提要：costdown

前言：本以為能很順利的移植，結(jié)果130這顆芯片雖然是M3的core，實際上外部PIN與GPIO等寄存器結(jié)構(gòu)與M0一致，NVIC部分又與M3一致，簡言之，130即有M3的“基因”，也有M0的“基因”，主要這顆芯片是為了與ST的M0芯片搶市場。由于剛上市，所以Library從ST M0的Library基礎(chǔ)稍作修改。寄存器名稱雖然不一樣，但是實際地址與功能是完全一樣。下面重點列出在移植過程中，我遇到的問題：

A0：在Keil中，Device選型：

A0：GD32f130c6應(yīng)當(dāng)選擇STM32F101C6/8，因為該系列寄存器與GD130最接近。左圖為100，右圖為101，實際130的SPI包含I2SCFGR與I2SPR寄存器。

另外使用STLINK讀取的Device，如圖：

Q1、EXTI中斷無效？

A1:

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG,ENABLE);

SYSCFG_EXTILineConfig(PWR_EXTI_PORT_SOURCE,PWR_EXTI_PIN_SOURCE);

其中在操作SYSCFG寄存器時，必須先使能SYSCFG的CLK，這個問題在M0上也是一樣的，但是我在移植過程中，忽略了這點。

導(dǎo)致花了一些時間才找到這個問題。找類似這種bug，兩方面著手，一用硬件仿真，看外設(shè)寄存器是否與預(yù)設(shè)一直；二設(shè)置完后直接串口打印出來。

Q2、NVIC配置部分需要增加下面兩句，M0無此配置，M3則有。

A2:

/*NVICconfigurationforprioritygrouping*/

NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);

/*定位中斷向量表*/

NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH,0);

另外中斷優(yōu)先級配置因為有組的概念，所以也有所不同，如;

STM32F051:

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPriority=0x03;//0x03,與IRRec保持一致

GD130：

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority=1;

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority=3;

Q3、EXTI在handler mode進(jìn)入stop mode后不能喚醒，在thread mode中進(jìn)入可以喚醒？

A3:

如果在Handler mode進(jìn)入STOP mode，需要喚醒，則喚醒源的中斷優(yōu)先級必須必進(jìn)入stop mode的handler 優(yōu)先級更高。否則同級或更低級的中斷無法喚醒，除非退出中斷。這也是在thread mode進(jìn)入可以被喚醒的原因。如在timer2中進(jìn)入stopmode，在exti按鍵喚醒。demo：

staticvoidPWR_NVIC_Configuration(void)

{

NVIC_InitTypeDefNVIC_InitStructure;

/*EnabletheEXTIxglobalInterrupt*/

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel=PWR_EXTI_IRQn;

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority=1;

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority=3;

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd=ENABLE;

NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);

}

staticvoidTIM2_NVIC_Configuration(void)

{

NVIC_InitTypeDefNVIC_InitStructure;

/*EnabletheTIMglobalInterrupt*/

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel=KEY_TIM_IRQn;

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority=2;

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority=3;

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd=ENABLE;

NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);

}

Q4:SPI寄存器區(qū)別：

A4：SPIx_CR1 Bit11，051中該bit(CRCL)是CRC length，130是FF16(FF16)是data frame formate；

SPIx_CR2 bit15-bit8,130中高8位為保留字節(jié)，051則有其他定義，如fifo觸發(fā)值與data size。因此130中沒有該庫函數(shù)：

SPI_RxFIFOThresholdConfig(LT8900SPI,SPI_RxFIFOThreshold_QF);//8bitsize->QF,16bit->HF

通訊庫函數(shù)區(qū)別：

M0:

/*SendbytethroughtheSPI1peripheral*/

SPI_SendData8(LT8900SPI,*pu32Data);

/*Waittoreceiveabyte*/

while(SPI_I2S_GetFlagStatus(LT8900SPI,SPI_I2S_FLAG_RXNE)==RESET);

/*ReturnthebytereadfromtheSPIbus*/

returnSPI_ReceiveData8(LT8900SPI);

GD130:

/*SendbytethroughtheSPI1peripheral*/

SPI_I2S_SendData(LT8900SPI,*pu32Data);

/*Waittoreceiveabyte*/

while(SPI_I2S_GetFlagStatus(LT8900SPI,SPI_I2S_FLAG_RXNE)==RESET);

/*ReturnthebytereadfromtheSPIbus*/

returnSPI_I2S_ReceiveData(LT8900SPI);

Q5：使用HSE時，有效采樣數(shù)的區(qū)別：

A5:

ST

#defineHSE_STARTUP_TIMEOUT((uint16_t)0x0500)/*!

GD130：

#defineHSE_STARTUP_TIMEOUT((uint16_t)0x5000)/*!

Q6：中斷向量表區(qū)別，GD兼容051，但又涵蓋M3的中斷入口。另外051不支持自定義中斷入口偏移地址。

A6:

/*自動重定位中斷向量表*/

/NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH,(BaseOfROM-NVIC_VectTab_FLASH));//CM0不支持該功能

Q7：GPIO區(qū)別：

A7:雖然130為M3，但是GPIO部分與M0的寄存器結(jié)構(gòu)完全一致。

Q8：Flash區(qū)別：

A8：雖然130為M3，但是Flash部分與M0結(jié)構(gòu)大概相同，包含對OB區(qū)域的讀寫與讀保護(hù)等級，多了一個燒斷功能，此時不能還原為保護(hù)或無保護(hù)狀態(tài)。

加讀保護(hù)功能與M0一致，在使用JLink Flash中使用去除讀保護(hù)是，device必須選擇STM32F101系列，否則去除保護(hù)功能無效。

但有部分寄存器位有所不同，如：

FLASH->ACR=FLASH_ACR_PRFTBE|FLASH_ACR_LATENCY;//M3不支持該設(shè)置

Q9:RCC區(qū)別：

A9：M0中只有APB總線給外設(shè)提供CLK，但是M3中分了兩組不同的CLK對應(yīng)不同的外設(shè)，分別為APB1，APB2。如下：

M0:

uint32_tSYSCLK_Frequency;

uint32_tHCLK_Frequency;

uint32_tPCLK_Frequency;

uint32_tADCCLK_Frequency;/*PCLK=HCLK*/

RCC->CFGR|=(uint32_t)RCC_CFGR_PPRE_DIV1;

GD130：

uint32_tSYSCLK_Frequency;/*!

uint32_tHCLK_Frequency;/*!

uint32_tPCLK1_Frequency;/*!

uint32_tPCLK2_Frequency;/*!

uint32_tADCCLK_Frequency;/*!

/*PCLK2=HCLK*/

RCC->CFGR|=(uint32_t)RCC_CFGR_PPRE2_DIV1;

/*PCLK1=HCLK*/

RCC->CFGR|=(uint32_t)RCC_CFGR_PPRE1_DIV1;

Q10：ID讀取位置：

Flashsize位置不同,130與M3一致，但UID卻與M0一致。如：

M0：

#definerFlashSizeReg(*((uint16_t*)(0x1ffff7cc)))

#defineStm32_UIDBase(uint8_t*)(0x1ffff7ac)

GD130:

#definerFlashSizeReg(*((uint16_t*)(0x1ffff7e0)))

#defineStm32_UIDBase(uint8_t*)(0x1ffff7ac)

Q11：電源特性區(qū)別：

A11：

(1)工作電壓2.6-3.6V,待機(jī)時電流為250uA;；
(2)由于mcu啟動功耗大于st，因此mcu穩(wěn)壓電容驗證將1uF改為47uF,解決上電瞬間電流過大，電源特性不穩(wěn)定,電壓輸出被拉低至2V被強(qiáng)制關(guān)機(jī)問題;

如下圖：

（1）進(jìn)入stopmode休眠后，sensorpwr關(guān)閉，中斷喚醒后啟動，下圖為電源端與sensorpwr端電壓圖形。GD32端穩(wěn)壓電容為1uF。

同樣由于上電瞬間電壓不穩(wěn)導(dǎo)致無法啟動芯片，區(qū)別圖（3）。

（2）進(jìn)入stopmode休眠后，sensorpwr關(guān)閉，中斷喚醒后啟動，下