據(jù) 21ic 信息報(bào)道，臺(tái)積電的第一代 3nm 工藝(N3)仍采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)制程工藝，在去年最后的幾天在南科廠正式投入開(kāi)始商業(yè)量產(chǎn)，隨后產(chǎn)能在不斷提升。有報(bào)道稱已經(jīng)量產(chǎn)了一個(gè)季度的臺(tái)積電 3nm(N3)制程工藝目前的良率約為 63%，正在追趕自家 4nm 良率。

3nm是目前半導(dǎo)體制程工藝的前沿之作，臺(tái)積電選擇將其放在南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)而不是亞利桑那鳳凰城，也向外界表明了先進(jìn)制程留在中國(guó)臺(tái)灣和不放棄大本營(yíng)的原則。目前在代工領(lǐng)域最大的對(duì)手就是三星，三星的晶圓代工事業(yè)部之前就表示要在上半年率先量產(chǎn)出 3nm工藝。

臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)的臺(tái)積電 18 廠就是本次 3nm 制程工藝的主要量產(chǎn)工廠，臺(tái)積電最新的 3nm 制程工藝不僅是現(xiàn)階段 5nm 制程工藝之后的一代全新制程，更是細(xì)分了多個(gè)節(jié)點(diǎn)工藝，比如 N3E、N3P 等。

根據(jù)臺(tái)積電的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，去年各制程的營(yíng)收占比數(shù)據(jù)為：5nm 營(yíng)收占比提升至 26%，7nm 營(yíng)收占比則降至 27%，16nm 營(yíng)收占比為 13%，28nm 營(yíng)收占比為 10%，7nm 及以下先進(jìn)制程占比已經(jīng)達(dá)到了 53%。

臺(tái)積電總裁魏哲家預(yù)計(jì)，在高性能計(jì)算和智能手機(jī)等應(yīng)用的推動(dòng)下，3nm 產(chǎn)品將在今年實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)平穩(wěn)增長(zhǎng)，第二代 3nm(N3E)制程工藝將于今年第三季度量產(chǎn)，預(yù)估今年 N3+N3E 將合計(jì)貢獻(xiàn)大約 5% 的營(yíng)收。

據(jù)悉，臺(tái)積電 3nm 首發(fā)客戶目前只有蘋果一家，高通、聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)、AMD 等其他客戶都認(rèn)為報(bào)價(jià)太高，均表示并不急于推出 3nm 產(chǎn)品，至少要等到 2024 年下半年，由此也可推斷今年上半年 N3 帶給臺(tái)積電的營(yíng)收增幅并不會(huì)很多。

根據(jù)外媒的報(bào)道，目前 3nm(N3)制程工藝的良率相比于早投產(chǎn)的 4nm 還是有差距，但隨著量產(chǎn)時(shí)間的延長(zhǎng)，良率會(huì)逐漸攀升，未來(lái)有望達(dá)到甚至超過(guò) 4nm 工藝的水平。目前并不清楚三星 3nm 制程工藝的良率，但三星的 4nm 制程工藝良率有明顯提升，縮小了和臺(tái)積電的差距。

有市場(chǎng)分析師指出，預(yù)計(jì)今年下半年臺(tái)積電 3nm(N3)制程工藝的良率和產(chǎn)能都將獲得較大提升，但屆時(shí) 3nm(N3E)可能也會(huì)準(zhǔn)備就緒，這將使得在高性能計(jì)算、智能手機(jī)以及定制芯片等的客戶可能會(huì)嘗試臺(tái)積電的 N3/N3E。

業(yè)內(nèi)傳聞臺(tái)積電為了刺激客戶使用其 3nm(N3 和 N3E)制程工藝，正在考慮降低該系列制程的報(bào)價(jià)，尤其是后者，因?yàn)樵撝瞥套疃嘀皇褂?19 層 EUV光刻流程，制造復(fù)雜度略低，這也使得其成本較低，這將使得臺(tái)積電可以在不損害獲利能力的情況下進(jìn)一步降低N3E制程的生產(chǎn)報(bào)價(jià)。此外，臺(tái)積電稱 N3/N3E 均有多家客戶下單，量產(chǎn)的第一、第二年流片的數(shù)量是 5nm 同期的兩倍以上。