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[導(dǎo)讀]2024年慕尼黑上海光博會于3月20-22日舉行,陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵(GaAs)IPD晶圓、氮化鎵(GaN)HEMT晶圓4項(xiàng)成果亮相,展位上的各項(xiàng)產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。

2024年慕尼黑上海光博會于3月20-22日舉行,陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵(GaAs)IPD晶圓、氮化鎵(GaN)HEMT晶圓4項(xiàng)成果亮相,展位上的各項(xiàng)產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。

據(jù)光電子先導(dǎo)院技術(shù)人員介紹,“公司研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)僅用了6個月的開發(fā)周期,就完成了VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓2款產(chǎn)品的全流程工藝開發(fā),通過了1000H的高溫高濕、高溫帶電、冷熱沖擊等可靠性測試,并發(fā)布了PDK(Process Design Kit,工藝設(shè)計套件)。這意味著公司已經(jīng)具備了相應(yīng)的工藝代工能力。”

此外,“基于常開型 GaN HEMT 技術(shù),公司研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)還完成了器件不同技術(shù)路線工藝流程的開發(fā);針對GaAs無源器件模型,開發(fā)了無源器件成套工藝,完成薄膜電阻、平板電容、螺旋電感等器件的建模。公司已經(jīng)具備GaN HEMT 、GaAs無源器件共性基礎(chǔ)工藝能力,正在進(jìn)一步優(yōu)化器件性能,可同步對接研發(fā)流片需求”,光電子先導(dǎo)院技術(shù)人員說。

據(jù)悉,本屆光博會,來自海內(nèi)外的1200家光電行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚于此,共同探索光電行業(yè)的未來發(fā)展方向,聚焦新技術(shù)、新趨勢,成為詮釋“新質(zhì)生產(chǎn)力”的風(fēng)向標(biāo)。

“光子行業(yè)的發(fā)展,將推動信息技術(shù)和新型工業(yè)化質(zhì)的飛躍,是新質(zhì)生產(chǎn)力的典型代表。”陜西光電子先導(dǎo)院總經(jīng)理?xiàng)钴娂t認(rèn)為,隨著人工智能、航空航天、智能制造、新能源、生命科學(xué)的蓬勃發(fā)展,光子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也逐漸進(jìn)入快速增長期。

陜西光電子先導(dǎo)院成立于2015年,配備有超百人的完整工藝技術(shù)團(tuán)隊(duì),擁有先進(jìn)的化合物芯片關(guān)鍵設(shè)備100余臺(套)和千級、萬級、十萬級潔凈廠房8000㎡(研發(fā)平臺5000㎡,中試平臺3000㎡),是集研發(fā)及中試服務(wù)為一體的光電芯片領(lǐng)域?qū)I(yè)服務(wù)平臺。

作為陜西省光子產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè),陜西光電子先導(dǎo)院以“暢鏈”和“延鏈”進(jìn)行帶動,目前陜西全省光子產(chǎn)業(yè)企業(yè)已發(fā)展到300余家、產(chǎn)值300余億元,形成了光子領(lǐng)域全國創(chuàng)新版圖中的“陜西生產(chǎn)力”。

楊軍紅表示,“光電子先導(dǎo)院一直把為光子企業(yè)提供研發(fā)、中試、測試、工程化服務(wù)作為核心價值,先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺為更多項(xiàng)目提供‘化合物+硅光芯片’全流程服務(wù),吸引更多的光電子芯片創(chuàng)新主體融通匯集、聚鏈成群?!?

為了拓展工程平臺“1+N”的服務(wù)模式,除了VCSEL主平臺工藝的開發(fā)外,陜西光電子先導(dǎo)院在2023年還同步進(jìn)行砷化鎵IPD無源器件和GaN HEMT共性基礎(chǔ)工藝平臺開發(fā)。截至2023年末,已完成了基礎(chǔ)工藝的開發(fā),并經(jīng)過多輪流片驗(yàn)證,工藝過程參數(shù)均符合指標(biāo)要求,工藝過程可控。

為進(jìn)一步培育光子產(chǎn)業(yè)競爭新優(yōu)勢,陜西光電子先導(dǎo)院將持續(xù)追加投資,對現(xiàn)有平臺進(jìn)行升級。一方面,擬對現(xiàn)有化合物光子器件中試平臺進(jìn)行升級擴(kuò)能,新增高可靠車規(guī)級激光器芯片工藝設(shè)備;另一方面擬新建先進(jìn)硅光集成技術(shù)創(chuàng)新平臺,新增硅光工藝設(shè)備,開發(fā)先進(jìn)硅光集成芯片工藝技術(shù),具備硅光工藝研發(fā)、中試能力。

據(jù)介紹,擴(kuò)能升級完成后,光電子先導(dǎo)院將實(shí)現(xiàn)“化合物+硅光芯片”全流程的研發(fā)、試驗(yàn)、中試能力,有效助力解決光子領(lǐng)域長期存在的科研和市場“兩張皮”“大科技小產(chǎn)業(yè)”等問題。也將有效助力消除科技創(chuàng)新中的“孤島現(xiàn)象”,使光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果更快轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)力,推動實(shí)體經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

截至2023年末,光電子先導(dǎo)院先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺已攻克30多項(xiàng)核心工藝開發(fā);完成了以VCSEL為代表的工藝平臺建設(shè),并完成了多款產(chǎn)品的PDK發(fā)布。平臺已經(jīng)具備為光電子產(chǎn)業(yè)各類創(chuàng)新主體提供研發(fā)、中試、檢測、工程化等全流程技術(shù)服務(wù),將加速企業(yè)產(chǎn)品創(chuàng)新,有效推動光子產(chǎn)業(yè)持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展。

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