1 月 12 日消息，據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道，臺(tái)積電 3 納米(N3)去年第四季度量產(chǎn)，升級(jí)版 3 納米(N3E)制程將于今年第三季度量產(chǎn)，預(yù)估今年 3 納米及升級(jí)版 3 納米將貢獻(xiàn)約 4% 至 6% 的營(yíng)收。魏哲家指出，3 納米及升級(jí)版 3 納米今年合計(jì)將貢獻(xiàn)中個(gè)數(shù)百分比(約 4% 至 6%)營(yíng)收，營(yíng)收貢獻(xiàn)將高于 5 納米制程量產(chǎn)第一年的貢獻(xiàn)。

此外，蘋(píng)果可能是唯一一家采用臺(tái)積電N3制程技術(shù)的公司，因?yàn)槠渌蛻?hù)可能將使用具有進(jìn)一步改良后的N3E。同時(shí)，早期的N3良率可能不適用于N3E(及其N(xiāo)3技術(shù)系列的其他節(jié)點(diǎn))，這種工藝技術(shù)實(shí)際上是整個(gè)行業(yè)應(yīng)該關(guān)心的事情，因?yàn)樗鼘⒈粡V泛使用。

現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)包含數(shù)千個(gè)工藝步驟，取決于材料、使用的晶圓廠設(shè)備工具、工藝配方和許多其他因素。因此，可能有數(shù)千種方法可以提高或降低產(chǎn)量，這就是為什么對(duì)一個(gè)因素如何影響其他因素有非常深刻的了解很重要的原因。由于臺(tái)積電的N3(N3B)，N3E，N3S，N3P和N3X是非常不同的制造技術(shù)，早期的N3的高良率對(duì)于其他N3系列節(jié)點(diǎn)是好兆頭，但它們并不能保證其他節(jié)點(diǎn)會(huì)同樣成功(或不成功)。

臺(tái)積電表示，其3nm制程技術(shù)性能、功耗及面積(PPA) 及晶體管體技術(shù)為業(yè)界最先進(jìn)半導(dǎo)體邏輯制程技術(shù)，是繼5nm(N5) 制程后另一個(gè)全新世代制程。相較N5 制程，3nm邏輯密度增加約60%，或相同速度下功耗降低30%~35%，并支持創(chuàng)新的TSMC FINFLEXTM 架構(gòu)。

劉德音致詞時(shí)表示，臺(tái)積電保持技術(shù)領(lǐng)先，同時(shí)深耕臺(tái)灣，持續(xù)投資并與環(huán)境共榮，3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮展現(xiàn)臺(tái)積電在臺(tái)灣發(fā)展先進(jìn)技術(shù)及擴(kuò)充先進(jìn)產(chǎn)能的具體作為，與供應(yīng)鏈上下游一同成長(zhǎng)，培養(yǎng)未來(lái)人才，從設(shè)計(jì)到制造、封裝測(cè)試、從設(shè)備、到材料，為世界釋放最具競(jìng)爭(zhēng)力的先進(jìn)制程技術(shù)、可靠的產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)未來(lái)科技的創(chuàng)新。

值得注意的是，去年12月6日，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的晶圓廠一期項(xiàng)目召開(kāi)首批機(jī)臺(tái)進(jìn)廠典禮，預(yù)計(jì)2024年開(kāi)始投產(chǎn)4nm制程。同時(shí)，臺(tái)積電還宣布在亞利桑那州晶圓廠啟動(dòng)二期工程，預(yù)計(jì)于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程技術(shù)。兩期工程總投資金額激增至400億美元。

總體來(lái)看，未來(lái)臺(tái)積電位于臺(tái)灣島外的28nm及以下先進(jìn)制程的海外產(chǎn)能將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。臺(tái)積電表示，依據(jù)客戶(hù)需求和政府支持力度，臺(tái)積電28nm及以下的海外產(chǎn)能，可能在五年或更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，在臺(tái)積電的28nm及以下總產(chǎn)能當(dāng)中的占比達(dá)到20%或以上。

臺(tái)積電此前在美國(guó)投資人日活動(dòng)上已放出相關(guān)消息稱(chēng)，臺(tái)灣在中國(guó)臺(tái)灣大本營(yíng)持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)制程的同時(shí)，長(zhǎng)期規(guī)劃的海外產(chǎn)能未來(lái)將達(dá)到總產(chǎn)能占比的20%。外界預(yù)計(jì)，相關(guān)占比有望在2027年至2028年前后達(dá)成。臺(tái)積電在今天的法說(shuō)會(huì)上進(jìn)一步更新了臺(tái)灣島內(nèi)外產(chǎn)能計(jì)劃。

臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)暨發(fā)言人黃仁昭表示，盡管臺(tái)積電領(lǐng)先業(yè)界的5nm制程持續(xù)放量，臺(tái)積電第四季的營(yíng)收表現(xiàn)仍受到終端市場(chǎng)需求疲軟以及客戶(hù)庫(kù)存調(diào)整所帶來(lái)的影響。邁入 2023 年第一季，因總體經(jīng)濟(jì)情勢(shì)依然孱弱，預(yù)期終端市場(chǎng)需求持續(xù)疲軟，以及客戶(hù)進(jìn)一步的庫(kù)存調(diào)整將更加影響臺(tái)積電業(yè)績(jī)。

根據(jù)對(duì)當(dāng)前業(yè)務(wù)狀況的評(píng)估，臺(tái)積電針對(duì) 2023 年第一季的業(yè)績(jī)展望為，合并營(yíng)收預(yù)計(jì)介于 167 億美元到 175 億美元之間。若以新臺(tái)幣 30.7 元兌 1 美元的匯率計(jì)算，營(yíng)收金額約在新臺(tái)幣5126.9 億元~ 5372.5 億元之間，較 2022 年第四季下滑14.1%~18%。毛利率預(yù)計(jì)介于 53.5% 到 55.5% 之間，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率預(yù)計(jì)介于 41.5% 到 43.5% 之間。

不過(guò)，最新的爆料顯示，臺(tái)積電為了刺激客戶(hù)使用其3nm系列制程技術(shù)，臺(tái)積電正在考慮降低該系列制程的報(bào)價(jià)，尤其是 N3E 制程，因?yàn)樵撝瞥套疃嘀皇褂?19 層 EUV光刻流程，制造復(fù)雜度略低，這也使得其成本較低。這將使得臺(tái)積電可以在不損害獲利能力的情況下，進(jìn)一步降低 N3E 制程的生產(chǎn)報(bào)價(jià)。