推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON) 推出全新世界級的高密度電源適配器方案，用于需要兼容USB供電(USB PD)或高通Quick Charge™規(guī)格的筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設備。這一包含多項正待批專利的方案，包括有源鉗位反激(ACF)控制器NCP1568和一個相應的高速半橋驅動器NCP51530。該方案是一個65 W 符合USB-PD的適配器，具有30 W/in^3的功率密度，以94.5%的峰值能效工作。

NCP1568是一款高度集成的AC-DC脈寬調制(PWM)控制器，采用ACF拓撲結構，包含零電壓開關(ZVS)，用于要求高功率密度和高能效的高頻應用(高達1 MHz)。此外，NCP1568控制器可以應用經(jīng)驗證的超結(SJ)FET或高性能氮化鎵(GaN)FET的ACF拓撲結構。

通過包含高壓啟動，一個基于NCP1568的方案只需少量外部元件，降低待機能耗。此外，工作的高頻率使無源元件尺寸得以縮減，大幅提高功率密度。它能夠無縫過渡到非連續(xù)導電模式(DCM)，進一步提高輕載條件下的能效，使待機功率水平低于30毫瓦(mW)。這也使電源設計人員能通過全球能效監(jiān)管標準。自適應ZVS頻率調制提供可變輸出電壓，優(yōu)化USB-PD和快速充電的實施。

NCP1568采用小型TSSOP-16封裝，具有多重保護功能。靜音跳躍功能消除工作時的可聞噪聲，這是室內(nèi)電源適配器應用的一個基本需求。

NCP51530A/B是700伏(V)高頻率、高端與低端驅動器，可直接驅動高性能電源應用中的兩個N溝道功率MOSFET。其特點是快速的動態(tài)響應，30納秒(ns)的傳播延遲對于高頻工作是理想的，而5 ns的傳播延遲匹配確保領先市場的能效性能。

這器件提供非常強固的方案，具有高dv/dt免疫性(高達50 V/ns)和負瞬態(tài)免疫性。它采用SOIC-8或DFN-10封裝，后者提供了改進的爬電距離和一個裸露焊盤。另有一個采用SO-8封裝、通過AEC-Q100認證的版本，適用于高要求的汽車應用。

安森美半導體AC-DC業(yè)務部市場與應用總監(jiān)Ryan Zahn表示：“這方案代表現(xiàn)代電源適配器和電池充電器設計的重大進步。NCP1568 ACF控制器具備先進的功能和靈活的操作，提供卓越的能效;同時使用了SJ FET，且只需少量外部元件，實現(xiàn)USB PD的高密度設計。 NCP51530驅動器是一款高速、高性能、強固的電源方案，亦包括針對汽車應用的AEC Q-100認證選擇。”

安森美半導體現(xiàn)提供NCP1568和NCP51530樣品，并將于2018年第二季度全面量產(chǎn)。

安森美半導體于3月4日至8日在美國德克薩斯州圣安東尼奧市舉行的APEC 2018#601展臺展示NCP1568和NCP51530。