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[導(dǎo)讀]為增進(jìn)大家對存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對存儲(chǔ)器的工作原理以及非易失性存儲(chǔ)器的具體類型予以介紹。

存儲(chǔ)器可以說是任何一部電子設(shè)備都無法缺少的必要組成器件,一旦缺少存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)將無法保存。為增進(jìn)大家對存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對存儲(chǔ)器的工作原理以及非易失性存儲(chǔ)器的具體類型予以介紹。如果你對存儲(chǔ)器具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、存儲(chǔ)器及其工作原理

存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(簡稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲(chǔ)器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。

一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào),即地址,一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲(chǔ)容量。

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線,而地址引腳只有8條。為了形成64K地址,必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計(jì)一個(gè)地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號(hào)能分時(shí)地加到8個(gè)地址的引腳上,借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲(chǔ)單元,鎖存信號(hào)也靠著外部地址電路產(chǎn)生。

當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí),CPU首先將行地址加在A0-A7上,而后送出RAS鎖存信號(hào),該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS鎖存信號(hào),也是在信號(hào)的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1,則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。

當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時(shí),行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部,然后,WE有效,加上要寫入的數(shù)據(jù),則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。由于電容不可能長期保持電荷不變,必須定時(shí)對動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路的各存儲(chǔ)單元執(zhí)行重讀操作,以保持電荷穩(wěn)定,這個(gè)過程稱為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器刷新。

二、非易失性存儲(chǔ)器有哪些

通過上面的介紹,想必大家對存儲(chǔ)器的工作原理已經(jīng)具備了初步的認(rèn)識(shí)。在這部分,我們主要來了解一下非易失性存儲(chǔ)器的類型。

非易失性存儲(chǔ)器種類比較多,分別是ROM、FLASH以及外部大容量存儲(chǔ)器。

1、ROM

ROM(ReadOnlyMemory)只讀存儲(chǔ)器,又分為MASKROM(掩模ROM)、OTPROM(一次可編程ROM)、EPROM(電可擦寫ROM)和EEPROM(電可擦寫可編程ROM)。

MASKROM:真正意義上的只讀存儲(chǔ)器,一次性由廠家用特殊工藝固化,用戶無法修改。

OTPROM:由用戶用專門設(shè)備來一次性寫入數(shù)據(jù),只能寫入一次。

EPROM:可重復(fù)擦寫,解決只能一次寫入的問題,但需要用專門的設(shè)備去操作,已被EEPROM取代。

EEPROM:可實(shí)現(xiàn)重復(fù)擦寫,直接用電路控制,不需要專門的設(shè)備來進(jìn)行擦寫。且操作單位為字節(jié),并不需要操作整個(gè)芯片。EEPROM現(xiàn)在已是主流。正點(diǎn)原子所有開發(fā)板都有使用到EEPROM,用來存儲(chǔ)一些配置信息。

2、FLASH

FLASH跟ROM相比,容量更大,但是操作的單位為多字節(jié)并不是一個(gè)字節(jié)。FLASH分為NORFLASH和NANDFLASH,這兩者在嵌入式開發(fā)中都是很常用的存儲(chǔ)器。

NORFLASH得益于地址線和數(shù)據(jù)線分開,可以以“字節(jié)”讀寫數(shù)據(jù),所以允許程序直接在上面運(yùn)行。在正點(diǎn)原子的北極星板子上,就是用NORFLASH存儲(chǔ)核心代碼。

NANDFLASH對比NORFLASH在成本上有很大的優(yōu)勢,但是存在壞塊問題(NAND通常是以塊為單位進(jìn)行擦除,塊內(nèi)有一位失效整個(gè)塊就會(huì)失效)。

3、外部大容量存儲(chǔ)器

外部大容量存儲(chǔ)器就有磁盤存儲(chǔ)器(硬盤和軟盤)、光盤存儲(chǔ)器和SD卡。

磁盤存儲(chǔ)器,容量大,使用壽命長但價(jià)格貴,主要是用在個(gè)人PC中,較少用在嵌入式開發(fā)中。

光盤存儲(chǔ)器:用光學(xué)方式讀取/寫入信息的圓盤,一般用于多媒體信息載體,較少出現(xiàn)在嵌入式領(lǐng)域中。

SD卡:體積小,安全性也高。簡單設(shè)計(jì)一下外圍電路即可支持嵌入式開發(fā),是常見的外部存儲(chǔ)器。

以上便是此次小編帶來的存儲(chǔ)器相關(guān)內(nèi)容,通過本文,希望大家對存儲(chǔ)器已經(jīng)具備一定的了解。如果你喜歡本文,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦,小編將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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