quán)。影響所及，近年來(lái)ITO替代品逐漸受到市場(chǎng)關(guān)愛(ài)眼光，包括：奈米碳管、奈米銀線技術(shù)、奈米金屬網(wǎng)格(metalmesh)薄膜、奈米金屬蒸鍍(nano-metal)薄膜、有機(jī)透明導(dǎo)電膜、奈米碳管以及石墨烯等。

關(guān)于ITO材料

ITO是IndiumTinOxides的縮寫。作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上，用作透明導(dǎo)電薄膜，同時(shí)減少對(duì)人體有害的電子輻射及紫外、紅外。

ITO是一種N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，通常有兩個(gè)性能指標(biāo)：電阻率和透光率。在氧化物導(dǎo)電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過(guò)率最高和導(dǎo)電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細(xì)微的圖形，其中透光率達(dá)90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來(lái)控制，通常SnO2:In2O3=1:9。

目前ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右，最好可達(dá)5*10E-5，已接近金屬的電阻率，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，常以方塊電阻來(lái)表征ITO的導(dǎo)電性能，其透過(guò)率則可達(dá)90%以上，ITO膜之透過(guò)率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制，增加氧化銦比例則可提高ITO之透過(guò)率，通常SnO2:In2O3=1:9，因?yàn)檠趸a之厚度超過(guò)200Å時(shí)，通常透明度已不夠好---雖然導(dǎo)電性能很好。

如用是電流平行流經(jīng)ITO脫層的情形，其中d為膜厚，I為電流，L1為在電流方向上膜厚層長(zhǎng)度，L2為在垂直于電流方向上的膜層長(zhǎng)主，當(dāng)電流流過(guò)方形導(dǎo)電膜時(shí)，該層電阻R=PL1/dL2式中P為導(dǎo)電膜之電阻率，對(duì)于給定膜層，P和d可視為定值，P/d，當(dāng)L1=L2時(shí)，怒火正方形膜層，無(wú)論方塊大小如何，其電阻均為定值P/d，此即方塊電阻定義：R□=P/d，式中R□單位為：歐姆/□（Ω/□），由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關(guān)且ITO膜阻值越低，膜厚越大。

在LCD顯示屏設(shè)計(jì)當(dāng)中，不僅要考慮走線布對(duì)ITO阻值的影響，還要考慮生產(chǎn)工藝對(duì)ITO阻值的影響，以便選擇適當(dāng)方塊電阻的ITO玻璃，以便設(shè)計(jì)到制作的全面控制，生產(chǎn)高對(duì)比的LCD產(chǎn)品，這時(shí)高占空比及COG產(chǎn)品無(wú)為重要，如ITO膜厚的均勻性，因?yàn)镮TO的靶材及工藝的不穩(wěn)定，會(huì)使同樣長(zhǎng)度與寬度的ITO阻值發(fā)生變化，如目標(biāo)值為10Ω時(shí)，其R□范圍在8-12Ω之間，所以在生產(chǎn)中要使用ITO膜厚均勻的導(dǎo)電玻璃，以減少電阻的變化，其次為ITO玻璃的耐高溫時(shí)性，酸堿性，因?yàn)橥ǔCD生產(chǎn)工藝中要使用高溫烘烤及各種酸堿液的浸泡，而一般在300°C*30min的環(huán)境中，會(huì)使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min（60°C）下也會(huì)增到1.1倍左右，由此可知，在生產(chǎn)工藝中不宜采用高溫生產(chǎn)及酸堿的長(zhǎng)時(shí)清洗，若無(wú)法避免，則應(yīng)盡量在低溫下進(jìn)行并盡量縮短動(dòng)作時(shí)間。