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[導讀]在下述的內(nèi)容中,小編將會對PMOS的相關(guān)消息予以報道,如果PMOS是您想要了解的焦點之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

在下述的內(nèi)容中,小編將會對PMOS的相關(guān)消息予以報道,如果PMOS是您想要了解的焦點之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、為什么這款PMOS電路圖整體功耗偏大

今天看到道友發(fā)來一張NPN三極管控制PMOS的電路圖,提問是為什么整體功耗偏大?那么您有沒有發(fā)現(xiàn)為什么整體功耗偏大呢?電路圖如下。

先闡述一下電路工作原理:EN控制三極管導通或者關(guān)斷,當EN輸出高電平時,三極管導通,PMOS管的柵極拉低到地,從而PMOS的Vgs達到開啟條件,PMOS導通,VBUS向VCC供電;當EN輸出低電平時,三極管截止,PMOS關(guān)斷,從而VCC斷電。

確實,上圖的電路也能“正常工作”,那么功耗為什么這么大?您是不是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了呢?

答案是:三極管的基極電阻R3選的10Ω,實在是太小了!!!!

假設(shè)EN輸出高電平為3.3V,按Vbe=0.7V算(實際上Vbe比這個要大);那么Ib=(3.3V- 0.7V)/10Ω ≈0.26A!!(單片機的IO輸出能力一般在20mA內(nèi),這個R3實在是太小了,單片機竟然沒壞??!)那么這個R3上的功率PR3≈0.26*0.26*10=0.676W

0603電阻封裝功率一般按0.1W算,其實這個R3電阻已經(jīng)超額了!!

所以這就是電路功耗大的原因!!三極管的Ib占了主要的功耗來源。甚至可能會損毀單片機!

那么這個電路怎么改善呢?群友給了兩個改善方法:

群友A:10Ω太小了(上面已分析),增大R3阻值為100k。然后提問的群友又回復了,R3換為100K后三極管不能導通了

(究其原因是因為R3和R4一分壓,3.3V的控制信號被分壓到了0.3V,所以三極管不能導通了),所以解決方案應該是增加R3阻值,增加到10K~100K,同時增大R4阻值(例如讓R4比R3大十倍,讓R3和R4分壓后可以使三極管飽和導通);這樣三極管就能正常導通了,而且功耗也不會很大啦。

群友B:直接把Q2從三極管更換為NMOS管,因為三極管是流控器件,MOS管是壓控器件,換成MOS管可以平替三極管,解決三極管Ib的電流。

那么大概修改后的電路就大致更改為

那么您更傾向于哪種改法呢?哈哈,要是我的話,那肯定是哪個便宜用那個啦,我選第一種改法,畢竟NMOS要比三極管要貴一些,要勤儉持家?guī)屠习迨″X是不是,哈哈。

二、怎么解決PMOS不能關(guān)斷問題

分享一個我解決PMOS不能關(guān)斷問題,我之前遇到了一個PMOS不能關(guān)斷的問題,這個PMOS是用于電源開關(guān)的,電路大概是這樣子的,很常見的電路,當然PMOS不是這個AO3401,是一個大電流的PMOS,原理是一樣的,只不過小的PMOS和大的PMOS有點不同而已,PMOS不能完全關(guān)斷的問題不是我的G極設(shè)計參數(shù)的問題也不是體二極管導通的問題,這個我把控的很好不會有問題。G極設(shè)計問題這種幼稚的問題,我才不會發(fā)出來呢,PMOS不能完全關(guān)斷的問題發(fā)生的條件就是PMOS的G極關(guān)斷,但是S極完全懸空的情況下,這時候S極就會有虛電,大概的電壓的話是D極的一半多一點,多發(fā)生在大電流PMOS管下,小電流的PMOS管暫時沒看見,解決的辦法的話就是在D極加一個放電電阻,大概10K左右就能解決,為什么會發(fā)生D極虛電的情況呢?

我查了一些資料,總結(jié)了一下,大概就是,PMOS關(guān)斷時,不是完全關(guān)斷,還是會有一些電荷漏過去,由于PMOS管的關(guān)斷時的內(nèi)阻很高,所以只要有一點點電荷就能撐起很高的電壓,會給人造成這樣一種假象我的PMOS沒關(guān)斷,這種問題,很容易發(fā)生在沒有經(jīng)驗的人身上,故在此記錄。

以上就是小編這次想要和大家分享的內(nèi)容,希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章,可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應的頻道哦。

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