在這篇文章中，小編將對LED芯片的相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。

一、LED芯片常見問題及其解決方法

1、正向電壓降低、暗光

(1)一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸，但接觸電阻大，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

(2)一種是電極與材料為非歐姆接觸，主要發(fā)生在芯片電極制備過程中蒸發(fā)第一層電極時的擠壓印或夾印，分布位置。

另外封裝過程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定。

正向壓降低的芯片在固定電壓測試時，通過芯片的電流小，從而表現(xiàn)暗點，還有一種暗光現(xiàn)象是芯片本身發(fā)光效率低，正向壓降正常。

2、難壓焊

(1)打不粘：主要因為電極表面氧化或有膠

(2)有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢，其中以加厚層脫落為主。

(3)打穿電極：通常與芯片材料有關，材料脆且強度不高的材料易打穿電極，一般GAALAS材料(如高紅，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極。

(4)壓焊調(diào)試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時間，壓力，金球大小，支架定位等進行調(diào)整。

3、發(fā)光顏色差異

(1)同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題，ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄，生長是很難保證各區(qū)域組分一致。(組分決定禁帶寬度，禁帶寬度決定波長)。

(2)GAP黃綠芯片，發(fā)光波長不會有很大偏差，但是由于人眼對這個波段顏色敏感，很容易查出偏黃，偏綠。由于波長是外延片材料決定的，區(qū)域越小，出現(xiàn)顏色偏差概念越小，故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法。

(3)GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃色，這是由于其發(fā)光機理為間接躍進。受雜質(zhì)濃度影響，電流密度加大時，易產(chǎn)生雜質(zhì)能級偏移和發(fā)光飽和，發(fā)光是開始變?yōu)槌赛S色。

4、亮度不均勻：LED芯片中的亮度分布可能不均勻，導致顯示效果不一致。這可能是由于制造過程中的差異、燈珠老化或不當?shù)碾娏黩寗拥仍蛞鸬?。免費教你9個方面提高LED廣告牌的顯示效果。

5、顏色偏移：LED芯片的顏色可能會發(fā)生偏移，導致顯示出的顏色與預期不符。這可能是由于燈珠的顏色性能不穩(wěn)定、電流控制問題或環(huán)境因素等引起的。

6、電路故障：LED芯片中的電路可能會出現(xiàn)故障，例如開路、短路或電路連接不良等情況，導致LED芯片無法正常工作。

二、LED芯片技術難點

1、發(fā)光效率低

雖然各廠家量產(chǎn)的封裝后的白光 LED 出光效率都達到 100lm/w 以上，但是相比較于小尺寸的 LED 芯片，其出光效率依然很低。大尺寸的 LED 芯片由于尺寸較大，當光線在器件內(nèi)部傳播時，光線通過的路程要比小尺寸的芯片經(jīng)過的路程長，導致器件材料對光線的吸收概率較大，大量的光線被限制在器件內(nèi)部無法出射，導致出光效率較低。

2、電流擴散不均勻

對于大功率 LED 芯片而言，需要大的電流驅動(一般為 350mA)，為了得到均勻的電流擴散，需設計合理的電極結構以使得電流在 P 型層面得到均勻分布，大功率 LED 芯片由于芯片尺寸較大，同時 P 型層的電流很難在 P 型層面得到均勻擴散導致電流積聚在電極下方，造成電流擁擠效應。由于電流積聚效應，即電流主要集中在電極正下方區(qū)域，橫向擴展比較小，電流分布很不均勻，導致局部電流密度過大。

3、光電特性不穩(wěn)定

由于大功率 LED 芯片器件出光效率底下，大量光線被器件內(nèi)部吸收，這些被吸收的光線在器件內(nèi)部轉換成熱能，造成 LED 芯片結溫的升高，結溫的升高不但會造成光衰嚴，嚴重影響了 LED 芯片的壽命，同時溫度的升高會導致芯片的藍光波峰向長波長方向偏移(即紅移)，造成芯片的發(fā)光波長和熒光粉的激發(fā)波長不匹配，也會造成顯色性的降低。

4、產(chǎn)業(yè)化研究光效遠低于實驗室研發(fā)水平

國際上主流的 LED 芯片廠商，雖然實驗室研發(fā)已到達較高的水平，但是產(chǎn)業(yè)化的研究水平依然底下，造成其主要的原因是產(chǎn)業(yè)化不但要考慮到成本的需求同時還要兼顧生產(chǎn)工藝的復雜程度以及芯片良率的問題。

以上便是小編此次帶來的有關LED芯片的全部內(nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請一定關注我們網(wǎng)站哦。