業(yè)內消息，根據上周美國加利福尼亞北區(qū)法院公布的信息，長江存儲已于11月9日起訴美光科技有限公司及全資子公司美光消費產品集團有限責任公司侵犯其8項美國專利。長江存儲在專利侵權起訴書中稱，訴訟是為了終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲專利創(chuàng)新。

長江存儲是國內最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商。長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術，以抵御來自長江存儲的競爭，并獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
長江存儲指控美光侵犯了美國專利號為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。美光被控侵權的產品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產品。
長江存儲在以上起訴書中稱，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論：長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者，超過了美光。
NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲介質，NAND Flash可制造SSD（固態(tài)硬盤）等存儲器，用于手機、服務器、PC等產品。集邦咨詢數據顯示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌廠商中，三星、鎧俠、SK Group、西部數據、美光的市占率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他廠商占比僅3.8%。

2018年，長江存儲量產第一代32層3D NAND Flash芯片，2019年量產64層256Gb TLC 3D NAND閃存，2020年跳過96層研發(fā)兩款128層閃存產品。長江存儲此前還推動擴產。集邦咨詢分析稱，2022年第三季度，受長江存儲擴大筆電Client SSD出貨等影響，價格戰(zhàn)日益激烈，原廠不得不拉大議價空間，吸引客戶提高訂單數量。
2022年10月，美國商務部工業(yè)和安全局發(fā)布出口管制新規(guī)，限制對中國出口芯片制造設備等，將長江存儲NAND Flash芯片層數卡在已量產的最新工藝上。當年12月，美國又將長江存儲納入出口管制“實體清單”。
除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生產商之一。2016年，生產DRAM的另一大存儲芯片廠商福建晉華與聯電簽署技術合作協(xié)議，開發(fā)DRAM相關制程技術，在福建晉江投資56.5億美元建設一條12英寸晶圓廠生產線。2017年，美光在美國起訴晉華與聯電，稱晉華員工竊取其知識產權交給晉華。2018年，美國商務部又將晉華列入出口管制“實體清單”。

來源：第一財經