垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）憑借其低閾值、圓形光斑、單縱模、低溫漂系數(shù)、高可靠性及易于二維集成的優(yōu)點，廣泛應用于泵浦源、消費電子、3D傳感、醫(yī)療美容等多個領(lǐng)域。然而，傳統(tǒng)VCSEL在輸出功率方面存在一定的局限，為提高功率，通常采用增大氧化孔徑、多結(jié)結(jié)構(gòu)以及擴大陣列規(guī)模等方法。這些手段雖然能夠增加輸出功率，但卻導致發(fā)散角增大和橫模變?yōu)楦唠A模等問題，進而使光束質(zhì)量（Beam Parameter Product，BPP）下降，最終導致亮度急劇降低。因此，高功率與高光束質(zhì)量之間的制約，成為了VCSEL技術(shù)發(fā)展的核心難題之一，也極大地限制了其在激光雷達、空間光通信等需要高亮度光源的遠程探測與照明系統(tǒng)中的應用。

為解決這一瓶頸，中國科學院半導體研究所固態(tài)光電信息技術(shù)實驗室鄭婉華院士團隊聯(lián)合中國科學院大學等單位，創(chuàng)新性地提出二維固態(tài)激光陣列（SSLA）解決方案。該技術(shù)通過將大尺寸高功率VCSEL陣列與薄型Nd:YVO4激光晶體直接集成，構(gòu)建出緊湊型二維面陣激光器結(jié)構(gòu)，在實現(xiàn)功率等比擴展的同時能顯著提升光束質(zhì)量。實驗數(shù)據(jù)顯示，這款3×3 mm2 的SSLA陣列在1 μm中心波長下，單脈沖能量達4.7 mJ，光光轉(zhuǎn)換效率52%，面光源亮度高達1.27 kW·cm-2·sr-1，較傳統(tǒng)VCSEL陣列提升近三個數(shù)量級。其創(chuàng)新性體現(xiàn)在：①各發(fā)光單元保持M2<1.5的優(yōu)異光束質(zhì)量；②繼承VCSEL陣列的固有激光發(fā)射陣列模式；③突破功率擴展與光束退化的傳統(tǒng)矛盾。這種“高功率-高亮度-高集成"三位一體的技術(shù)突破，為遠程探測系統(tǒng)提供了輕量化的高亮度光源解決方案。此外，這項二維固態(tài)激光陣列技術(shù)的突破，不僅為傳統(tǒng)應用領(lǐng)域的進一步發(fā)展開辟了新的可能，也為高速數(shù)據(jù)傳輸、三維成像、精密測距等新興領(lǐng)域的應用奠定了技術(shù)基礎。在未來，隨著技術(shù)的不斷成熟，面陣激光源的可芯片化設計將成為激光技術(shù)發(fā)展的重要方向，推動激光技術(shù)向更高效、更緊湊的未來邁進。

該研究成果以“Scaled-up 2D Solid-State Laser Array”為題，發(fā)表于Optics Letters（《光學快報》），并被選為Editor's pick（“編輯精選”）。半導體所博士生張妮慧和國科大單珍嬌為論文共同第一作者，渠紅偉研究員、周旭彥副研究員和齊愛誼副研究員做出了重要貢獻。該工作得到了鄭婉華院士的悉心指導和國家重點研發(fā)計劃項目的支持。