這個(gè)問(wèn)題呢在面試時(shí)候被問(wèn)過(guò)一次，所以有了今天的選題，希望大家以后如果被提問(wèn)，都能從容面對(duì)。還記得去年視頻面試上海的一家外資公司，覺(jué)得外企穩(wěn)定，福利待遇方面都還行，于是就有了接下來(lái)的面試經(jīng)歷。面試總共分2輪（也可能會(huì)3輪），第一輪HR面，都是一些基礎(chǔ)問(wèn)題，為什么考慮新的機(jī)會(huì)（每家必問(wèn)），現(xiàn)有薪資以及跳槽漲幅，為什么換城市等等；第二輪技術(shù)面，兩個(gè)面試官看上去50歲左右，給人的感覺(jué)經(jīng)驗(yàn)非常豐富，在公司內(nèi)應(yīng)該屬于專家級(jí)別了。面試開(kāi)始首先自我介紹了一下以前的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，順便也吹噓了一下擅長(zhǎng)什么；接下來(lái)就是提問(wèn)環(huán)節(jié)（可以自由發(fā)揮了），可能這家公司的產(chǎn)品DCDC用的比較多，正好我簡(jiǎn)歷里也介紹了這部分項(xiàng)目經(jīng)歷，所以問(wèn)題圍繞DCDC展開(kāi)，先問(wèn)了一下Buck電路的原理，這個(gè)我早有準(zhǔn)備，沒(méi)有懸念輕松拿下，然后又問(wèn)我Buck電路的損耗，其實(shí)這個(gè)問(wèn)題我是沒(méi)有考慮過(guò)的，想了想Buck的效率通常在85%以上，我只知道導(dǎo)通時(shí)MOS管有個(gè)Rdson，阻值幾十毫歐，于是就說(shuō)了這個(gè)，我自己都感覺(jué)太小，這才多大的損耗啊！當(dāng)時(shí)就感覺(jué)要掛！可惜了我前面1個(gè)小時(shí)的努力，哈哈。果不其然，等了幾天沒(méi)有下文，可能也與我一直從事射頻工作有直接聯(lián)系，不過(guò)我也不可能去追問(wèn)HR，找工作本來(lái)就是雙向協(xié)商的，你給我offer，我還不一定去呢。

其實(shí)對(duì)于這個(gè)問(wèn)題，正常情況下80%的人不會(huì)去想DCDC的損耗在哪里，工程上項(xiàng)目時(shí)間緊，如果FAE推薦的電路不出問(wèn)題，基本就會(huì)PASS這部分，去查看其他風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)，所以一些細(xì)節(jié)是考慮不到的。面試過(guò)后我也問(wèn)了我前同事，他做過(guò)一段時(shí)間的電源，和我想的一樣，平時(shí)主要關(guān)心電源的EMI指標(biāo)和效率問(wèn)題，損耗第一個(gè)是在MOS管選型時(shí)候用到，就是Rdson，第二個(gè)是電感電容選型的ESR損耗。

其實(shí)仔細(xì)思考下還是很容易得出正確答案的，之前為什么沒(méi)答出來(lái)，我也總結(jié)了一下：面試的時(shí)候需要快速給出正確答案，這對(duì)候選人的考驗(yàn)相當(dāng)大，需要平時(shí)大量的案例積累，如果沒(méi)有這方面的知識(shí)儲(chǔ)備，面試過(guò)程節(jié)奏快、時(shí)間緊，相對(duì)企業(yè)而言候選人也比較弱勢(shì)，心理壓力大無(wú)法正常思考的，所以答錯(cuò)很正常！

言歸正傳，Buck電路的損耗有哪些？

如下圖所示，非同步Buck電路由MOS管、電感、續(xù)流二極管以及芯片內(nèi)部邏輯電路組成。

理想情況下，我們?cè)诹碾娐吩硪约癊MI等問(wèn)題的時(shí)候，不會(huì)去考慮MOS管死區(qū)時(shí)間、開(kāi)關(guān)速度，電感交直流阻抗，電容ESR/ESL，二極管的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通損耗以及Buck芯片的耗電，但這就是損耗的主要來(lái)源，此處由于開(kāi)源電源的低頻特性忽略PCB板的寄生參數(shù)。

查閱資料發(fā)現(xiàn)已經(jīng)有很多博主定量估算過(guò)DCDC所有的損耗，是一種工程近似的方法。不過(guò)像這種面試的場(chǎng)景，時(shí)間寶貴，只需要定性分析，共3種情況：

1.導(dǎo)通時(shí)，損耗主要由MOS管Q、L和C產(chǎn)生，MOS管導(dǎo)通電阻Rdson與L、C的交直流阻抗(jwL+1/jwc+DCR)損耗之和。

2.截止時(shí)，損耗主要由二極管D、L和C產(chǎn)生,二極管的壓降（ΔU*I）與L、C的交直流阻抗損耗之和。

3.開(kāi)關(guān)瞬間，如下圖所示，Ton時(shí)主要由MOS管開(kāi)通損耗與二極管的關(guān)斷損耗之和；Toff時(shí)，主要是MOS管關(guān)斷損耗(波形與MOS管打開(kāi)時(shí)相反)。