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[導讀]中國科技企業(yè)英諾賽科(蘇州)半導體有限公司已經(jīng)實現(xiàn)了技術(shù)突破,在可替代材料“硅基氮化鎵”上已經(jīng)完成了量產(chǎn),已經(jīng)建立了生產(chǎn)線,并且完成了對于8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)。

中國科技企業(yè)英諾賽科(蘇州)半導體有限公司已經(jīng)實現(xiàn)了技術(shù)突破,在可替代材料“硅基氮化鎵”上已經(jīng)完成了量產(chǎn),已經(jīng)建立了生產(chǎn)線,并且完成了對于8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)。據(jù)悉這是全球第一座“氮化鎵芯片”生產(chǎn)基地。目前中企已經(jīng)掌握了成熟的技術(shù),一旦氮化鎵被用于制造芯片,相比于硅基芯片功率將直接提升900倍。

中國科學院院士彭練矛和張志勇教授率碳基納米管晶體研究團隊在2020年5月26日,宣布突破了碳基半導體設備制造的瓶頸,制造出高純半導體陣列的碳納米管材料——碳晶體管,在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)碳基芯片制造技術(shù)的突破。碳基芯片再一次成為全球熱點。碳基芯片在很多方面確實有叫板硅基芯片實力。值得一提的是,與硅基芯片相比,碳基芯片具有成本更低、功耗更小、效率更高的顯著優(yōu)勢。據(jù)相關(guān)報道顯示,與傳統(tǒng)硅基芯片相比,中國碳基芯片在處理大數(shù)據(jù)時不僅速度更快,而且至少可節(jié)約30%的功耗。

1月9日,據(jù)彭博社報道,中國臺灣立法者已經(jīng)通過了新的規(guī)定,允許本地芯片公司將其年度研發(fā)費用的25%轉(zhuǎn)為稅收抵免,這是為了將尖端的半導體技術(shù)留在中國臺灣并保持技術(shù)領先地位而做出的努力之一。

報道稱,當?shù)毓賳T一再表示,他們將確保最新的芯片技術(shù)留在中國臺灣,臺積電和其它本地芯片巨頭的高管也重申了這一點。過去,中國臺灣通過基礎設施建設和其它措施幫助當?shù)氐男酒圃焐?,如今其正在加緊努力。

周一,臺積電和聯(lián)電的股票在臺北股市上漲超過4%,這是新規(guī)則宣布后的第一個交易日。

"由于美國、日本、韓國和歐盟都在為建立國內(nèi)供應鏈提供大量激勵措施,中國臺灣應該加強關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)的全球競爭力,"中國臺灣當局在周六的一份聲明中表示,"新規(guī)則將有助于鼓勵本地公司在這里扎根。"

報道指出,從美國到韓國等各國政府一直在為國內(nèi)芯片生產(chǎn)提供激勵,希望減少對中國臺灣先進半導體的嚴重依賴,避免未來的供應中斷。

為了減輕這些擔憂,臺積電正在日本和美國建設新的工廠,并考慮在德國再建一個工廠。

新的激勵措施應該在2023年的某個時候生效。臺版《芯片法案》還規(guī)定,中國臺灣的芯片公司還可以就購買先進工藝技術(shù)新設備的年度成本的5%申請稅收抵免。但是,獲得的任何抵免不得超過公司所承擔年度稅款總額的50%。

目前,設備采購是建立新芯片工廠的最大成本。例如,ASML的極紫外(EUV)光刻機現(xiàn)在每臺成本接近2億美元。

美國IBM公司公開宣稱,將會首發(fā)2nm芯片技術(shù)。而目前最先進的芯片工藝也只能把芯片做到5nm-7nm。

其實,IBM公司所謂的先進技術(shù)并沒有真的投入大規(guī)模生產(chǎn),與此同時,中國也宣布在石墨烯芯片技術(shù)領域取得了突破,中科院甚至公開展示了石墨烯晶圓,不過,這一技術(shù)也不是很成熟,還沒有投入大規(guī)模的生產(chǎn)。

為什么中美都這么急于宣布自己的芯片技術(shù)取得進步?

芯片的制造歷經(jīng)了半個世紀的發(fā)展,從第一臺計算機之時,并沒有芯片,而是簡單的電路排列,很占用空間,所以當時的計算機個頭也非常的大。

而且,不僅僅是占據(jù)空間大,這些電路的功率也非常小,導致整個計算機的處理速度也很受限制。因此,計算機如何減負,如何提高效率,成為主要的研發(fā)方向。

經(jīng)過20年,計算機集成電路新片誕生,出現(xiàn)IC芯片,不過,這種IC集成芯片的集成度并不高,上面只有100多個晶體管,不過比以前已經(jīng)進步了很多,具有里程碑的意義。

IC 芯片的出現(xiàn)讓計算機研究開啟了加速模式,完全顛覆了原來的電路模式,電子設備開始便攜化,電路體積開始壓縮,操作更加簡單。

沿著IC集成電路的模式,很快科學家就研發(fā)出了中型集成電路和大規(guī)模集成電路,與之相關(guān)的許多科技產(chǎn)品都開始更新?lián)Q代,比如手機開始智能化,功能大大豐富。

2022年10月4日,三星在美國加州圣何塞舉行年度三星制造論壇線下活動,其芯片代工部門首次發(fā)布2022-2027目標計劃:

第一2027年前實現(xiàn)1.4nm尖端工藝技術(shù);

第二2027年前實現(xiàn)1.4nm芯片量產(chǎn)擴至三倍以上;

第三到2027年實現(xiàn)2001年度晶圓代工的三倍產(chǎn)值。

業(yè)內(nèi)人士一看就知道,這是拔尖之舉啊,既是芯片技術(shù)之尖,也是市場占有率之尖。無疑是沖著對手臺積電亮劍。中外媒體們也樂見“兩大巨頭”你爭我奪,在新聞報道中不乏“臺積電時代落幕”“超車”“攤牌”這樣的字眼。

不知是否有意為之,還是踩對了全球芯片產(chǎn)業(yè)的周期步伐,三星此番發(fā)布,恰恰是一個五年計劃,這倒是讓中國大陸的從業(yè)者和讀者們頗有熟悉之感。但是仔細察看三星此次技術(shù)與產(chǎn)量謹嚴齊鳴、雄心與步驟蔚然可觀的路線圖面世,可謂是有理有據(jù),國際大廠的務實風范又見一斑。

近年來,關(guān)于統(tǒng)治半導體行業(yè)硅芯片的“物理工藝極限已到”,風靡全球芯片界的“摩爾定律已死”的言論不絕于耳,那么看到三星“1.4nm工藝技術(shù)和量產(chǎn)雙峰貫耳”的路線圖中,有理有據(jù),又讓人眼前一亮了。

據(jù)熟悉三星的家鄉(xiāng)媒體《BusinessKorea》報道,三星此番線下會議,是時隔三年之后“憋出的大招”,目標很明確:尖端技術(shù)+大規(guī)模量產(chǎn),直指當下的芯片發(fā)展的兩大穴位:技術(shù)導向和芯片短缺,以及一攬子半導體行業(yè)解決方案。

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