7月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道，日本芯片制造商Rapidus已宣布啟動(dòng)2nm晶圓的測(cè)試生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2027年正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

根據(jù)Tomshardware報(bào)道，在Rapidus日本的IIM-1廠區(qū)已經(jīng)展開對(duì)采用2nm全環(huán)繞柵極架構(gòu)(GAA) 晶體管技術(shù)的測(cè)試晶圓進(jìn)行原型制作。

公司確認(rèn)，早期測(cè)試晶圓已達(dá)到預(yù)期的電氣特性，這表示其晶圓廠工具運(yùn)作正常，制程技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利。

原型制作是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的一個(gè)重要里程碑，目的在驗(yàn)證使用新技術(shù)制造的早期測(cè)試電路是否可靠、高效并達(dá)到性能目標(biāo)。

Rapidus目前正在測(cè)量其測(cè)試電路的電氣特性，包括臨界電壓、驅(qū)動(dòng)電流、漏電流、次臨界斜率、開關(guān)速度、功耗和電容等參數(shù)。

另外，Rapidus的IIM-1廠區(qū)自2023年9月動(dòng)工以來(lái)件展正常，無(wú)塵室于2024年完成，截至2025年6月已連接超過(guò)200套設(shè)備，包括先進(jìn)的DUV和EUV光刻工具。

之前有說(shuō)法認(rèn)為，日本本國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多年打擊后，其老舊產(chǎn)線基本退出，僅剩少數(shù)設(shè)備仍在運(yùn)行。

在臺(tái)積電大規(guī)模投資日本工廠之前，日本連量產(chǎn)40nm制程芯片都難以實(shí)現(xiàn)，在制程領(lǐng)域甚至落后于中國(guó)大陸。