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電機(jī)出現(xiàn)缺相運(yùn)行時(shí)，會(huì)導(dǎo)致電機(jī)損壞嗎
當(dāng)電機(jī)出現(xiàn)缺相運(yùn)行時(shí)，會(huì)導(dǎo)致電機(jī)無法正常工作，甚至可能損壞。缺相運(yùn)行通常是由于電源線路問題或電機(jī)內(nèi)部接線不良所致。
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電容的旁路的容抗頻率特性和儲能特性
電容的旁路作用原理基于其容抗頻率特性和儲能特性，通過為高頻噪聲提供低阻抗通路實(shí)現(xiàn)信號分流與電源穩(wěn)定。
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電源電路、音頻電路以及射頻電路中的電容作用
電容描述的是器件儲存電荷的能力。電容的定義是器件的電荷量與電勢之比，常用C表示。電容的量綱是L-2M-1T4I2，國際單位制下單位是F(法拉)。
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反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)如何做到非常簡單
因其輸出端在原邊繞組斷開電源時(shí)獲得能量故而得名。反激式變換器以其電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉而深受廣大開發(fā)工程師的喜愛。
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電容器內(nèi)部構(gòu)造以及電容的特性詳解
快速充電,電容充電是一種快速的充電方式，可以在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)向電容器內(nèi)注入大量電荷的過程。這與電容器內(nèi)部構(gòu)造以及電容的特性密切相關(guān)。
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電力電子中的控制EMI的方法有哪些？
控制EMI的方法有許多種，包括屏蔽、濾波、隔離、鐵氧體磁環(huán)、信號邊沿控制以及在PCB中增加電源和GND層等等。就電源而言，傳統(tǒng)方法是通過減慢開關(guān)邊沿或降低開關(guān)頻率。
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反激變換器的傳導(dǎo)干擾主要源在哪幾個(gè)方面
電磁干擾主要是傳導(dǎo)干擾和輻射干擾，傳導(dǎo)干擾是在輸入和輸出線上流過的干擾噪聲，來源于差模電流噪聲和共模電流噪聲;輻射干擾是通過空間輻射的干擾噪聲，來源于電場發(fā)射和磁場發(fā)射，它們之間可以相互轉(zhuǎn)換。
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MOSFET開關(guān)速度對系統(tǒng)性能的影響
在電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開關(guān)器件，其開關(guān)過程中的電磁干擾(EMI)問題備受關(guān)注。
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在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)該如何選擇適合自己的示波器呢?
在開關(guān)節(jié)點(diǎn)(SW)與地之間并聯(lián)RC緩沖器(C=1nF-10nF，R=1Ω-10Ω)，通過阻尼消耗振蕩能量。緩沖電阻功率需按P=0.5·C·V2·Fsw計(jì)算，確保長期可靠性。
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SiC MOSFET的直流EMI特征：高頻與寬頻的雙重挑戰(zhàn)
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進(jìn)的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。
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IGBT開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間的工作特性介紹
IGBT是一個(gè)發(fā)熱源，其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會(huì)越多。而IGBT的開通與關(guān)斷并不是瞬間完成的，有開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間。
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究竟什么是高性能磁性材料呢?
高性能磁性材料是具有高磁能積和矯頑力的材料，用于制造各種磁性設(shè)備。高性能磁性材料是一類具有高磁能積和矯頑力的材料，可以產(chǎn)生強(qiáng)大的磁場，廣泛應(yīng)用于電力機(jī)械、電子、信息、通信、航空、國防等領(lǐng)域。
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常用的過電壓保護(hù)的定義和作用
當(dāng)被保護(hù)線路的電壓超過預(yù)定的最大值時(shí)，過電壓保護(hù)機(jī)制會(huì)使電源斷開或使受控設(shè)備的電壓降低，從而保護(hù)設(shè)備免受損害。
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自動(dòng)化領(lǐng)域中的反饋控制缺點(diǎn)
通過不斷比較實(shí)際輸出與期望輸出之間的誤差，并將該誤差作為輸入信號進(jìn)行修正，反饋控制可以使系統(tǒng)更加穩(wěn)定和精確地達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)。
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音頻處理器的作用有哪些？
無論是在音樂制作、會(huì)議系統(tǒng)還是廣播系統(tǒng)中，它都發(fā)揮著不可或缺的作用。讓我們一起來揭開音頻處理器的神秘面紗吧!
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