隨著半導體行業(yè)技術的不斷進步，ASML公司即將在2030年推出Hyper-NA EUV設備，這一設備將能夠支持1納米以下的先進工藝技術。這一消息由韓國媒體Chosun Biz報道，標志著ASML在EUV光刻技術領域的又一次重大突破。

EUV光刻技術以其高分辨率和生產(chǎn)效率而聞名，它不僅能夠制造出更復雜的電路圖案，還能簡化制造流程，提升芯片性能。然而，這種技術的高昂成本一直是行業(yè)的主要顧慮。目前，一臺EUV設備的價格約為1.8億美元，而新型High-NA EUV設備的價格更是高達3.6億美元。預計Hyper-NA EUV設備的價格將超過7.2億美元。

盡管價格昂貴，但ASML已經(jīng)收到了主要行業(yè)參與者的訂單。臺積電的張凱文博士表示，盡管High-NA EUV的性能卓越，但其價格也相當昂貴。他建議臺積電應該繼續(xù)利用現(xiàn)有的EUV設備，以實現(xiàn)1.6納米技術的發(fā)展。

行業(yè)分析師預計，臺積電可能會繼續(xù)其現(xiàn)有的EUV設備戰(zhàn)略，專注于多重圖案技術，并在評估新設備采用的規(guī)模時，謹慎行事以減輕投資負擔。

與此同時，三星也在考慮High-NA設備的采用時機，可能會直接跳過High-NA EUV，轉(zhuǎn)向Hyper-NA系統(tǒng)，盡管這存在一定的風險。

英特爾作為High-NA EUV技術的早期采用者，已經(jīng)面臨了財務挑戰(zhàn)。2023年，其代工部門虧損高達70億美元，并且這種虧損在2024年第一季度仍在繼續(xù)。這在一定程度上是由于早期采用下一代EUV設備的成本負擔。

ASML表示，其向英特爾供應的High-NA EUV系統(tǒng)能夠處理從2納米到0.7納米的工藝。展望未來，Hyper-NA EUV技術對于實現(xiàn)1納米以下工藝將變得至關重要。

隨著技術的發(fā)展和成本的降低，Hyper-NA EUV設備有望成為推動半導體行業(yè)進一步發(fā)展的關鍵力量。盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，但ASML的這一創(chuàng)新無疑將為全球芯片制造商提供新的機遇和可能性。