美國加利福尼亞州戈萊塔，中國臺灣新竹 — 2024年4月25日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(納斯達克：TGAN)與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子，TWSE：2436)今日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件(SiP)，與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于 Transphorm SuperGaN? 平臺的系統(tǒng)級封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。

新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模(準諧振/谷底開關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件(WT7162RHUG24A)相同，兩款全新器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是，它們還可提供更多創(chuàng)新功能，包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應OCP補償和自適應綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設計方案，更快地設計出高質(zhì)量的電源產(chǎn)品。

偉詮電子市場推廣副總裁Wayne Lo表示：“去年，我們推出了首款SiP氮化鎵器件，這是偉詮電子發(fā)展歷程中的一個重要里程碑。對于AC-DC電源產(chǎn)品市場，SiP氮化鎵器件代表了一種全新的進入市場策略(Go-To-Market Strategy)。今天發(fā)布的新產(chǎn)品表明，我們將繼續(xù)為該應用領(lǐng)域提供更多的器件選擇，支持更廣泛的產(chǎn)品功率級?；?Transphorm SuperGaN平臺并采用整體封裝解決方案，可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到接近200瓦功率充電器的各種裝置提供更易設計的高性能電源，這是 Transphorm氮化鎵器件的獨特之處?！?/p>

終端產(chǎn)品制造商想方設法開發(fā)物料(BOM)成本更低、但同時又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外，針對許多應用場景，制造商還希望提供具有多個端口和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案，產(chǎn)品外形都要做到更小、更輕。

Transphorm常閉型d-mode SuperGaN 技術(shù)平臺的主要優(yōu)勢包括：同類最佳的穩(wěn)固性(+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性)及可靠性(FIT失效率<0.05)，且功率密度比硅器件高50%。偉詮電子精簡的SiP設計，利用了上述GaN器件優(yōu)勢以及自身的創(chuàng)新技術(shù)，打造出一款近乎即插即用的解決方案，縮小外形尺寸的同時，加快設計速度。

Transphorm全球銷售及FAE副總裁 Tushar Dhayagude 表示：“從適配器和充電器制造商的需求考慮，SiP可以成為重要的器件選項。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，從而在最短的時間內(nèi)可設計出產(chǎn)品。偉詮電子此前推出的首款器件驗證了SuperGaN SiP的性能和靈活性。本次發(fā)布新款器件，表明了我們兩家公司在深化并實踐為客戶提供更多選擇的承諾?！?/p>

產(chǎn)品規(guī)格

主要特點

目標應用和供貨情況

偉詮電子 SuperGaN SiP系列特別適用在用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦、頭戴式耳機、無人機、揚聲器、相機等移動/物聯(lián)網(wǎng)設備等的輕薄、高性能的USB-C電源適配器。