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[導(dǎo)讀]介紹了利用雙核DSP芯片TMS320VC5421的片內(nèi)Bootloader程序?qū)崿F(xiàn)并行引導(dǎo)的設(shè)計方案,給出了其軟件及硬件的具體實現(xiàn)方法。

  摘要:介紹了利用雙核DSP芯片TMS320VC5421的片內(nèi)Bootloader程序?qū)崿F(xiàn)并行引導(dǎo)的設(shè)計方案,給出了其軟件及硬件的具體實現(xiàn)方法。

    關(guān)鍵詞:TMS320VC5421;Bootloader;并行引導(dǎo);Boot表;FLASH;CPLD

1 引言

TMS320VC5421?1、2?(以下簡稱VC5421)是TI公司推出的一款雙核定點DSP芯片,它擁有兩個DSP子系統(tǒng),每個子系統(tǒng)都有一個DSP核,并且均有獨立的數(shù)據(jù)和程序存儲空間,可以進行兩核之間的通信,并且兩個子系統(tǒng)共享一套片外總線。此外,每個子系統(tǒng)各自擁有2k 16bit字的片內(nèi)ROM,并存儲有Bootloader程序。當(dāng)DSP芯片上電或復(fù)位時,兩個DSP核可分別啟動自身獨立的Bootloader程序,以實現(xiàn)用戶程序的上電自舉。

雙核DSP自啟動和單核DSP自啟動的實現(xiàn)方法有較大的差別,這一點在DSP系統(tǒng)設(shè)計中需要特別注意。本文對雙核DSP芯片VC5421的引導(dǎo)模式進行了深入的分析和研究,給出了使用16位并行引導(dǎo)模式進行雙核DSP引導(dǎo)的實現(xiàn)方案。

2 TMS320VC5421的Boot模式

VC5421可提供16位并行引導(dǎo)、8位并行引導(dǎo)和串行EEPROM引導(dǎo)等三種Boot模式來實現(xiàn)用戶程序的上電自舉。

其中16位并行引導(dǎo)模式是通過片外存儲器接口(EMIF)以DMA方式將代碼從16-bit字寬的片外數(shù)據(jù)存儲器搬移到片內(nèi)程序存儲空間;

8位并行引導(dǎo)模式則是通過片外存儲器接口(EMIF)以DMA方式將代碼從8-bit字寬的片外數(shù)據(jù)存儲器搬移到片內(nèi)的程序存儲空間;

而串行EEPROM引導(dǎo)模式主要是通過多通道緩沖串口2(McBSP 2)從主設(shè)備中搬移代碼并實現(xiàn)上電自舉。

和54系列中其它芯片不同的是,VC5421片內(nèi)ROM中的Bootloader程序并不支持HPI、并行I/O和標準串口模式的自啟動方式。在其所支持的三種boot模式中,16位并行引導(dǎo)模式是最常用的。本文對這種模式進行了深入分析,給出了使用該模式進行雙核DSP程序引導(dǎo)的方案,并通過實驗驗證了該方案的正確性。

    2.1 并行引導(dǎo)模式的選擇

VC5421的兩個DSP核在DSP芯片上電或復(fù)位時,到底以哪種模式實現(xiàn)上電自舉,主要由兩個核的公共引腳XIO和各自的GPIO0/ROMEN、GPIO1引腳決定。當(dāng)XIO為0(低電平)時,將不從ROM引導(dǎo),也就是說,將不使用VC5421片內(nèi)ROM中的Bootloader程序?qū)崿F(xiàn)上電引導(dǎo),而是用HPI模式實現(xiàn)上電自舉;當(dāng)XIO為1(高電平),GPIO0/ROMEN為0時,將使用片外存儲器中用戶自己編寫的Bootloader程序?qū)崿F(xiàn)上電自舉;當(dāng)XIO為1? GPIO/ROMEN為1? GPIO1為0或1時,將分別使用并行或者串行引導(dǎo)模式實現(xiàn)上電自舉。因此,在實施相應(yīng)的上電自舉前,必須將引腳狀態(tài)設(shè)置正確,以保證Bootloader程序按預(yù)定的模式執(zhí)行。Bootloader模式的選擇流程見圖1。

當(dāng)Bootloader程序檢測到并行引導(dǎo)模式時,程序?qū)⒁裕模停练绞綇钠鈹?shù)據(jù)存儲區(qū)的0000h單元取出模式選擇字(BSW)來進一步?jīng)Q定是8位還是16位的并行引導(dǎo)模式。10AAh意味著選擇了16位并行引導(dǎo)模式,而如果選擇8位并行引導(dǎo)模式,取出的兩個字節(jié)將是08h和AAh。之后,程序?qū)凑眨拢铮铮舯磉M行加載。圖2是并行引導(dǎo)模式的選擇流程。

2.2 16位并行引導(dǎo)模式的Boot表

Bootloader程序要搬移的代碼必須組織成一定的格式,這就是Boot表。16位并行引導(dǎo)模式的Boot表如表1所列。

表1 16位并行導(dǎo)模式Boot表

DMA外部數(shù)據(jù)存儲地址 數(shù) 據(jù) 內(nèi) 容 含    義
0000h 10AAh 16位并行引導(dǎo)標志
0001h 7FFFh SWWSR
0002h F000h BSCR
0003h 0000h 程序入門XPC
0004h 5000h 程序入口地址
0005h 002Ch 代碼長度
0006h 0000h 目的XPC
0007h 5000h 目的地址
0008h 7761h 程序代碼
…… …… 程序代碼
…… …… 程序代碼
0034h 0000h Boot表結(jié)束

此外,需要注意的是,由于在多數(shù)程序中都有跳轉(zhuǎn)指令或循環(huán)指令,所以,Boot表中的程序入口地址必須和程序的cmd文件中分配的地址保持一致,也就是說,當(dāng)在CCS中進行調(diào)試時,如果程序Load到5000h,Boot表中的程序入口地址就應(yīng)該是5000h。

2.3 Boot表的生成

Boot表可由hex500格式轉(zhuǎn)換工具生成,也可以自己編寫一個文件格式轉(zhuǎn)換程序來把.out文件轉(zhuǎn)換成所需的文件格式。本設(shè)計通過編寫一個C++程序來將.out文件轉(zhuǎn)換成.hex文件,然后再在文件的開始處增加相應(yīng)的標志位和寄存器設(shè)置字,從而形成完整的Boot表。

3 VC5421片外總線沖突的解決方案

由于VC5421是雙核DSP,每個核有各自的存儲空間和Bootloader程序,但兩核共享一套片外總線和一個XIO引腳。這樣,當(dāng)兩核的復(fù)位引腳A_RS和B_RS同時收到復(fù)位低電平信號時,將同時申請片外總線的控制權(quán)。這就造成了申請片外總線的沖突。而且Bootloader程序總是檢查該核有沒有片外總線的控制權(quán),如果沒有,將循環(huán)檢查直到取得片外總線的控制權(quán)。為了避免這種情況的發(fā)生,應(yīng)該以合理的順序給兩個核上電。

由于VC5421中A核帶有用來控制時鐘頻率的鎖相環(huán)電路,所以應(yīng)該先對A核進行復(fù)位,再啟動A核,然后利用A核的用戶程序來控制B核的復(fù)位,以實現(xiàn)兩個核的啟動。

根據(jù)系統(tǒng)需要,本設(shè)計使用Altera公司的CPLD芯片來產(chǎn)生各種控制信號。其電路連接示意圖如圖3所示。A核的復(fù)位信號A_RS由CPLD芯片直接給出,并在系統(tǒng)上電或復(fù)位的同時對A核進行復(fù)位。而B核的復(fù)位信號B_RS則通過CPLD映射到DSP的I/O空間0000h地址單元的第6位:B核復(fù)位控制位(在系統(tǒng)復(fù)位后值為0)如圖4所示。在A核啟動后,通過用戶程序?qū)懀拢撸遥游豢蔀椋潞颂峁?fù)位信號。

4 VC5421的并行引導(dǎo)自啟動操作

4.1 用戶程序的搬移

兩個DSP核要完成各自的功能,執(zhí)行的用戶程序是不盡相同的,而且A核的用戶程序還要控制B核的復(fù)位,因此兩個DSP核的Boot表內(nèi)容是不同的。由DMA方式內(nèi)部存儲器圖可知,程序空間的第0頁和第1頁屬于A核,第2頁和第3頁屬于B核。因此,需要注意的是,當(dāng)Bootloader程序搬移用戶程序時,A核的用戶程序要被搬移到內(nèi)部程序空間的第0頁上,而B核的用戶程序則要被搬移到第2頁上。于是B核Boot表中的程序入口XPC和目的XPC應(yīng)被設(shè)置成0002h。

4.2 Boot表的放置

本系統(tǒng)用4Mbit(256k×16)FLASH器件SST39VF400A作為片外數(shù)據(jù)存儲器。頁選信號由DSP通過CPLD給出,并且映射到DSP中I/O空間的0000h地址單元的低5位(系統(tǒng)復(fù)位后5位均為0,即第0頁)。如圖4所示。另外,此地址單元的第5位(CFG位)是控制FLASH映射的配置位。當(dāng)CFG為0時,FLASH被映射到DMA片外數(shù)據(jù)空間的0000h,此時,Bootloader程序可以以DMA方式從FLASH中搬移數(shù)據(jù)并進行自啟動;當(dāng)CFG為1時,FLASH被映射到CPU片外數(shù)據(jù)空間的8000h,在這種情況下,可以通過程序向FLASH中燒寫數(shù)據(jù)。因此,這一位在系統(tǒng)上電或復(fù)位后將被設(shè)置成0,以使A核能夠順利啟動。

由于兩個DSP核的Boot表內(nèi)容不同,故應(yīng)視Boot表的大小,將兩個Boot表放到FLASH的不同頁上,以便對兩個核分別實行引導(dǎo)。本設(shè)計將A核的Boot表放到第0頁,將B核的Boot表放到第1頁。

圖5

    4.3 外總線控制權(quán)的釋放

如圖5所示,在GPIO控制寄存器(地址3Ch)中,XIO_GRANT位為1代表相應(yīng)的DSP核取得了片外總線的控制權(quán);而在還沒有取得控制權(quán)(XIO_GRANT位為0)但在申請片外總線的控制權(quán)時,相應(yīng)的XIO_REQ位應(yīng)置為1;CORE_SEL位用于表示程序在哪個核上運行,當(dāng)在CPU A上運行時,讀A核的GPIO控制寄存器的CORE_SEL位將返回到“0”,而當(dāng)同一個程序在CPU B上運行時,讀B核的GPIO控制寄存器的CORE_SEL位將返回到“1”。有關(guān)GPIO控制寄存器的其它相關(guān)位,設(shè)計時可查閱有關(guān)的參考文獻?1?。

4.4 FLASH的燒寫

筆者根據(jù)SST39VF400A的資料編寫了一個DSP程序,該程序可同時將A核的Boot表燒寫到FLASH的第0頁,而將B核的Boot表燒寫到第1頁。

在系統(tǒng)上電或復(fù)位后,A核首先運行它的Boot-loader程序(此時FLASH的第0頁映射到DMA片外數(shù)據(jù)空間的0000h地址單元),A核啟動后執(zhí)行用戶程序。用戶程序首先將頁選設(shè)置成第1頁,這樣,FLASH的第一頁將被映射到DMA片外數(shù)據(jù)空間的0000h;然后,A核釋放片外總線控制權(quán),并給B核發(fā)出復(fù)位信號,此時由于只有B核復(fù)位,且A核已釋放片外總線的控制權(quán),因此,B核將申請到片外總線控制權(quán),同時執(zhí)行Bootloader程序的啟動以完成整個DSP引導(dǎo)。完整的啟動過程流程圖如圖6所示,下面是A核的啟動測試程序代碼:

·mmregs

·titlc ″testLEDA″

·global begin

·text

?.............

begin? stm #0x000,0x0061 ;設(shè)置頁選信號

portw ox0061,00h

call wait

andm #0xffcf,3ch ;釋放片外總線

call wait ; 控制權(quán)

stm #0x0041?0x0061 ;給B核復(fù)位信號

portw 0x0061,00h

call wait

stm #0x0001,0x0061

portw 0x0061,00h

flash: rsbs 1,xf ;發(fā)光二極管亮

call wait

ssbx 1,xf ;發(fā)光二極管滅

call wait

b flash

;----Subroutine to wait for some time----

wait: stm #80,ar6

loop0: stm #30000,ar7-

loop1: nop

banz loop1,*ar7-

banz loop0,*ar6-

ret

5 實驗驗證

本設(shè)計中,在DSP的A_XF和B_XF腳上連接兩個發(fā)光二極管,同時使被加載的用戶程序通過循環(huán)來設(shè)置/清除這兩個引腳以使兩個發(fā)光二極管以不同的頻率閃爍,以此來驗證用戶程序是否成功加載。系統(tǒng)上電后,兩個發(fā)光二極管先后以不同的頻率開始閃爍,說明DSP的A核、B核均成功地實現(xiàn)了上電自舉。

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