晶振具有正逆壓電效應(yīng)這一物理特性，可以產(chǎn)生非常微弱的周期性振蕩信號。為增進(jìn)大家對晶振的認(rèn)識，本文將對晶振的兩大知識點(diǎn)以及晶振使用過程中常見的問題予以解答。如果你對晶振具有興趣，不妨一起繼續(xù)往下閱讀哦。

一、晶振兩大知識點(diǎn)

知識點(diǎn)一：5個要點(diǎn)搞定晶振電路PCB布線

位置要選對：晶振內(nèi)部是石英晶體，如果不慎掉落或受不明撞擊，石英晶體易斷裂破損，所以晶振的放置遠(yuǎn)離板邊，靠近MCU的位置布局。

兩靠近：耦合電容應(yīng)盡量靠近晶振的電源管腳，如果多個耦合電容，按照電源流入方向，依次容值從大到小擺放;晶振則要盡量的靠近MCU。

走線短：在電路系統(tǒng)中，高速時鐘信號線優(yōu)先級最高，一般在布線時，需要優(yōu)先考慮系統(tǒng)的主時鐘信號線。時鐘線是敏感信號，頻率越高，要求走線盡量的短，保證信號的失真度最小。

高獨(dú)立：盡可能保證晶振周圍的沒有其他元件。防止器件之間的互相干擾，影響時鐘和其他信號的質(zhì)量。網(wǎng)傳是300mil內(nèi)不要布線，實際在設(shè)計中并沒有如此嚴(yán)格。

外殼要接地：晶振的外殼必須要接地，除了防止晶振向外輻射，也可以屏蔽外來的干擾。

知識點(diǎn)二：查晶振問題不可缺少的三要素

01，檢查晶振本身

在運(yùn)輸、焊接過程中，都可能會導(dǎo)致晶振內(nèi)部的水晶片的損壞。如果我們在焊接晶振時，焊錫溫度過高，或者是菜鳥級別的焊接時間長，都會影響到晶振本身。如果晶振損毀，直接更換一個晶振，是查找晶振不起振的問題中最簡單的。

02，物料參數(shù)值錯誤

比如STM32使用外部晶振32.768Khz晶振，電容的容值建議在5pf-15pf之間，如果我們選擇不合適的容值，就會導(dǎo)致晶振不起振。

03，PCB布線問題

檢查PCB布線是否存在錯誤，如真是這個問題，那影響就非常大了，這一版就會浪費(fèi)掉，還要投入更多成本，項目周期也會增加。

二、晶振常見問題解答

1、晶振的原理，如何產(chǎn)生正弦信號的，詳細(xì)一點(diǎn)，從電路方面分析?

答：晶體可以等效為一個電感，與里面的電容形成振蕩回路，能量從電感慢慢到電容，再從電容慢慢到電感，周而復(fù)始形成振蕩。正半周是電容的充放電過程，負(fù)半周是電感的充放電過程。

2、11.0952的晶振和單片機(jī)哪些引腳連接能起作用?電源和18B20應(yīng)該和單片機(jī)的哪些引腳相連呢?RT，要把單片機(jī)從實驗板上引出來，應(yīng)該怎么連接?1602LCD的液晶該怎么和單片機(jī)相連呢?每次從仿真上連出來都是只有背光和黑點(diǎn)，但是不顯示已經(jīng)燒錄的程序。

答：晶振接單片機(jī)x1(或者叫XTAL1)和x2(或者叫XTAL2)引腳。

電源接單片機(jī)的VCC和GND。

18b20電源腳接電源上，中間的數(shù)據(jù)線可以單片機(jī)的任意io口。具體控制是靠程序完成的。

1602的數(shù)據(jù)線接單片機(jī)io(比如51單片機(jī)的P1口)，其它的控制線rw，reset，cs等可以接單片機(jī)的任意io口。

燒錄了程序不能運(yùn)行，而程序是正確的話，你得看程序怎么定義這些引腳，根據(jù)程序定義連接單片機(jī)的位置。

3、我現(xiàn)在要用52單片機(jī)做一個交通燈電路。要求是紅燈，綠燈30s，黃燈3s。循環(huán)變化。那么外界晶振怎樣選擇?單指令周期多少比較合適?圖中外接的兩個電容的作用是什么?大小多少合適?

答： 如果選擇晶振的話，那兩個電容值可以選擇：30加減10PF左右的(頻率在0~33MHZ之間);

如果選擇陶瓷晶振的話，電容值可以選擇：40加減10PF左右的(頻率在1.2~12MHZ)振蕩器應(yīng)盡量靠近電容。指令周期是可以算的，這個是有公式的!

4、若89c52單片機(jī)使用外接晶振，應(yīng)如何設(shè)置?

答：晶振的兩個管腳各接一個20~30pf的電容后分別接入單片機(jī)的XTAL1和XTAL2，兩個電容的另一端并接后接地即可，不再需要任何設(shè)置

5、89c52單片機(jī) 晶振頻率才12兆，太小了，怎樣能改大晶振頻率?

答：外接18.432或者24MHz的晶振啊?；蛘邠Q4T的W77E58單片機(jī)，這樣相當(dāng)于把工作頻率提高3倍?；蛘邠Q1T的DS89C4XX單片機(jī)，這相當(dāng)于把工作頻率提高8倍!足夠了吧?用1T的STC12C5A**單片機(jī)也有這樣的效果。

6、51單片機(jī)晶振上接的電容大小該如何選擇?是晶振越大，電容值也要大一些嗎，一般常用多大的。有人說常用的從15-33pf，具體如何選擇效果最好?比如我分別用一個6M和12M的晶振，用多大電容更合適?

答：15-33pf都可以 我們一般用的是15P和30P 晶振大小影響不大 我們常用的4M 和12M 以及11.0592M和20M 24M 我們都用的 30P 單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的整形電路 我們不比擔(dān)心

7、我給51單片機(jī)12M晶振接2200pF電容會怎么樣?電路圖里貌似是22pF的，但是我沒有22pF的。。.接2200pF會不會不正常工作?

答：不可以，晶體會不工作的。15-33p是合理范圍。你可以試試看，對單片機(jī)不會有損壞。

以上便是此次帶來的晶振相關(guān)內(nèi)容，通過本文，希望大家對晶振已經(jīng)具備一定的了解。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦，將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!