當(dāng)選擇旁路和去耦電容時(shí)，會(huì)牽涉到計(jì)算電容器的充、放電自諧振頻率，這可通過(guò)邏輯系列結(jié)合所使用的時(shí)鐘速度計(jì)算。電容器的電容值選擇還是必須根據(jù)該電容器在電路中的容抗。低于諧振頻率以下，電容器表現(xiàn)為容性，高于諧振頻率以上，電容器表現(xiàn)為感性。如表1所示，描述了兩種類(lèi)型的陶瓷電容器的自諧振頻率，其中一種是標(biāo)準(zhǔn)的0.25 In引線(xiàn)類(lèi)型，另一種是表面安裝類(lèi)型。可從表中發(fā)現(xiàn)，表面安裝電容器的自諧振頻率比標(biāo)準(zhǔn)的0.25 In引線(xiàn)類(lèi)型的要高很多。這種更高的自諧振頻率是因?yàn)樗懈偷囊€(xiàn)電感，更小的封裝尺寸。如表5－2所示，顯示了不同頻率下的15nH電感器的感抗值。這個(gè)感抗值是由電容器的引線(xiàn)長(zhǎng)度和在典型PCB上的安裝方式所決定的。

引線(xiàn)電容只不過(guò)是有引線(xiàn)的表面安裝器件。一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)典型的引線(xiàn)電容其電感平均大約為每0.1in引線(xiàn)2.5 nH。由此推算，表面安裝電容器的引線(xiàn)長(zhǎng)度電感平均為1nH。

表1 電容器的自諧振頻率大概值（基于引線(xiàn)長(zhǎng)度）

電感器的頻率改變時(shí)，其阻抗值也會(huì)改變，不像電容器那樣改變諧振響應(yīng)。在電感器周?chē)募纳娙輹?huì)產(chǎn)生并聯(lián)諧振進(jìn)而改變其響應(yīng)。電路的頻率越高，其阻抗越大。當(dāng)使用電容器作為去耦考慮時(shí)，由于存在引線(xiàn)中的電感，所以設(shè)計(jì)中必須重點(diǎn)考慮。表面電容器在更高頻率時(shí)的性能比徑向或軸向電容要好，這是因?yàn)槠溆懈偷膬?nèi)部引線(xiàn)電感。

表2 nH電感的感抗與頻率對(duì)照表

在對(duì)不同封裝尺寸的表面安裝電容器進(jìn)行“SPICE”測(cè)驗(yàn)或分析時(shí)，相同電容值的所有電容器在保持其他測(cè)驗(yàn)常數(shù)不變的情況下，不同封裝尺寸的電容器其自諧振頻率僅有幾個(gè)MHz的改變c現(xiàn)在產(chǎn)品中常見(jiàn)的1210、0805和0603的表面安裝電容器，使用不同的電介質(zhì)材料。電介質(zhì)材料對(duì)改變電容器的自諧振頻率無(wú)明顯作用。不同的封裝尺寸，就表面安裝過(guò)程中，引線(xiàn)長(zhǎng)度電感的不同而言，自諧振頻率的變化是不明顯的，其范圍通常在2～5 MHz之間。

當(dāng)對(duì)大量的電容器樣品在實(shí)驗(yàn)環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試后，會(huì)觀(guān)察到一個(gè)有趣的現(xiàn)象：與預(yù)測(cè)一樣，在分析得到的頻率上該電容器發(fā)生自諧振。自諧振頻率在大量樣品中改變明顯，這主要源于電容器的公差率。因?yàn)樵谥谱鬟^(guò)程中，電容器的公差率通常為±10％，優(yōu)質(zhì)電容器在±2％～5％。制作上的公差影響元件的電容值，實(shí)際的自諧振頻率依賴(lài)于器件的公差比率。如果一個(gè)設(shè)計(jì)需要嚴(yán)格的考究，就要求使用昂貴的精密電容器。

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