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[導讀]【新竹訊 – 2023年9月27日】全球氮化鎵功率半導體領(lǐng)導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿,更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年發(fā)表的 3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看,改采用最新第四代平臺,不僅效率超過鈦金級能效標準,功率密度更從 100W/in3 提升至 120W/in3。

重點摘要

· GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。

· 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit) 強化GaN Systems作為全球氮化鎵功率器件首選供貨商的領(lǐng)導角色。

● 實現(xiàn)具有絕對優(yōu)勢的開關(guān)及傳導損耗,進一步驗證氮化鎵功率半導體在消費電子、數(shù)據(jù)中心、光伏、工業(yè)及電動車市場的應用優(yōu)勢。

● 大幅優(yōu)化效率及功率密度,解鎖降低整體系統(tǒng)成本的密碼,相較硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化鎵產(chǎn)品,提供更高的成本效益。

● GaN Systems 作為推動電源產(chǎn)業(yè)更新?lián)Q代的先驅(qū)角色,承諾持續(xù)開發(fā)高性價比的能源轉(zhuǎn)換解決方案。

【新竹訊 – 2023年9月27日】全球氮化鎵功率半導體領(lǐng)導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿,更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年發(fā)表的 3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看,改采用最新第四代平臺,不僅效率超過鈦金級能效標準,功率密度更從 100W/in3 提升至 120W/in3。

GaN Systems第四代平臺將為消費電子、數(shù)據(jù)中心、光伏、工業(yè)及汽車等應用場域帶來突破性的革新。相較硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化鎵產(chǎn)品,該第四代平臺能進一步降低的物料清單 (Bill-of-Material) 成本,提供卓越成本效益。GaN Systems作為氮化鎵功率器件首選供貨商,致力于協(xié)助客戶創(chuàng)造市場差異化,鞏固競爭優(yōu)勢。

「我們的主要客戶已認可第四代氮化鎵平臺的優(yōu)勢。該平臺充分體現(xiàn) GaN Systems 致力于突破產(chǎn)品性能,實現(xiàn)下世代能效水平的承諾,」GaN Systems 全球執(zhí)行官 Jim Witham表示,「面對市場的瞬息萬變,GaN Systems 透過深化與像臺積電這樣的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導公司間的策略合作關(guān)系,持續(xù)投資研發(fā),提供能滿足客戶需求的解決方案?!笹aN Systems 正引領(lǐng)全球電源產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型,在產(chǎn)品組合完整度、封裝技術(shù)創(chuàng)新、功能豐富度、及性能表現(xiàn)上皆擁有領(lǐng)先優(yōu)勢。

功率電子技術(shù)的大躍進

GaN Systems 第四代氮化鎵平臺提供以下優(yōu)勢:

· 輸入/輸出質(zhì)量因子提升超過 20%,實現(xiàn)更低的損耗、效率優(yōu)化及卓越成本效益。

· 提供包括 PDFN、TOLL、TOLT 及嵌入式 (Embedded) 等不同封裝選項,針對不同應用搭配最適當?shù)?Rds 阻抗和封裝組合,實現(xiàn)卓越電氣和熱性能表現(xiàn)。

· 700V 氮化鎵E-mode晶體管提供當前業(yè)界最高的瞬態(tài)電壓額定值,達850V,大幅提升整體系統(tǒng)可靠性及穩(wěn)健性,此額定值使半導體組件能夠承受用戶環(huán)境中的異常情況,如電壓突波,確保不間斷且可靠的性能。

· 提供適用于 20W 到 25,000W 電源系統(tǒng)的導通電阻。

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