12月19日消息，據(jù)報道，俄羅斯已公布自主開發(fā)EUV(極紫外光刻)光刻機的路線圖，目標是比ASML的光刻機更便宜、更容易制造。

據(jù)悉，俄羅斯的自主光刻機采用11.2nm的激光光源，而非ASML標準的13.5nm。這種波長將與現(xiàn)有的EUV設(shè)備不兼容，需要俄羅斯開發(fā)自己的光刻生態(tài)系統(tǒng)，這可能需要十年或更長時間。

包括電子設(shè)計自動化(EDA)工具也需要進行更新。雖然現(xiàn)有EDA工具仍可完成邏輯合成、布局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關(guān)鍵制程，如光罩數(shù)據(jù)準備、光學鄰近校正(OPC)和分辨率增強技術(shù)(RET)，則需要重新校準或升級為適合11.2nm的新制程模型。

該項目計劃由俄羅斯科學院微結(jié)構(gòu)物理研究所的Nikolay Chkhalo領(lǐng)導，目的是制造性能具競爭力且具成本優(yōu)勢的EUV光刻機，以對抗ASML的設(shè)備。

Chkhalo 表示，11.2nm波長的分辨率提高了20%，可以提供更精細的細節(jié)，同時簡化設(shè)計并降低光學元件的成本。

這種調(diào)整顯著減少了光學元件的污染，延長了收集器和保護膜等關(guān)鍵部件的使用壽命。

俄羅斯的光刻機還可使用硅基光阻劑，預期在較短波長下將具備更出色的性能表現(xiàn)。 盡管該光刻機產(chǎn)量僅為ASML設(shè)備的37%，因為其光源功率僅3.6千瓦，但性能足以應付小規(guī)模芯片生產(chǎn)需求。

據(jù)報道，俄羅斯光刻機的開發(fā)工作將分為三個階段，第一階段將聚焦于基礎(chǔ)研究、關(guān)鍵技術(shù)識別與初步元件測試。

第二階段將制造每小時可處理60片200毫米晶圓的原型機，并整合至國內(nèi)芯片生產(chǎn)線。

第三階段的目標是打造一套可供工廠使用的系統(tǒng)，每小時可處理60片300毫米晶圓。

目前還不清楚其光刻機將支持哪些制程技術(shù)，路線圖也未提到各階段完成的時間表。